| 385300 | DSWA9072 | & DE DAICO HDI; Assemblées Secondaires | DAICO Industries |
| 385301 | DSWM5077 | DAICO Commute SPST, SP11T | DAICO Industries |
| 385302 | DSWM6309 | & DE DAICO HDI; Assemblées Secondaires | DAICO Industries |
| 385303 | DSWM9040 | & DE DAICO HDI; Assemblées Secondaires | DAICO Industries |
| 385304 | DSWM9073 | & DE DAICO HDI; Assemblées Secondaires | DAICO Industries |
| 385305 | DSWT1981 | DAICO Commute SPST, TRANSFERT | DAICO Industries |
| 385306 | DSWT2180 | DAICO Commute SPST, TRANSFERT | DAICO Industries |
| 385307 | DSWX5034 | & DE DAICO HDI; Assemblées Secondaires | DAICO Industries |
| 385308 | DSWX9078 | & DE DAICO HDI; Assemblées Secondaires | DAICO Industries |
| 385309 | DSX321G | Type Résonateurs de SMD De Cristal | etc |
| 385310 | DSZ412SE | Diode D'Avalanche | Dynex Semiconductor |
| 385311 | DSZ412SE44 | Diode D'Avalanche | Dynex Semiconductor |
| 385312 | DS_CELSIUS_H210 | Puissance CELSIUS du poste de travail H210 dans le format de cahier | Fujitsu Microelectronics |
| 385313 | DS_CELSIUS_M420 | M420 CELSIUS obtiennent plus de puissance | Fujitsu Microelectronics |
| 385314 | DS_K1S161611A | mémoire à accès sélective d'Uni-Transistor du peu 1Mx16 | Samsung Electronic |
| 385315 | DS_K1S16161CA | mémoire à accès sélective d'Uni-Transistor de mode de page du peu 1Mx16 | Samsung Electronic |
| 385316 | DS_K4D263238D | le 1M X 32Bit X 4 banques doublent la DRACHME synchrone de débit avec le stroboscope de données et le DLL bi-directionnels | Samsung Electronic |
| 385317 | DS_K4S161622D | 1M X 16 SDRAM | Samsung Electronic |
| 385318 | DS_K4S161622E | 1M X 16 SDRAM | Samsung Electronic |
| 385319 | DS_K6F1016U4C | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 64K x16 etde basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 385320 | DS_K6F2008U2E | RAM de charge statique de basse puissance superbe du peu 256Kx8 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
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