| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 381161 | DS2004_18 | Redresseur à diodes. Tout usage de haute puissance des diodes de redressement, non contrôlables et Haft redresseurs commandés. Diodes et traction de roue libre. Vrrm = 1800V, Vrsm = 1900V. | USHA India LTD |
| 381162 | DS2004_20 | Redresseur à diodes. Tout usage de haute puissance des diodes de redressement, non contrôlables et Haft redresseurs commandés. Diodes et traction de roue libre. Vrrm = 2000V, Vrsm = 2100V. | USHA India LTD |
| 381163 | DS2004_24 | Redresseur à diodes. Tout usage de haute puissance des diodes de redressement, non contrôlables et Haft redresseurs commandés. Diodes et traction de roue libre. Vrrm = 2400V, Vrsm = 2500V. | USHA India LTD |
| 381164 | DS2004_28 | Redresseur à diodes. Tout usage de haute puissance des diodes de redressement, non contrôlables et Haft redresseurs commandés. Diodes et traction de roue libre. Vrrm = 2800V, Vrsm = 2900V. | USHA India LTD |
| 381165 | DS2007SF | Diode De Redresseur | Dynex Semiconductor |
| 381166 | DS2007SF35 | Diode De Redresseur | Dynex Semiconductor |
| 381167 | DS2007SF36 | Diode De Redresseur | Dynex Semiconductor |
| 381168 | DS2007SF37 | Diode De Redresseur | Dynex Semiconductor |
| 381169 | DS2007SF38 | Diode De Redresseur | Dynex Semiconductor |
| 381170 | DS2007SF39 | Diode De Redresseur | Dynex Semiconductor |
| 381171 | DS2007SF40 | Diode De Redresseur | Dynex Semiconductor |
| 381172 | DS2007_24 | Redresseur à diodes. Tout usage de haute puissance des diodes de redressement, redresseurs contrôlés non contrôlables et Haft, diodes et traction de roue libre (chemin de fer approuvé). Vrrm = 2400V, Vrsm = 2500V. | USHA India LTD |
| 381173 | DS2007_30 | Redresseur à diodes. Tout usage de haute puissance des diodes de redressement, redresseurs contrôlés non contrôlables et Haft, diodes et traction de roue libre (chemin de fer approuvé). Vrrm = 3000V, Vrsm = 3100V. | USHA India LTD |
| 381174 | DS2007_32 | Redresseur à diodes. Tout usage de haute puissance des diodes de redressement, redresseurs contrôlés non contrôlables et Haft, diodes et traction de roue libre (chemin de fer approuvé). Vrrm = 3200V, Vrsm = 3300V. | USHA India LTD |
| 381175 | DS2007_36 | Redresseur à diodes. Tout usage de haute puissance des diodes de redressement, redresseurs contrôlés non contrôlables et Haft, diodes et traction de roue libre (chemin de fer approuvé). Vrrm = 3600V, Vrsm = 3700V. | USHA India LTD |
| 381176 | DS2007_40 | Redresseur à diodes. Tout usage de haute puissance des diodes de redressement, redresseurs contrôlés non contrôlables et Haft, diodes et traction de roue libre (chemin de fer approuvé). Vrrm = 4000V, Vrsm = 4100V. | USHA India LTD |
| 381177 | DS2009 | morceau de 512 x de 9 fifo | MAXIM - Dallas Semiconductor |
| 381178 | DS2009SF | Diode De Redresseur | Dynex Semiconductor |
| 381179 | DS2009SF43 | Diode De Redresseur | Dynex Semiconductor |
| 381180 | DS2009SF44 | Diode De Redresseur | Dynex Semiconductor |
| 381181 | DS2009SF45 | Diode De Redresseur | Dynex Semiconductor |
| 381182 | DS2009SF46 | Diode De Redresseur | Dynex Semiconductor |
| 381183 | DS2009SF47 | Diode De Redresseur | Dynex Semiconductor |
| 381184 | DS2009SF48 | Diode De Redresseur | Dynex Semiconductor |
| 381185 | DS2012SF | Diode De Redresseur | Dynex Semiconductor |
| 381186 | DS2012SF55 | Diode De Redresseur | Dynex Semiconductor |
| 381187 | DS2012SF56 | Diode De Redresseur | Dynex Semiconductor |
| 381188 | DS2012SF57 | Diode De Redresseur | Dynex Semiconductor |
| 381189 | DS2012SF58 | Diode De Redresseur | Dynex Semiconductor |
| 381190 | DS2012SF59 | Diode De Redresseur | Dynex Semiconductor |
| 381191 | DS2012SF60 | Diode De Redresseur | Dynex Semiconductor |
| 381192 | DS2016 | 2K X RAM de charge statique de l'opération 8 3V/5v | MAXIM - Dallas Semiconductor |
| 381193 | DS2016 | 2K x 8 3V / 5V fonctionnement statique RAM | Dallas Semiconductor |
| 381194 | DS2016-100 | 2k X RAM de charge statique de l'opération 8 3V/5V | MAXIM - Dallas Semiconductor |
| 381195 | DS2016-150 | 2k X RAM de charge statique de l'opération 8 3V/5V | MAXIM - Dallas Semiconductor |
| 381196 | DS2016S | 2K x 8 3V / 5V fonctionnement statique RAM | Dallas Semiconductor |
| 381197 | DS2030AB-100 | 100 ns, 4,75 V à 5,25 V, 256k rechargeable SRAM non volatile | MAXIM - Dallas Semiconductor |
| 381198 | DS2030AB-70 | 70 ns, 4,75 V à 5,25 V, 256k rechargeable SRAM non volatile | MAXIM - Dallas Semiconductor |
| 381199 | DS2030W-100 | 100 ns, 3,3 V, une seule pièce 256k non volatile SRAM | MAXIM - Dallas Semiconductor |
| 381200 | DS2030Y-100 | 100 ns, 4,5 V à 5,5 V, 256k rechargeable SRAM non volatile | MAXIM - Dallas Semiconductor |
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