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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
274961BUX98COMMUTATION RAPIDE À HAUTE TENSIONSemeLAB
274962BUX98ATRANSISTORS DE SILICIUM DE LA PUISSANCE ÉLEVÉE NPNST Microelectronics
274963BUX98ATRANSISTORS DE SILICIUM DE LA PUISSANCE ÉLEVÉE NPNSGS Thomson Microelectronics
274964BUX98ACOMMUTATION RAPIDE À HAUTE TENSIONSemeLAB
274965BUX98APTRANSISTOR DE SILICIUM DE LA PUISSANCE ÉLEVÉE NPNSGS Thomson Microelectronics
274966BUX98APWTRANSISTOR DE PUISSANCE À HAUTE TENSION DE NPNST Microelectronics
274967BUX98APWTRANSISTOR DE PUISSANCE À HAUTE TENSION DE NPNSGS Thomson Microelectronics
274968BUX98CTRANSISTOR DE SILICIUM DE LA PUISSANCE ÉLEVÉE NPNST Microelectronics
274969BUX98CTRANSISTOR DE SILICIUM DE LA PUISSANCE ÉLEVÉE NPNSGS Thomson Microelectronics
274970BUXD87TRANSISTOR DE PUISSANCE À HAUTE TENSION DE SILICIUMST Microelectronics
274971BUXD87TRANSISTOR DE PUISSANCE À HAUTE TENSION DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
274972BUXD87DPAKTRANSISTOR DE PUISSANCE À HAUTE TENSION DE NPNST Microelectronics
274973BUXD87DPAKTRANSISTOR DE PUISSANCE À HAUTE TENSION DE NPNST Microelectronics
274974BUXD87IPAKTRANSISTOR DE PUISSANCE À HAUTE TENSION DE NPNST Microelectronics
274975BUXD87IPAKTRANSISTOR DE PUISSANCE À HAUTE TENSION DE NPNST Microelectronics
274976BUXD87TTRANSISTOR DE PUISSANCE À HAUTE TENSION DE NPNST Microelectronics
274977BUXD87T4TRANSISTOR DE PUISSANCE À HAUTE TENSION DE SILICIUMST Microelectronics
274978BUY11Dispositif Bipolaire de NPNSemeLAB
274979BUY11Dispositif Bipolaire de NPNSemeLAB



274980BUY18SDispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3SemeLAB
274981BUY20Dispositif Bipolaire de NPNSemeLAB
274982BUY20Dispositif Bipolaire de NPNSemeLAB
274983BUY24TRANSISTOR ÉPITAXIAL PLANAIRE DE COMMUTATION DE PUISSANCE DU SILICIUM NPNSemeLAB
274984BUY29Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO18SemeLAB
274985BUY29Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO18SemeLAB
274986BUY47HAUTE TENSION, HAUT TRANSISTOR PLANAIRE COURANT DU SILICIUM EXPITAXIAL NPNSemeLAB
274987BUY47Petit Usage universel Plombé De Transistor De SignalCentral Semiconductor
274988BUY48HAUTE TENSION, HAUT TRANSISTOR PLANAIRE COURANT DU SILICIUM EXPITAXIAL NPNSemeLAB
274989BUY48Petit Usage universel Plombé De Transistor De SignalCentral Semiconductor
274990BUY49STRANSISTOR DU SILICIUM NPNST Microelectronics
274991BUY49STRANSISTOR DU SILICIUM NPNSGS Thomson Microelectronics
274992BUY49STRANSISTOR PLANAIRE COURANT MOYEN À HAUTE TENSION DU SILICIUM EXPITAXIAL NPNSemeLAB
274993BUY49SPetit Usage universel Plombé De Transistor De SignalCentral Semiconductor
274994BUY50Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3SemeLAB
274995BUY57Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3SemeLAB
274996BUY68Petit Usage universel Plombé De Transistor De SignalCentral Semiconductor
274997BUY69ATRANSISTOR À HAUTE TENSION DE SILICIUM DE NPNST Microelectronics
274998BUY69ATRANSISTOR À HAUTE TENSION DE SILICIUM DE NPNSGS Thomson Microelectronics
274999BUY69APUISSANCE TRANSISTORS(10a, 200-400v, 100w)MOSPEC Semiconductor
275000BUY69BPUISSANCE TRANSISTORS(10a, 200-400v, 100w)MOSPEC Semiconductor
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