| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 331841 | CSD20060D | REDRESSEUR ZÉRO DE RÉTABLISSEMENT | etc |
| 331842 | CSD20060D | REDRESSEUR ZÉRO DE RÉTABLISSEMENT | etc |
| 331843 | CSD20060D | 600V; 20A; zéro redresseur de récupération. Pour les livraisons à découpage de puissance, la correction du facteur de puissance, de contrôle du moteur, amortisseurs | CREE POWER |
| 331844 | CSD20120 | REDRESSEUR | etc |
| 331845 | CSD20120 | REDRESSEUR | etc |
| 331846 | CSD20120D | REDRESSEUR | etc |
| 331847 | CSD20120D | REDRESSEUR | etc |
| 331848 | CSD22202W15 | P-Canal NexFET ™ MOSFET de puissance | Texas Instruments |
| 331849 | CSD23381F4 | 12V, P-Canal FemtoFET ??™ MOSFET | Texas Instruments |
| 331850 | CSD2470 | 0.400W usage général NPN Transistor plastique plomb. 10V VCEO, 5.000A Ic, 270-820 hFE | Continental Device India Limited |
| 331851 | CSD25211W1015 | P-Canal NexFET ™ MOSFET de puissance | Texas Instruments |
| 331852 | CSD25213W10 | P-Canal NexFET ™ MOSFET de puissance | Texas Instruments |
| 331853 | CSD25302Q2 | P-Canal NexFET ™ MOSFET de puissance | Texas Instruments |
| 331854 | CSD25303W1015 | P-Canal NexFET MOSFET de puissance | Texas Instruments |
| 331855 | CSD25402Q3A | P-Canal NexFET MOSFET de puissance | Texas Instruments |
| 331856 | CSD25481F4 | 20V, P-Canal FemtoFET ??™ MOSFET | Texas Instruments |
| 331857 | CSD25483F4 | 20V, P-Canal FemtoFET ??™ MOSFET | Texas Instruments |
| 331858 | CSD288 | 25.000W basse fréquence NPN Transistor plastique plomb. 55V VCEO, 3.000A Ic, 40-240 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331859 | CSD3080H | Modules Simples De Prisonnier de guerre-R-BLOK¢â de Thyristor 400 Volts Amperes/800 | Powerex Power Semiconductors |
| 331860 | CSD3120H | Modules Simples De Prisonnier de guerre-R-BLOK¢â de Thyristor 400 Volts Amperes/1200-1600 | Powerex Power Semiconductors |
| 331861 | CSD313 | 30.000W basse fréquence NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 3.000A Ic, 40-320 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331862 | CSD313C | 30.000W basse fréquence NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 3.000A Ic, 40 - 80 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331863 | CSD313D | 30.000W basse fréquence NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 3.000A Ic, 60-120 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331864 | CSD313E | 30.000W basse fréquence NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 3.000A Ic, 100 - 200 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331865 | CSD313F | 30.000W basse fréquence NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 3.000A Ic, 160-320 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331866 | CSD3160H | Modules Simples De Prisonnier de guerre-R-BLOK¢â de Thyristor 400 Volts Amperes/1200-1600 | Powerex Power Semiconductors |
| 331867 | CSD362 | 40.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 70V VCEO, 5.000A Ic, 20-140 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331868 | CSD362N | 40.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 70V VCEO, 5.000A Ic, 20-50 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331869 | CSD362O | 40.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 70V VCEO, 5.000A Ic, 70-140 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331870 | CSD362R | 40.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 70V VCEO, 5.000A Ic, 40 - 80 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331871 | CSD363 | 40.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 120V VCEO, 6.000A Ic, 40-240 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331872 | CSD363O | 40.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 120V VCEO, 6.000A Ic, 70-140 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331873 | CSD363R | 40.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 120V VCEO, 6.000A Ic, 40 - 80 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331874 | CSD363Y | 40.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 120V VCEO, 6.000A Ic, 120-240 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331875 | CSD401 | 25.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 150V VCEO, 2.000A Ic, 40-400 hFE. Complémentaire CSB546 | Continental Device India Limited |
| 331876 | CSD401G | 25.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 150V VCEO, 2.000A Ic, 200-400 hFE. CSB546G complémentaire | Continental Device India Limited |
| 331877 | CSD401O | 25.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 150V VCEO, 2.000A Ic, 70-140 hFE. CSB546O complémentaire | Continental Device India Limited |
| 331878 | CSD401R | 25.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 150V VCEO, 2.000A Ic, 40 - 80 hFE. CSB546R complémentaire | Continental Device India Limited |
| 331879 | CSD401Y | 25.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 150V VCEO, 2.000A Ic, 120-240 hFE. CSB546Y complémentaire | Continental Device India Limited |
| 331880 | CSD43301Q5M | NexFET ™ intelligente Redresseur synchrone | Texas Instruments |
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