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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
315801CM1829-1429Schéma de circuit de CarteSamsung Electronic
315802CM1901-7RConvertisseurs De C.c-C.c De 50 WattsPower-One
315803CM20-12ATRANSISTOR DE PUISSANCE DU SILICIUM RF DE NPNAdvanced Semiconductor
315804CM2006Port VGA Circuit d'accompagnement pour MoniteursON Semiconductor
315805CM2009Circuit Gauche De Compagnon de VGACalifornia Micro Devices Corp
315806CM2009Port VGA Companion CircuitON Semiconductor
315807CM2009-00QRCircuit Gauche De Compagnon de VGACalifornia Micro Devices Corp
315808CM2009-00QSCircuit Gauche De Compagnon de VGACalifornia Micro Devices Corp
315809CM2009-01QRCircuit Gauche De Compagnon de VGACalifornia Micro Devices Corp
315810CM2009-01QSCircuit Gauche De Compagnon de VGACalifornia Micro Devices Corp
315811CM2009-02QRCircuit Gauche De Compagnon de VGACalifornia Micro Devices Corp
315812CM2009-02QSCircuit Gauche De Compagnon de VGACalifornia Micro Devices Corp
315813CM200DU-12FModules d'cIgbt: 600VMitsubishi Electric Corporation
315814CM200DU-12FConception IGBTMOD¢â Duel De Porte De Fossé 200 Volts Amperes/600Powerex Power Semiconductors
315815CM200DU-12HModules d'cIgbt: 600VMitsubishi Electric Corporation
315816CM200DU-12HTYPE ISOLÉ PAR UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE DE MODULES D'CIgbtMitsubishi Electric Corporation
315817CM200DU-12HVolts Amperes/600 Duels d'cIgbtmod 200Powerex Power Semiconductors
315818CM200DU-12NFHUTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉEMitsubishi Electric Corporation
315819CM200DU-24FIGBT Modules:1200VMitsubishi Electric Corporation



315820CM200DU-24FUTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE DE MODULES DE MITSUBISHI IGBTMitsubishi Electric Corporation
315821CM200DU-24FConception IGBTMOD¢â Duel De Porte De Fossé 200 Volts Amperes/1200Powerex Power Semiconductors
315822CM200DU-24HIGBT Modules:1200VMitsubishi Electric Corporation
315823CM200DU-24HTYPE ISOLÉ PAR UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE DE MODULES D'CIgbtMitsubishi Electric Corporation
315824CM200DU-24HVolts Amperes/1200 Duels d'cIgbtmod 200Powerex Power Semiconductors
315825CM200DU-24NFHUTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉEMitsubishi Electric Corporation
315826CM200DU-34KAIGBT Modules:1700VMitsubishi Electric Corporation
315827CM200DU-34KAVolts Amperes/1700 Duels Du Module 200 De Ka-Série d'cIgbtmodPowerex Power Semiconductors
315828CM200DY-12HModules d'cIgbt: 600VMitsubishi Electric Corporation
315829CM200DY-12HMODULES DU TYPE ISOLÉS PAR UTILISATION IGBT DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉEMitsubishi Electric Corporation
315830CM200DY-12HVolts Amperes/600 Duels d'cIgbtmod 200Powerex Power Semiconductors
315831CM200DY-12NFUTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉEMitsubishi Electric Corporation
315832CM200DY-24AUTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉEMitsubishi Electric Corporation
315833CM200DY-24HIGBT Modules:1200VMitsubishi Electric Corporation
315834CM200DY-24HTYPE ISOLÉ PAR UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE DE MODULES DE MITSUBISHI IGBTMitsubishi Electric Corporation
315835CM200DY-24HVolts Amperes/1200 Duels d'cIgbtmod 200Powerex Power Semiconductors
315836CM200DY-24NFMODULES DE MITSUBISHI IGBTMitsubishi Electric Corporation
315837CM200DY-28HIGBT Modules:1400VMitsubishi Electric Corporation
315838CM200DY-28HTYPE ISOLÉ PAR UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE DE MODULES DE MITSUBISHI IGBTMitsubishi Electric Corporation
315839CM200DY-28HVolts Amperes/1400 Duels d'cIgbtmod 200Powerex Power Semiconductors
315840CM200E3U-12HModules d'cIgbt: 600VMitsubishi Electric Corporation
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