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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
396241EFFH20Robinet CentralMicrosemi
396242EFG71891GÉNÉRATEUR DE DTMF POUR DES DONNÉES HEXADÉCIMALES CODÉESBINAIRESST Microelectronics
396243EFG71891PDGÉNÉRATEUR DE DTMF POUR DES DONNÉES HEXADÉCIMALES CODÉESBINAIRESST Microelectronics
396244EFG71891PDV (cc): -0,5 à + 3,3 V; V (en): -0,3 à + 0,3 V; Générateur DTMF pour binaire des données codées hexadécimalSGS Thomson Microelectronics
396245EFG71899GÉNÉRATEUR DE DTMF POUR DES DONNÉES HEXADÉCIMALES CODÉESBINAIRESST Microelectronics
396246EFG71899PDGÉNÉRATEUR DE DTMF POUR DES DONNÉES HEXADÉCIMALES CODÉESBINAIRESST Microelectronics
396247EFG7189PDV (cc): -0,5 à + 3,3 V; V (en): -0,3 à + 0,3 V; Générateur DTMF pour binaire des données codées hexadécimalSGS Thomson Microelectronics
396248EFJ2803FILTRE D'IEM 3AM.S. Kennedy Corp.
396249EFJ2803EFILTRE D'IEM 3AM.S. Kennedy Corp.
396250EFJ2803HFILTRE D'IEM 3AM.S. Kennedy Corp.
396251EFJ2803KFILTRE D'IEM 3AM.S. Kennedy Corp.
396252EFL700A39EnFilm ™ - rechargeable lithium solide de l'Etat batterie à couche minceST Microelectronics
396253EFL700A39-RLEnFilm ™ - rechargeable lithium solide de l'Etat batterie à couche minceST Microelectronics
396254EFLH16Robinet CentralMicrosemi
396255EFLH20Robinet CentralMicrosemi
396256EFM-1900Mélangeur De Bâti De Surface D'E-Série 1850 - Mégahertz 1980Tyco Electronics
396257EFM-19001850-1980 MHz, surface mélangeur montageMA-Com
396258EFM101DIODES RAPIDES DU RÉTABLISSEMENT SMA DE ÇALeshan Radio Company
396259EFM101REDRESSEUR de SILICIUM RAPIDE SUPERBE PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR de BÂTI (volts de COURANT de CHAÎNE de TENSION 50 à 400 1,0 ampères)Rectron Semiconductor
396260EFM102DIODES RAPIDES DU RÉTABLISSEMENT SMA DE ÇALeshan Radio Company



396261EFM102REDRESSEUR de SILICIUM RAPIDE SUPERBE PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR de BÂTI (volts de COURANT de CHAÎNE de TENSION 50 à 400 1,0 ampères)Rectron Semiconductor
396262EFM103DIODES RAPIDES DU RÉTABLISSEMENT SMA DE ÇALeshan Radio Company
396263EFM103REDRESSEUR de SILICIUM RAPIDE SUPERBE PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR de BÂTI (volts de COURANT de CHAÎNE de TENSION 50 à 400 1,0 ampères)Rectron Semiconductor
396264EFM104DIODES RAPIDES DU RÉTABLISSEMENT SMA DE ÇALeshan Radio Company
396265EFM104REDRESSEUR de SILICIUM RAPIDE SUPERBE PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR de BÂTI (volts de COURANT de CHAÎNE de TENSION 50 à 400 1,0 ampères)Rectron Semiconductor
396266EFM105DIODES RAPIDES DU RÉTABLISSEMENT SMA DE ÇALeshan Radio Company
396267EFM105REDRESSEUR de SILICIUM RAPIDE SUPERBE PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR de BÂTI (volts de COURANT de CHAÎNE de TENSION 50 à 400 1,0 ampères)Rectron Semiconductor
396268EFM106DIODES RAPIDES DU RÉTABLISSEMENT SMA DE ÇALeshan Radio Company
396269EFM106REDRESSEUR de SILICIUM RAPIDE SUPERBE PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR de BÂTI (volts de COURANT de CHAÎNE de TENSION 50 à 400 1,0 ampères)Rectron Semiconductor
396270EFM201REDRESSEUR de SILICIUM RAPIDE SUPERBE PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR de BÂTI (volts de COURANT de CHAÎNE de TENSION 50 à 400 2,0 ampères)Rectron Semiconductor
396271EFM202REDRESSEUR de SILICIUM RAPIDE SUPERBE PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR de BÂTI (volts de COURANT de CHAÎNE de TENSION 50 à 400 2,0 ampères)Rectron Semiconductor
396272EFM203REDRESSEUR de SILICIUM RAPIDE SUPERBE PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR de BÂTI (volts de COURANT de CHAÎNE de TENSION 50 à 400 2,0 ampères)Rectron Semiconductor
396273EFM204REDRESSEUR de SILICIUM RAPIDE SUPERBE PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR de BÂTI (volts de COURANT de CHAÎNE de TENSION 50 à 400 2,0 ampères)Rectron Semiconductor
396274EFM205REDRESSEUR de SILICIUM RAPIDE SUPERBE PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR de BÂTI (volts de COURANT de CHAÎNE de TENSION 50 à 400 2,0 ampères)Rectron Semiconductor
396275EFM206REDRESSEUR de SILICIUM RAPIDE SUPERBE PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR de BÂTI (volts de COURANT de CHAÎNE de TENSION 50 à 400 2,0 ampères)Rectron Semiconductor
396276EFM301REDRESSEUR de SILICIUM RAPIDE SUPERBE PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR de BÂTI (volts de COURANT de CHAÎNE de TENSION 50 à 400 3,0 ampères)Rectron Semiconductor
396277EFM302REDRESSEUR de SILICIUM RAPIDE SUPERBE PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR de BÂTI (volts de COURANT de CHAÎNE de TENSION 50 à 400 3,0 ampères)Rectron Semiconductor
396278EFM303REDRESSEUR de SILICIUM RAPIDE SUPERBE PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR de BÂTI (volts de COURANT de CHAÎNE de TENSION 50 à 400 3,0 ampères)Rectron Semiconductor
396279EFM304REDRESSEUR de SILICIUM RAPIDE SUPERBE PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR de BÂTI (volts de COURANT de CHAÎNE de TENSION 50 à 400 3,0 ampères)Rectron Semiconductor
396280EFM305REDRESSEUR de SILICIUM RAPIDE SUPERBE PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR de BÂTI (volts de COURANT de CHAÎNE de TENSION 50 à 400 3,0 ampères)Rectron Semiconductor
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