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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
334201CTD100GK12Modules De Thyristor-Diode, Modules De Diode-Thyristoretc
334202CTD100GK14Modules De Thyristor-Diode, Modules De Diode-Thyristoretc
334203CTD100GK16Modules De Thyristor-Diode, Modules De Diode-Thyristoretc
334204CTD100GK18Modules De Thyristor-Diode, Modules De Diode-Thyristoretc
334205CTD100GK20Modules De Thyristor-Diode, Modules De Diode-Thyristoretc
334206CTD100GK22Modules De Thyristor-Diode, Modules De Diode-Thyristoretc
334207CTES0312V-GTransient Voltage Suppressor (TVS) Array, VC=20V, VPV=16kV, IPP=12AComchip Technology
334208CTES0324V-GTransient Voltage Suppressor (TVS) Array, VC=43V, VPV=16kV, IPP=5AComchip Technology
334209CTES033V3-GTransient Voltage Suppressor (TVS) Array, VC=8V, VPV=16kV, IPP=17AComchip Technology
334210CTES035V0-GTransient Voltage Suppressor (TVS) Array, VC=10V, VPV=16kV, IPP=17AComchip Technology
334211CTL-12SDiode Ultra Rapide De Rétablissementetc
334212CTL-21SDiode Ultra Rapide De Rétablissementetc
334213CTL-22SDiode Ultra Rapide De Rétablissementetc
334214CTL-24LUMIÈRE De C. T.etc
334215CTL-31SDiode Ultra Rapide De Rétablissementetc
334216CTL-32SDiode Ultra Rapide De Rétablissementetc
334217CTL-6-LCTL-6-Letc
334218CTL-6-WLUMIÈRE De C. T.etc
334219CTMle mégohm de 40 x 40 Ta2 N Centre-Tapent sur le silicium <! - - --> DUEL de --><!-- hybrideVishay



334220CTM8B54EMicrocontrôleur De 8 bits EPROM-Basé de CMOSCeramate
334221CTM8B556EBasé EPROM-8-bit CMOS microcontrôleurCeramate
334222CTM8B556ENBasé EPROM-8-bit CMOS microcontrôleurCeramate
334223CTM8B556EPBasé EPROM-8-bit CMOS microcontrôleurCeramate
334224CTM8B55EMicrocontrôleur De 8 bits EPROM-Basé de CMOSCeramate
334225CTM8B56EMicrocontrôleur De 8 bits EPROM-Basé de CMOSCeramate
334226CTM8B57EMicrocontrôleur De 8 bits EPROM-Basé de CMOSCeramate
334227CTN30 x 30 NiCr Centre-Tapent sur le silicium <! - - --> DUEL de --><!-- hybrideVishay
334228CTN3681.000W usage général NPN Transistor plastique plomb. 20V VCEO, 1.000A Ic, 50 HFE -Continental Device India Limited
334229CTN3690.750W usage général PNP Transistor plastique plomb. 20V VCEO, 0,500A Ic, 50 HFE -Continental Device India Limited
334230CTN3910.750W haute tension NPN Transistor plastique plomb. 200V VCEO, 0,500A Ic, 25 hFE.Continental Device India Limited
334231CTN6350.750W usage général NPN Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 1.000A Ic, 25 HFE -Continental Device India Limited
334232CTN6361.000W usage général PNP Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 1.000A Ic, 25 HFE -Continental Device India Limited
334233CTN6370.750W usage général NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 1.000A Ic, 40-160 hFEContinental Device India Limited
334234CTN6380.750W usage général PNP Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 1.000A Ic, 40-160 hFEContinental Device India Limited
334235CTN6390.750W usage général NPN Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 1.000A Ic, 25 HFE -Continental Device India Limited
334236CTN6401.000W usage général PNP Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 1.000A Ic, 25 HFE -Continental Device India Limited
334237CTP-SMA-712MCTP-SMA-712Metc
334238CTQ30 x 30 Ta2 N Centre-Tapent sur le quartz <! - - --> DUEL de --><!-- hybrideVishay
334239CTR30 x 30 Ta2 N Centre-Tapent sur le silicium <! - - --> DUEL de --><!-- hybrideVishay
334240CTR (LOW OHMIC)(bas ohmique) bas robinet de centre d'ohm de 30 x 30 Ta2 N sur le silicium <! - - --> DUEL de --><!-- hybrideVishay
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