| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 327361 | CQY80NX | RENDEMENT OPTIQUEMENT COUPLÉ DE PHOTOTRANSISTOR D'ISOLANT | ISOCOM |
| 327362 | CQY80X | RENDEMENT OPTIQUEMENT COUPLÉ DE PHOTOTRANSISTOR D'ISOLANT | ISOCOM |
| 327363 | CQYP15 | Elektroluminescencyjna de Dioda (podczerwone de promieniowanie) | Ultra CEMI |
| 327364 | CQYP16 | Elektroluminescencyjna de Dioda (podczerwone de promieniowanie) | Ultra CEMI |
| 327365 | CQYP17 | Elektroluminescencyjna de Dioda (podczerwone de promieniowanie) | Ultra CEMI |
| 327366 | CQYP17 | Elektroluminescencyjna de Dioda | Ultra CEMI |
| 327367 | CQYP18 | Elektroluminescencyjna de Dioda | Ultra CEMI |
| 327368 | CQYP19 | Elektroluminescencyjna de Dioda | Ultra CEMI |
| 327369 | CQYP19 | Elektroluminescencyjna de Dioda (podczerwone de promieniowanie) | Ultra CEMI |
| 327370 | CQYP20 | Elektroluminescencyjna de Dioda (podczerwone de promieniowanie) | Ultra CEMI |
| 327371 | CQYP23 | Elektroluminescencyjna de Dioda (podczerwone de promieniowanie) | Ultra CEMI |
| 327372 | CQYP31 | Elektroluminescencyjna de Dioda | Ultra CEMI |
| 327373 | CQYP32 | Elektroluminescencyjna de Dioda (widzialne de promieniowanie) | Ultra CEMI |
| 327374 | CQYP32A | ELEMENTY OPTOELEKTRONICZNE | etc |
| 327375 | CQYP32B | ELEMENTY OPTOELEKTRONICZNE | etc |
| 327376 | CQYP33 | Elektroluminescencyjna de Dioda (widzialne de promieniowanie) | Ultra CEMI |
| 327377 | CQYP33A | ELEMENTY OPTOELEKTRONICZNE | etc |
| 327378 | CQYP33B | ELEMENTY OPTOELEKTRONICZNE | etc |
| 327379 | CQYP40 | Elektroluminescencyjna de Dioda (widzialne de promieniowanie) | Ultra CEMI |
| 327380 | CQYP40A | ELEMENTY OPTOELEKTRONICZNE | etc |
| 327381 | CQYP40B | ELEMENTY OPTOELEKTRONICZNE | etc |
| 327382 | CQYP52 | O¶wietlacz elektroluminescencyjny | Ultra CEMI |
| 327383 | CQYP54 | O¶wietlacz elektroluminescencyjny | Ultra CEMI |
| 327384 | CQYP57 | Elektroluminescencyjna de Dioda (podczerwone de promieniowanie) | Ultra CEMI |
| 327385 | CQYP74 | Wska¼nik siedmiosegmentowy | Ultra CEMI |
| 327386 | CQYP75 | Wska¼nik siedmiosegmentowy | Ultra CEMI |
| 327387 | CQYP95 | Wska¼nik dziewiêciocyfrowy | Ultra CEMI |
| 327388 | CR | Morceau, écoulement Solderable, tailles faites sur commande disponibles, données de brûlure disponibles, possibilités de placement, arrêts de dessus et de bouclage, bande automatique et empaquetage de bobine disponible, tailles internation | Vishay |
| 327389 | CR | La chaîne de CR des protecteurs sont basées sur la technologie prouvée du produit du thyristor T10 | Littelfuse |
| 327390 | CR-200 | Amplificateur de formation gaussien | etc |
| 327391 | CR-200-100NS | Amplificateur de formation gaussien | etc |
| 327392 | CR-200-1US | Amplificateur de formation gaussien | etc |
| 327393 | CR-200-250NS | Amplificateur de formation gaussien | etc |
| 327394 | CR-200-4US | Amplificateur de formation gaussien | etc |
| 327395 | CR-F33P | CONVERTISSEUR SURVOLTEUR DE PFM DC/DC | etc |
| 327396 | CR-F33T | CONVERTISSEUR SURVOLTEUR DE PFM DC/DC | etc |
| 327397 | CR02 | TYPE PLANAIRE DE PASSIVATION DE BASSE UTILISATION DE PUISSANCE | Mitsubishi Electric Corporation |
| 327398 | CR02 | Monter/Phase Commande Thyristor 0,3 Amperes/400 Volt | Powerex Power Semiconductors |
| 327399 | CR02AM | TYPE PLANAIRE DE PASSIVATION DE BASSE UTILISATION DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (THYRISTOR) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 327400 | CR02AM | Mener-Montez, Mettez Volts En phase Amperes/400 du Thyristor 0,3 De Commande | Powerex Power Semiconductors |
| | | |
