| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 396561 | EGP30K | Redresseurs Rapides (Verre Passivé) | Fairchild Semiconductor |
| 396562 | EGP30K | REDRESSEUR EFFICACE ÉLEVÉ AGGLOMÉRÉ DE JONCTION PASSIVÉ PAR VERRE | Zowie Technology Corporation |
| 396563 | EGP30K | redresseurs efficaces élevés passivés par verre de 3,0 ampères 50 à 800 volts | Micro Commercial Components |
| 396564 | EGP30K | Redresseur: Standard | Taiwan Semiconductor |
| 396565 | EGP30K | redresseurs efficaces élevés passivés par verre de 3,0 ampères 50 à 800 volts | MCC |
| 396566 | EGP30M | REDRESSEUR EFFICACE ÉLEVÉ AGGLOMÉRÉ DE JONCTION PASSIVÉ PAR VERRE | Zowie Technology Corporation |
| 396567 | EGP30M | Redresseur: Standard | Taiwan Semiconductor |
| 396568 | EGP50 | REDRESSEUR EFFICACE RAPIDE PASSIVÉ PAR VERRE | General Semiconductor |
| 396569 | EGP50A | Redresseur D'Ultrafast Passivé Par Verre, Courant Vers l'avant 5,0 A | Vishay |
| 396570 | EGP50A | REDRESSEUR EFFICACE RAPIDE PASSIVÉ PAR VERRE | General Semiconductor |
| 396571 | EGP50B | Redresseur D'Ultrafast Passivé Par Verre, Courant Vers l'avant 5,0 A | Vishay |
| 396572 | EGP50B | REDRESSEUR EFFICACE RAPIDE PASSIVÉ PAR VERRE | General Semiconductor |
| 396573 | EGP50C | Redresseur D'Ultrafast Passivé Par Verre, Courant Vers l'avant 5,0 A | Vishay |
| 396574 | EGP50C | REDRESSEUR EFFICACE RAPIDE PASSIVÉ PAR VERRE | General Semiconductor |
| 396575 | EGP50D | Redresseur D'Ultrafast Passivé Par Verre, Courant Vers l'avant 5,0 A | Vishay |
| 396576 | EGP50D | REDRESSEUR EFFICACE RAPIDE PASSIVÉ PAR VERRE | General Semiconductor |
| 396577 | EGP50F | Redresseur D'Ultrafast Passivé Par Verre, Courant Vers l'avant 5,0 A | Vishay |
| 396578 | EGP50F | REDRESSEUR EFFICACE RAPIDE PASSIVÉ PAR VERRE | General Semiconductor |
| 396579 | EGP50G | Redresseur D'Ultrafast Passivé Par Verre, Courant Vers l'avant 5,0 A | Vishay |
| 396580 | EGP50G | REDRESSEUR EFFICACE RAPIDE PASSIVÉ PAR VERRE | General Semiconductor |
| 396581 | EGS/W/N | Fiabilité de Military/Established, Mil-r-39007 Qual., type RWR, niveau de R, résistance dissolvante de rassemblements de Mil-std-202 (méthode 215), stabilisation de puissance de 100% et essai de criblage | Vishay |
| 396582 | EH 1 | Diodes De Redresseur De Rapide-Rétablissement | Sanken |
| 396583 | EH 1A | Diodes de redresseur de Rapide-Rétablissement (600 à 1000V) | Sanken |
| 396584 | EH 1Z | Diodes De Redresseur De Rapide-Rétablissement | Sanken |
| 396585 | EH10002Z1 | Pont De 3 Phases | Microsemi |
| 396586 | EH10002ZI | 3 MODULES DE PONT DE PHASE | Microsemi |
| 396587 | EH10004Z1 | Pont De 3 Phases | Microsemi |
| 396588 | EH10004ZI | 3 MODULES DE PONT DE PHASE | Microsemi |
| 396589 | EH10006Z1 | Pont De 3 Phases | Microsemi |
| 396590 | EH10006ZI | 3 MODULES DE PONT DE PHASE | Microsemi |
| 396591 | EH10008Z1 | Pont De 3 Phases | Microsemi |
| 396592 | EH10008ZI | 3 MODULES DE PONT DE PHASE | Microsemi |
| 396593 | EH10010Z1 | Pont De 3 Phases | Microsemi |
| 396594 | EH10010ZI | 3 MODULES DE PONT DE PHASE | Microsemi |
| 396595 | EH10012Z1 | Pont De 3 Phases | Microsemi |
| 396596 | EH10012ZI | 3 MODULES DE PONT DE PHASE | Microsemi |
| 396597 | EH10B1 | Assemblées Encapsulées 12 Par Ampères | Microsemi |
| 396598 | EH10Z1 | Assemblées Encapsulées 12 Par Ampères | Microsemi |
| 396599 | EH12B1 | Assemblées Encapsulées 12 Par Ampères | Microsemi |
| 396600 | EH12Z1 | Assemblées Encapsulées 12 Par Ampères | Microsemi |
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