| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 272401 | BU4066BC | Commutateur d'analogue de quadruple | ROHM |
| 272402 | BU4066BC/BCF/BCFV | > Standard De LSIs De Logique; Série de la logique BU4000B de CMOS | ROHM |
| 272403 | BU4066BCF | Commutateur d'analogue de quadruple | ROHM |
| 272404 | BU4066BCFV | Commutateur d'analogue de quadruple | ROHM |
| 272405 | BU4069UB | Inverseur de sortilège | ROHM |
| 272406 | BU4069UB/UBF/UBFV | > Standard De LSIs De Logique; Série de la logique BU4000B de CMOS | ROHM |
| 272407 | BU4069UBF | Inverseur de sortilège | ROHM |
| 272408 | BU4069UBFV | Inverseur de sortilège | ROHM |
| 272409 | BU406D | PUISSANCE TRANSISTORS(7a, 150-200v, 60w) | MOSPEC Semiconductor |
| 272410 | BU406D | TRANSISTOR DE PUISSANCE DE NPN | Boca Semiconductor Corporation |
| 272411 | BU406D | UTILISATION ÉPITAXIALE DE COMMUTATION DE TENSION DU SILICIUM TRANSISTOR(high DE NPN À L'CÉtape HORIZONTALE DE RENDEMENT DE DÉBATTEMENT) | Wing Shing Computer Components |
| 272412 | BU406D | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 272413 | BU406D | NPN, le transistor de déviation horizontale. Pour les étages de sortie de déviation horizontale de TV et CRT. VCEO = 200VDC, VCBO = 400VDC, Vcev = 400VDC, Veb = 6V, Ic = 7Adc, PD = 60W. | USHA India LTD |
| 272414 | BU406H | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 272415 | BU406H | 400 V, A 7, le transistor NPN épitaxiale de silicium | Samsung Electronic |
| 272416 | BU406H | Épitaxiale transistor NPN de silicium. Commutation à haute tension pour l'étage de sortie de déviation horizontale. Collecteur-base tension 400V. Tension collecteur-émetteur 200V. Tension émetteur-base 6V. | Wing Shing Computer Components |
| 272417 | BU406TU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 272418 | BU407 | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 272419 | BU407 | HAUT TRANSISTOR DE SILICIUM DU COURANT NPN | ST Microelectronics |
| 272420 | BU407 | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPN | Power Innovations |
| 272421 | BU407 | PUISSANCE TRANSISTORS(7a, 150-200v, 60w) | MOSPEC Semiconductor |
| 272422 | BU407 | TRANSISTOR DE PUISSANCE DE NPN | Boca Semiconductor Corporation |
| 272423 | BU407 | DESCRIPTION ÉPITAXIALE DU SILICIUM PLANNAR TRANSISTOR(general) | Wing Shing Computer Components |
| 272424 | BU407 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 272425 | BU407 | Puissance 7A 150V DEF NPN | ON Semiconductor |
| 272426 | BU407 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN | Samsung Electronic |
| 272427 | BU407 | 60.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 150V VCEO, 7.000A Ic, hFE. | Continental Device India Limited |
| 272428 | BU407 | Transistor de puissance NPN | Motorola |
| 272429 | BU407 | COURANT transistor à haute NPN SILICON | SGS Thomson Microelectronics |
| 272430 | BU407 | 330 V, 7 A, 60 W, le transistor NPN de puissance de silicium | Texas Instruments |
| 272431 | BU407 | NPN, le transistor de déviation horizontale pour les étages de sortie de déviation horizontale de télévision et SRT. VCEO = 150VDC, VCBO = 330Vdc, Vcev = 330Vdc, Veb = 6V, Ic = 7Adc, PD = 60W. | USHA India LTD |
| 272432 | BU4070B | Exclusivité OU porte de quadruple | ROHM |
| 272433 | BU4070B/BF | > Standard De LSIs De Logique; Série de la logique BU4000B de CMOS | ROHM |
| 272434 | BU4070BF | Exclusivité OU porte de quadruple | ROHM |
| 272435 | BU407D | PUISSANCE TRANSISTORS(7a, 150-200v, 60w) | MOSPEC Semiconductor |
| 272436 | BU407D | TRANSISTOR DE PUISSANCE DE NPN | Boca Semiconductor Corporation |
| 272437 | BU407D | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 272438 | BU407H | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 272439 | BU407H | PUISSANCE TRANSISTORS(7a, 150-200v, 60w) | MOSPEC Semiconductor |
| 272440 | BU407H | 330 V, A 7, le transistor NPN épitaxiale de silicium | Samsung Electronic |
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