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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
311121CF5760FCIC Analogue D'Horloge de CMOSNippon Precision Circuits Inc
311122CF5760HAIC Analogue D'Horloge de CMOSNippon Precision Circuits Inc
311123CF5760JAIC Analogue D'Horloge de CMOSNippon Precision Circuits Inc
311124CF739FET de GaAs (FET à double portail de N-canal GaAs MES)Siemens
311125CF745Série De 8 bits De Microcontrôleur D'EPROM/ROM-Based CMOSMicrochip
311126CF750GaAs MMIC (FET Duel Décentré De Porte GaAs)Siemens
311127CF8140AIC De Conducteur de ELNippon Precision Circuits Inc
311128CF8141AConducteur De Feuille de ELNippon Precision Circuits Inc
311129CF8141BConducteur De Feuille de ELNippon Precision Circuits Inc
311130CF8223ADécodeur de FSK et IC de récepteur de DTMFNippon Precision Circuits Inc
311131CFA010119 dBm, 12 GHz, le but général GaAs FETCELERITEK
311132CFA0103FETS de LOW-NOISE GaAsCELERITEK
311133CFA0207Résistances De Film De Carbone, StandardVishay
311134CFA101225.000W moyenne puissance PNP Transistor plastique plomb. 50V VCEO, 5.000A Ic, 70-240 hFE. Complémentaire CFC2562Continental Device India Limited
311135CFA1012O25.000W moyenne puissance PNP Transistor plastique plomb. 50V VCEO, 5.000A Ic, 70-140 hFE. CFC2562O complémentaireContinental Device India Limited
311136CFA1012Y25.000W moyenne puissance PNP Transistor plastique plomb. 50V VCEO, 5.000A Ic, 120-240 hFE. CFC2562Y complémentaireContinental Device India Limited
311137CFA10462.000W Puissance PNP Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 3.000A Ic, 100 - 300 • hFE. Complémentaire CFC2026Continental Device India Limited
311138CFA1046GR2.000W Puissance PNP Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 3.000A Ic, 150-300 hFE. CFC2026GR complémentaireContinental Device India Limited
311139CFA1046Y2.000W Puissance PNP Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 3.000A Ic, 100 - 200 hFE. CFC2026Y complémentaireContinental Device India Limited



311140CFA130150.000W puissance PNP Transistor plastique plomb. 160V VCEO, 12.000A Ic, 55-200 hFE. Complémentaire CFC3280Continental Device India Limited
311141CFA1301O50.000W puissance PNP Transistor plastique plomb. 160V VCEO, 12.000A Ic, 80-200 hFE. CFC3280O complémentaireContinental Device India Limited
311142CFA1301R50.000W puissance PNP Transistor plastique plomb. 160V VCEO, 12.000A Ic, 55-110 hFE. CFC3280R complémentaireContinental Device India Limited
311143CFA153515.000W puissance PNP Transistor plastique plomb. 150V VCEO, 1.000A Ic, 95-220 hFE. Complémentaire CFC3944Continental Device India Limited
311144CFA1535A15.000W puissance PNP Transistor plastique plomb. 180V VCEO, 1.000A Ic, 95-220 hFE. CFC3944A complémentaireContinental Device India Limited
311145CFA1535AQ15.000W puissance PNP Transistor plastique plomb. 180V VCEO, 1.000A Ic, 95-155 hFE. CFC3944AQ complémentaireContinental Device India Limited
311146CFA1535AR15.000W puissance PNP Transistor plastique plomb. 180V VCEO, 1.000A Ic, 130-220 hFE. CFC3944AR complémentaireContinental Device India Limited
311147CFA1535Q15.000W puissance PNP Transistor plastique plomb. 150V VCEO, 1.000A Ic, 95-155 hFE. CFC3944Q complémentaireContinental Device India Limited
311148CFA1535R15.000W puissance PNP Transistor plastique plomb. 150V VCEO, 1.000A Ic, 130-220 hFE. CFC3944R complémentaireContinental Device India Limited
311149CFB0101FETS TOUT USAGE DE GAASCELERITEK
311150CFB01030,7 dB, 12 GHz, à faible bruit GaAs FETCELERITEK
311151CFB03010,6 dB, une plage dynamique élevée GaAs FET à faible bruitCELERITEK
311152CFB0303Haut FET Du Bas-Bruit GaAs De Gamme DynamiqueCELERITEK
311153CFB10632.000W Puissance PNP Transistor plastique plomb. 100V VCEO, 5.000A Ic, 60-200 hFE. CFD1499 complémentaireContinental Device India Limited
311154CFB1063P2.000W Puissance PNP Transistor plastique plomb. 100V VCEO, 5.000A Ic, 100 - 200 hFE. CFD1499P complémentaireContinental Device India Limited
311155CFB1063Q2.000W Puissance PNP Transistor plastique plomb. 100V VCEO, 5.000A Ic, 60-120 hFE. CFD1499Q complémentaireContinental Device India Limited
311156CFB134260.000W moyenne puissance PNP Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 4.000A Ic, 500 hFE.Continental Device India Limited
311157CFB1370Transistor De Puissance Épitaxial De Silicium de PNPContinental Device India Limited
311158CFB15482.000W Puissance PNP Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 3.000A Ic, 70-250 hFE. CFD2374 complémentaireContinental Device India Limited
311159CFB1548A2.000W Puissance PNP Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 3.000A Ic, 70-250 hFE. CFD2374A complémentaireContinental Device India Limited
311160CFB1548AP2.000W Puissance PNP Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 3.000A Ic, 120-250 hFE. CFD2374AP complémentaireContinental Device India Limited
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