| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 35601 | 2N3439 | TRANSISTORS DU SILICIUM NPN | ST Microelectronics |
| 35602 | 2N3439 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 35603 | 2N3439 | TRANSISTORS DU SILICIUM NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 35604 | 2N3439 | TRANSISTORS DU SILICIUM NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 35605 | 2N3439 | AMPLIFICATEURS À HAUTE TENSION | Boca Semiconductor Corporation |
| 35606 | 2N3439 | TRANSISTORS À HAUTE TENSION DE NPN | SemeLAB |
| 35607 | 2N3439 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 35608 | 2N3439CSM4 | HAUTE TENSION, PUISSANCE MOYENNE, TRANSISTOR De NPN DANS Un PAQUET EXTÉRIEUR EN CÉRAMIQUE HERMÉTIQUEMENT SCELLÉ De BÂTI POUR Des APPLICATIONS ÉLEVÉES De FIABILITÉ | SemeLAB |
| 35609 | 2N3439CSM4R | HAUTE TENSION, PUISSANCE MOYENNE, TRANSISTOR De NPN DANS Un PAQUET EXTÉRIEUR EN CÉRAMIQUE HERMÉTIQUEMENT SCELLÉ De BÂTI POUR Des APPLICATIONS ÉLEVÉES De FIABILITÉ | SemeLAB |
| 35610 | 2N3439L | Transistor de NPN | Microsemi |
| 35611 | 2N3440 | TRANSISTORS DU SILICIUM NPN | ST Microelectronics |
| 35612 | 2N3440 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 35613 | 2N3440 | TRANSISTORS DU SILICIUM NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 35614 | 2N3440 | TRANSISTORS DU SILICIUM NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 35615 | 2N3440 | AMPLIFICATEURS À HAUTE TENSION | Boca Semiconductor Corporation |
| 35616 | 2N3440 | TRANSISTORS À HAUTE TENSION DE NPN | SemeLAB |
| 35617 | 2N3440 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 35618 | 2N3440CSM4R | HAUTE TENSION, PUISSANCE MOYENNE, TRANSISTOR De NPN DANS Un PAQUET EXTÉRIEUR EN CÉRAMIQUE HERMÉTIQUEMENT SCELLÉ De BÂTI POUR Des APPLICATIONS ÉLEVÉES De FIABILITÉ | SemeLAB |
| 35619 | 2N3440L | Transistor de NPN | Microsemi |
| 35620 | 2N3441 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 35621 | 2N3441 | PUISSANCE TRANSISTORS(á, 140v, 25w) | MOSPEC Semiconductor |
| 35622 | 2N3441 | TRANSISTOR DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPN | Boca Semiconductor Corporation |
| 35623 | 2N3441 | TRANSISTOR MOYEN DU SILICIUM NPN DE PUISSANCE | SemeLAB |
| 35624 | 2N3442 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 35625 | 2N3442 | TRANSISTORS DE PUISSANCE | MOSPEC Semiconductor |
| 35626 | 2N3442 | TRANSISTORS INDUSTRIELS De haute puissance | Boca Semiconductor Corporation |
| 35627 | 2N3442 | 10 SILICIUM DU TRANSISTOR DE PUISSANCE D'CAmpère NPN 140 VOLTS 117 WATTS | Motorola |
| 35628 | 2N3442 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 35629 | 2N3442 | Puissance 10A 140V NPN Discret | ON Semiconductor |
| 35630 | 2N3442-D | Transistors Industriels De haute puissance | ON Semiconductor |
| 35631 | 2N3444 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 35632 | 2N3445 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3 | SemeLAB |
| 35633 | 2N3447 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3 | SemeLAB |
| 35634 | 2N3467 | Transistor de PNP | Microsemi |
| 35635 | 2N3467 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 35636 | 2N3467 | Dactylographiez 2N3467 La Polarité PNP De la Géométrie 6706 | Semicoa Semiconductor |
| 35637 | 2N3467L | Transistor de PNP | Microsemi |
| 35638 | 2N3467L | Dactylographiez 2N3467L La Polarité PNP De la Géométrie 6706 | Semicoa Semiconductor |
| 35639 | 2N3468 | Transistor de PNP | Microsemi |
| 35640 | 2N3468 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
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