| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 33521 | 1PS79SB30 | Diode de barrière de Schottky | Philips |
| 33522 | 1PS79SB30 | Barrière de Schottky diode unique | NXP Semiconductors |
| 33523 | 1PS79SB31 | Diode de barrière de Schottky | Philips |
| 33524 | 1PS79SB31 | Diode à barrière de Schottky | NXP Semiconductors |
| 33525 | 1PS79SB40 | Diode de barrière de Schottky | Philips |
| 33526 | 1PS79SB40 | Diodes Schottky à usage général | NXP Semiconductors |
| 33527 | 1PS79SB62 | Diode de barrière de Schottky | Philips |
| 33528 | 1PS79SB63 | Diode de barrière de Schottky | Philips |
| 33529 | 1PS79SB70 | Diode de barrière de Schottky | Philips |
| 33530 | 1PS79SB70 | Diodes Schottky à usage général | NXP Semiconductors |
| 33531 | 1PS88SB48 | Diodes de barrière de Schottky | Philips |
| 33532 | 1PS88SB48 | Diodes Schottky à usage général | NXP Semiconductors |
| 33533 | 1PS88SB82 | Diode de triple de barrière de Schottky | Philips |
| 33534 | 1PS88SB82 | 15 V, 30 mA faible diodes à barrière de Schottky Cd | NXP Semiconductors |
| 33535 | 1PS89SB14 | Diodes de barrière de Schottky doubles | Philips |
| 33536 | 1PS89SB15 | Diodes de barrière de Schottky doubles | Philips |
| 33537 | 1PS89SB16 | Diodes de barrière de Schottky doubles | Philips |
| 33538 | 1PS89SB74 | Diode de barrière de Schottky double | Philips |
| 33539 | 1PS89SS04 | Doubles diodes de vitesse élevée | Philips |
| 33540 | 1PS89SS05 | Doubles diodes de vitesse élevée | Philips |
| 33541 | 1PS89SS06 | Doubles diodes de vitesse élevée | Philips |
| 33542 | 1Q4B42 | PILE DE REDRESSEUR (PONT REDRESSEUR MONOPHASÉ APLICATIONS) | TOSHIBA |
| 33543 | 1R5BZ41 | Type Diffus Par Silicium De Redresseur | TOSHIBA |
| 33544 | 1R5DL41A | Applications D'Alimentation D'Énergie De Mode De Commutation Du Redresseur De Rendement Élevé (HED) | TOSHIBA |
| 33545 | 1R5DU41 | REDRESSEUR RAPIDE SUPERBE DE RÉTABLISSEMENT (APPLICATIONS D'CAlimentation D'CÉnergie DE TYPE DE COMMUTATION) | TOSHIBA |
| 33546 | 1R5GH45 | APPLICATIONS RAPIDES D'CAlimentation D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE REDRESSEUR DE RÉTABLISSEMENT | TOSHIBA |
| 33547 | 1R5GU41 | DUPER JEÛNENT DES APPLICATIONS D'CAlimentation D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE REDRESSEUR DE RÉTABLISSEMENT | TOSHIBA |
| 33548 | 1R5GZ41 | Type Diffus Par Silicium De Redresseur | TOSHIBA |
| 33549 | 1R5JH45 | APPLICATIONS RAPIDES D'CAlimentation D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE REDRESSEUR DE RÉTABLISSEMENT | TOSHIBA |
| 33550 | 1R5JU41 | REDRESSEUR À GRANDE VITESSE | TOSHIBA |
| 33551 | 1R5JZ41 | Type Diffus Par Silicium De Redresseur | TOSHIBA |
| 33552 | 1R5NH41 | APPLICATIONS RAPIDES D'CAlimentation D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE REDRESSEUR DE RÉTABLISSEMENT | TOSHIBA |
| 33553 | 1R5NH45 | APPLICATIONS RAPIDES D'CAlimentation D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE REDRESSEUR DE RÉTABLISSEMENT | TOSHIBA |
| 33554 | 1R5NU41 | APPLICATIONS RAPIDES SUPERBES D'CAlimentation D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE REDRESSEUR DE RÉTABLISSEMENT | TOSHIBA |
| 33555 | 1R5NZ41 | Type Diffus Par Silicium De Redresseur | TOSHIBA |
| 33556 | 1S10 | BARRIÈRE RECTIFIERS(voltage - 20 à 100 volts de SCHOTTKY de 1 AMPÈRE de COURANT - 1,0 ampères) | Panjit International Inc |
| 33557 | 1S10 | SPECIFICTIONS TECHNIQUE DE REDRESSEUR DE BARRIÈRE DE SCHOTTKY | DC Components |
| 33558 | 1S1553 | DIODES DE COMMUTATION | Leshan Radio Company |
| 33559 | 1S1553 | Silicon épitaxiale de type planar diode. | Panasonic |
| 33560 | 1S1554 | Silicon épitaxiale de type planar diode. | Panasonic |
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