| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 31481 | 1N759AUR-1 | Zener régulateur de tension Diode | Microsemi |
| 31482 | 1N759A_T50A | 12V, Diode Zener 0.5W | Fairchild Semiconductor |
| 31483 | 1N759A_T50R | 12V, Diode Zener 0.5W | Fairchild Semiconductor |
| 31484 | 1N759B | 12 V, 20 mA, la diode zener | Leshan Radio Company |
| 31485 | 1N759C | 500 mW, la diode Zener de silicium. tension Zener 12 V. Courant d'essai de 20 mA. + -2% De tolérance. | Jinan Gude Electronic Device |
| 31486 | 1N759C | 12 V, 20 mA, la diode zener | Leshan Radio Company |
| 31487 | 1N759D | 500 mW, la diode Zener de silicium. tension Zener 12,0 V. Courant d'essai de 20 mA. + -1% De tolérance. | Jinan Gude Electronic Device |
| 31488 | 1N759D | 12 V, 20 mA, la diode zener | Leshan Radio Company |
| 31489 | 1N770 | 20 V, 500 mA, diode germanium or collé | BKC International Electronics |
| 31490 | 1N771 | 80 V, 500 mA, diode germanium or collé | BKC International Electronics |
| 31491 | 1N771A | 80 V, 500 mA, diode germanium or collé | BKC International Electronics |
| 31492 | 1N771B | 80 V, 500 mA, diode germanium or collé | BKC International Electronics |
| 31493 | 1N772 | 80 V, 500 mA, diode germanium or collé | BKC International Electronics |
| 31494 | 1N772A | 70 V, 500 mA, diode germanium or collé | BKC International Electronics |
| 31495 | 1N773 | 65 V, 500 mA, diode germanium or collé | BKC International Electronics |
| 31496 | 1N773A | 65 V, 500 mA, diode germanium or collé | BKC International Electronics |
| 31497 | 1N774 | 60 V, 500 mA, diode germanium or collé | BKC International Electronics |
| 31498 | 1N774A | 60 V, 500 mA, diode germanium or collé | BKC International Electronics |
| 31499 | 1N775 | 60 V, 500 mA, diode germanium or collé | BKC International Electronics |
| 31500 | 1N776 | 20 V, 500 mA, diode germanium or collé | BKC International Electronics |
| 31501 | 1N777 | 60 V, 500 mA, diode germanium or collé | BKC International Electronics |
| 31502 | 1N781 | 40 V, 500 mA, diode germanium or collé | BKC International Electronics |
| 31503 | 1N781A | 40 V, 500 mA, diode germanium or collé | BKC International Electronics |
| 31504 | 1N805 | 40 V, 500 mA, diode germanium or collé | BKC International Electronics |
| 31505 | 1N816 | Diode Zener Plombée Stabistor | Central Semiconductor |
| 31506 | 1N821 | Tension Zener De la Référence 0TC | Microsemi |
| 31507 | 1N821 | Tension Zener De la Référence 0TC | Microsemi |
| 31508 | 1N821 | DIODES DE RÉFÉRENCE DE ZENER COMPENSÉES PAR TEMPÉRATURE | Compensated Devices Incorporated |
| 31509 | 1N821 | Diodes de référence de tension | Philips |
| 31510 | 1N821 | DIODES de RÉFÉRENCE du SILICIUM ZENER de TEMPERATURECOMPENSATED 6,2 V, 400 mW | Motorola |
| 31511 | 1N821 (DO35) | Tension Zener De la Référence 0TC | Microsemi |
| 31512 | 1N821-1 | DIODES DE RÉFÉRENCE COMPENSÉES PAR TEMPÉRATURE DE 6,2 ET 6,55 VOLTS ZENER | Microsemi |
| 31513 | 1N821A | Tension Zener De la Référence 0TC | Microsemi |
| 31514 | 1N821A | Tension Zener De la Référence 0TC | Microsemi |
| 31515 | 1N821A | DIODES DE RÉFÉRENCE DE ZENER COMPENSÉES PAR TEMPÉRATURE | Compensated Devices Incorporated |
| 31516 | 1N821A | Diodes de référence de tension | Philips |
| 31517 | 1N821A | DIODES de RÉFÉRENCE du SILICIUM ZENER de TEMPERATURECOMPENSATED 6,2 V, 400 mW | Motorola |
| 31518 | 1N821A | La Température Plombée De Diode Zener Compensée | Central Semiconductor |
| 31519 | 1N821A (DO35) | Tension Zener De la Référence 0TC | Microsemi |
| 31520 | 1N821AUR | Tension Zener De la Référence 0TC | Microsemi |
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