| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 33561 | 1S1555 | DIODES DE COMMUTATION | Leshan Radio Company |
| 33562 | 1S1555 | Silicon épitaxiale de type planar diode. | Panasonic |
| 33563 | 1S1585 | Type Planaire Épitaxial De Silicium | TOSHIBA |
| 33564 | 1S1585 | Silicon épitaxiale de type planar diode. | Panasonic |
| 33565 | 1S1586 | Type Planaire Épitaxial De Silicium | TOSHIBA |
| 33566 | 1S1586 | Silicon épitaxiale de type planar diode. | Panasonic |
| 33567 | 1S1587 | Type Planaire Épitaxial De Silicium | TOSHIBA |
| 33568 | 1S1587 | Silicon épitaxiale de type planar diode. | Panasonic |
| 33569 | 1S1588 | Type Planaire Épitaxial De Silicium | TOSHIBA |
| 33570 | 1S1588 | Silicon épitaxiale de type planar diode. | Panasonic |
| 33571 | 1S1829 | TYPE DIFFUS PAR SILICIUM DE REDRESSEUR | TOSHIBA |
| 33572 | 1S1830 | Type Diffus Par Silicium De Redresseur | TOSHIBA |
| 33573 | 1S1832 | Le silicium de redresseur a répandu des applications à grande vitesse de redresseur de type (rétablissement rapide) | TOSHIBA |
| 33574 | 1S1834 | Le silicium de redresseur a répandu des applications à grande vitesse de redresseur de type (rétablissement rapide) | TOSHIBA |
| 33575 | 1S1835 | Le silicium de redresseur a répandu des applications à grande vitesse de redresseur de type (rétablissement rapide) | TOSHIBA |
| 33576 | 1S1885 | Applications Tout usage De Redresseur De Type Diffuses Par Silicium De Redresseur | TOSHIBA |
| 33577 | 1S1885A | Applications Tout usage De Redresseur De Type Diffuses Par Silicium De Redresseurs | TOSHIBA |
| 33578 | 1S1886 | TYPE DIFFUS PAR SILICIUM DE REDRESSEUR | TOSHIBA |
| 33579 | 1S1886A | REDRESSEUR (APPLICATIONS DE REDRESSEUR DE BUT DE CENERAL) | TOSHIBA |
| 33580 | 1S1887 | Applications Tout usage De Redresseur De Type Diffuses Par Silicium De Redresseur | TOSHIBA |
| 33581 | 1S1887A | Applications Tout usage De Redresseur De Type Diffuses Par Silicium De Redresseurs | TOSHIBA |
| 33582 | 1S1888 | Applications Tout usage De Redresseur De Type Diffuses Par Silicium De Redresseur | TOSHIBA |
| 33583 | 1S1888A | Applications Tout usage De Redresseur De Type Diffuses Par Silicium De Redresseurs | TOSHIBA |
| 33584 | 1S2 | BARRIÈRE RECTIFIERS(voltage - 20 à 100 volts de SCHOTTKY de 1 AMPÈRE de COURANT - 1,0 ampères) | Panjit International Inc |
| 33585 | 1S2 | SPECIFICTIONS TECHNIQUE DE REDRESSEUR DE BARRIÈRE DE SCHOTTKY | DC Components |
| 33586 | 1S20 | REDRESSEURS DE BARRIÈRE DE 1,0 AMPÈRES SCHOTTKY | Formosa MS |
| 33587 | 1S20 | REDRESSEUR DE BARRIÈRE DE SCHOTTKY | Rectron Semiconductor |
| 33588 | 1S20 | redresseur de barrière de 1,0 ampères Schottky 20 à 100 volts | Micro Commercial Components |
| 33589 | 1S2074 | Diodes>Switching | Renesas |
| 33590 | 1S2074 | Diode planaire épitaxiale de silicium pour la commutation à grande vitesse | Hitachi Semiconductor |
| 33591 | 1S2074(H) | Petit Signal | Hitachi Semiconductor |
| 33592 | 1S2074H | Diode planaire épitaxiale de silicium pour la commutation à grande vitesse | Hitachi Semiconductor |
| 33593 | 1S2075 | Diodes>Switching | Renesas |
| 33594 | 1S2075 | Diode planaire épitaxiale de silicium pour la commutation à grande vitesse | Hitachi Semiconductor |
| 33595 | 1S2075(K) | Petit Signal | Hitachi Semiconductor |
| 33596 | 1S2075K | Diode planaire épitaxiale de silicium pour la commutation à grande vitesse | Hitachi Semiconductor |
| 33597 | 1S2076 | Petit Signal | Hitachi Semiconductor |
| 33598 | 1S2076 | Diodes>Switching | Renesas |
| 33599 | 1S2076A | Petit Signal | Hitachi Semiconductor |
| 33600 | 1S2076A | Diodes>Switching | Renesas |
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