| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 31681 | 1N914A | Petite Diode De Signal | Fairchild Semiconductor |
| 31682 | 1N914A | Données De Diode | National Semiconductor |
| 31683 | 1N914A | 75 V, 500 mW de diode de commutation ultra rapide de conductance élevée | BKC International Electronics |
| 31684 | 1N914A | 100V ultra redresseur de récupération rapide | MCC |
| 31685 | 1N914A | Silicon épitaxiale de type planar diode. | Panasonic |
| 31686 | 1N914A | Diode de commutation FAST | Diodes |
| 31687 | 1N914ATR | La Conductibilité Élevée Jeûnent Diode | Fairchild Semiconductor |
| 31688 | 1N914A_T50R | La Conductibilité Élevée Jeûnent Diode | Fairchild Semiconductor |
| 31689 | 1N914B | Haute diode de vitesse | Philips |
| 31690 | 1N914B | Petite Diode De Signal | Fairchild Semiconductor |
| 31691 | 1N914B | DIODE DE SIGNAL | Rectron Semiconductor |
| 31692 | 1N914B | Commutation Plombée De Diode De Silicium | Central Semiconductor |
| 31693 | 1N914B | Données De Diode | National Semiconductor |
| 31694 | 1N914B | Diode de commutation | ROHM |
| 31695 | 1N914B | 75 V, 500 mW de diode de commutation ultra rapide de conductance élevée | BKC International Electronics |
| 31696 | 1N914B | 500 mW Axial diode de commutation, 20.0V Vr, 0.030uA Ir, 1.00V Vf @ 100mA Si | Continental Device India Limited |
| 31697 | 1N914B | 100V ultra redresseur de récupération rapide | MCC |
| 31698 | 1N914B | Silicon épitaxiale de type planar diode. | Panasonic |
| 31699 | 1N914B | Diode de commutation FAST | Diodes |
| 31700 | 1N914BTR | La Conductibilité Élevée Jeûnent Diode | Fairchild Semiconductor |
| 31701 | 1N914BWS | Petit Diode Signal | Fairchild Semiconductor |
| 31702 | 1N914BWT | Petit Diode Signal | Fairchild Semiconductor |
| 31703 | 1N914B_S62Z | La Conductibilité Élevée Jeûnent Diode | Fairchild Semiconductor |
| 31704 | 1N914B_T50A | La Conductibilité Élevée Jeûnent Diode | Fairchild Semiconductor |
| 31705 | 1N914B_T50R | La Conductibilité Élevée Jeûnent Diode | Fairchild Semiconductor |
| 31706 | 1N914THRU1N4454 | PETITE DIODE DE COMMUTATION DE SIGNAL | Shanghai Sunrise Electronics |
| 31707 | 1N914TR | La Conductibilité Élevée Jeûnent Diode | Fairchild Semiconductor |
| 31708 | 1N914UR | DIODE DE COMMUTATION | Compensated Devices Incorporated |
| 31709 | 1N914UR | SPÉCIFICATIONS D'CExécution | Microsemi |
| 31710 | 1N914UR-1 | Mini-melf-smd Diode De Swithching De Silicium | Microsemi |
| 31711 | 1N914_Q | La Conductibilité Élevée Jeûnent Diode | Fairchild Semiconductor |
| 31712 | 1N914_T50A | La Conductibilité Élevée Jeûnent Diode | Fairchild Semiconductor |
| 31713 | 1N914_T50R | La Conductibilité Élevée Jeûnent Diode | Fairchild Semiconductor |
| 31714 | 1N916 | Petite Diode De Signal | Fairchild Semiconductor |
| 31715 | 1N916 | Données De Diode | National Semiconductor |
| 31716 | 1N916 | Silicon épitaxiale de type planar diode. | Panasonic |
| 31717 | 1N916A | Petite Diode De Signal | Fairchild Semiconductor |
| 31718 | 1N916A | Données De Diode | National Semiconductor |
| 31719 | 1N916A | 75 V, 500 mW de diode de commutation ultra rapide de conductance élevée | BKC International Electronics |
| 31720 | 1N916A | Silicon épitaxiale de type planar diode. | Panasonic |
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