| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 268801 | BSS138N | Transistors MOSFET De Basse Tension - SOT23, 60V, 3.Öhm, 0.2Á | Infineon |
| 268802 | BSS138P | 60 V, 360 mA à canal N MOSFET Trench | NXP Semiconductors |
| 268803 | BSS138PS | 60 V, 320 mA double canal N MOSFET Trench | NXP Semiconductors |
| 268804 | BSS138PW | 60 V, 360 mA à canal N MOSFET Trench | NXP Semiconductors |
| 268805 | BSS138TA | FET 50V N-CANAL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS EN SOT23 | Diodes |
| 268806 | BSS138W | TRANSISTORS MOSFET | Diodes |
| 268807 | BSS138W | Transistors MOSFET De Basse Tension - SOT323, 60V, 3.Öhm, 0.2Å | Infineon |
| 268808 | BSS138W | 50V N-Channel Effet de niveau logique de mode de perfectionnement de terrain Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 268809 | BSS138W-7 | TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP de MODE de PERFECTIONNEMENT De N-canal | Diodes |
| 268810 | BSS138W-7-F | N-CANAL ENHANCEMENT MODE MOSFET | Diodes |
| 268811 | BSS139 | Transistors MOSFET De Basse Tension - Transistor MOSFET D'Épuisement, 250V, Sot-23, RDSon = 30Ohm, 30mA, LL | Infineon |
| 268812 | BSS139 | Transistor small-Signal de SIPMOS (résistance dynamique élevée de mode d'épuisement de canal de N) | Siemens |
| 268813 | BSS139E6548 | Transistor De Petit-Signal Du N-Canal SIPMOS | Infineon |
| 268814 | BSS139E7659 | Transistor De Petit-Signal Du N-Canal SIPMOS | Infineon |
| 268815 | BSS139E7941 | Transistor De Petit-Signal Du N-Canal SIPMOS | Infineon |
| 268816 | BSS145 | Transistor small-Signal de SIPMOS (mode de perfectionnement de canal de N) | Siemens |
| 268817 | BSS145E6327 | Transistor De Petit-Signal Du N-Canal SIPMOS | Infineon |
| 268818 | BSS145E6913 | Transistor De Petit-Signal Du N-Canal SIPMOS | Infineon |
| 268819 | BSS145E7652 | Transistor De Petit-Signal Du N-Canal SIPMOS | Infineon |
| 268820 | BSS149 | Transistor De Petit-Signal Du N-Canal SIPMOS | Infineon |
| 268821 | BSS149 | Transistor small-Signal de SIPMOS (résistance dynamique élevée de mode d'épuisement de canal de N) | Siemens |
| 268822 | BSS149E6325 | Transistor De Petit-Signal Du N-Canal SIPMOS | Infineon |
| 268823 | BSS149E6906 | Transistor De Petit-Signal Du N-Canal SIPMOS | Infineon |
| 268824 | BSS159 | Transistor small-Signal de SIPMOS (résistance dynamique élevée de mode d'épuisement de canal de N) | Siemens |
| 268825 | BSS159N | Transistors MOSFET De Basse Tension - Transistor MOSFET D'Épuisement, 60V, SOT-23, RDSon = 8Ohm, 0.1Á, NL | Infineon |
| 268826 | BSS169 | Transistors MOSFET De Basse Tension - Transistor MOSFET D'Épuisement, 100V, Sot-23, RDSon = 1Òhm, 0.09A, NL | Infineon |
| 268827 | BSS169 | Transistor small-Signal de SIPMOS (résistance dynamique élevée de mode d'épuisement de canal de N) | Siemens |
| 268828 | BSS171 | Transistor à haute tension | Motorola |
| 268829 | BSS192 | transistor D-MOS vertical de mode de perfectionnement de P-canal | Philips |
| 268830 | BSS192 | Transistor Small-Signal Du P-Canal SIPMOS | Infineon |
| 268831 | BSS192 | Transistor small-Signal de SIPMOS (niveau de logique de mode de perfectionnement de canal de P) | Siemens |
| 268832 | BSS192 | vertical D-MOS FET de niveau intermédiaire à canal P | NXP Semiconductors |
| 268833 | BSS192P | Transistors MOSFET De Basse Tension - Petit Transistor MOSFET De Signal, -250V, Sot-89, RDSon = 12 | Infineon |
| 268834 | BSS209PW | Transistors MOSFET De Basse Tension - Transistor MOSFET D'OptiMOS, -20V, Sot-323 | Infineon |
| 268835 | BSS223PW | Transistors MOSFET De Basse Tension - Transistor MOSFET D'OptiMOS, -20V, Sot-323 | Infineon |
| 268836 | BSS229 | Transistor De Petit-Signal Du N-Canal SIPMOS | Infineon |
| 268837 | BSS229 | Transistor small-Signal de SIPMOS (résistance dynamique élevée de mode d'épuisement de canal de N) | Siemens |
| 268838 | BSS229E6296 | Transistor De Petit-Signal Du N-Canal SIPMOS | Infineon |
| 268839 | BSS229E7941EG1 | Transistor De Petit-Signal Du N-Canal SIPMOS | Infineon |
| 268840 | BSS229H | Transistor De Petit-Signal Du N-Canal SIPMOS | Infineon |
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