| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 418121 | FM27C512Q90 | 524/288-Bit (rendement élevé CMOS EPROM de 64K X 8) | Fairchild Semiconductor |
| 418122 | FM27C512QE120 | 524/288-Bit (rendement élevé CMOS EPROM de 64K X 8) | Fairchild Semiconductor |
| 418123 | FM27C512QE150 | 524/288-Bit (rendement élevé CMOS EPROM de 64K X 8) | Fairchild Semiconductor |
| 418124 | FM27C512V120 | 524/288-Bit (rendement élevé CMOS EPROM de 64K X 8) | Fairchild Semiconductor |
| 418125 | FM27C512V150 | 524/288-Bit (rendement élevé CMOS EPROM de 64K X 8) | Fairchild Semiconductor |
| 418126 | FM27C512V45L | 512K bits (64K x 8) haute performance CMOS EPROM | Fairchild Semiconductor |
| 418127 | FM27C512V55L | 512K bits (64K x 8) haute performance CMOS EPROM | Fairchild Semiconductor |
| 418128 | FM27C512V70L | 512K bits (64K x 8) haute performance CMOS EPROM | Fairchild Semiconductor |
| 418129 | FM27C512V90 | 524/288-Bit (rendement élevé CMOS EPROM de 64K X 8) | Fairchild Semiconductor |
| 418130 | FM27C512VE120 | 524/288-Bit (rendement élevé CMOS EPROM de 64K X 8) | Fairchild Semiconductor |
| 418131 | FM27C512VE150 | 524/288-Bit (rendement élevé CMOS EPROM de 64K X 8) | Fairchild Semiconductor |
| 418132 | FM27C512VE45L | 512K bits (64K x 8) haute performance CMOS EPROM | Fairchild Semiconductor |
| 418133 | FM27C512VE55L | 512K bits (64K x 8) haute performance CMOS EPROM | Fairchild Semiconductor |
| 418134 | FM27C512X120 | 524,288-Bit (exécution CMOS EPROM de 64K x de 8)High | Fairchild Semiconductor |
| 418135 | FM27C512X150 | 524,288-Bit (exécution CMOS EPROM de 64K x de 8)High | Fairchild Semiconductor |
| 418136 | FM27C512X90 | 524,288-Bit (exécution CMOS EPROM de 64K x de 8)High | Fairchild Semiconductor |
| 418137 | FM280 | Type épitaxial de planer de silicium | Formosa MS |
| 418138 | FM280 | REDRESSEUR EXTÉRIEUR de BARRIÈRE de SCHOTTKY de BÂTI (volts de COURANT de CHAÎNE de TENSION 20 à 100 2,0 ampères) | Rectron Semiconductor |
| 418139 | FM280-M | Type épitaxial de planer de silicium | Formosa MS |
| 418140 | FM28V020-SG | 256 Kbit (32 K × 8) Mémoire F-RAM | Cypress |
| 418141 | FM28V020-SGTR | 256 Kbit (32 K × 8) Mémoire F-RAM | Cypress |
| 418142 | FM28V020-T28G | 256 Kbit (32 K × 8) Mémoire F-RAM | Cypress |
| 418143 | FM28V020-TG | 256 Kbit (32 K × 8) Mémoire F-RAM | Cypress |
| 418144 | FM28V020-TGTR | 256 Kbit (32 K × 8) Mémoire F-RAM | Cypress |
| 418145 | FM28V100-TG | 1 Mbits (128 K × 8) Mémoire F-RAM | Cypress |
| 418146 | FM28V100-TGTR | 1 Mbits (128 K × 8) Mémoire F-RAM | Cypress |
| 418147 | FM28V102A-TG | 1 Mbits (64 K × 16) mémoire F-RAM | Cypress |
| 418148 | FM28V102A-TGTR | 1 Mbits (64 K × 16) mémoire F-RAM | Cypress |
| 418149 | FM28V202A-TG | 2 Mbits (128 K × 16) mémoire F-RAM | Cypress |
| 418150 | FM28V202A-TGTR | 2 Mbits (128 K × 16) mémoire F-RAM | Cypress |
| 418151 | FM2G150US60 | IGBT | Fairchild Semiconductor |
| 418152 | FM2G200US60 | IGBT | Fairchild Semiconductor |
| 418153 | FM2G300US60 | IGBT | Fairchild Semiconductor |
| 418154 | FM2G400US60 | IGBT | Fairchild Semiconductor |
| 418155 | FM301 | Type passivé par verre | Formosa MS |
| 418156 | FM301 | REDRESSEUR de SILICIUM PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR de BÂTI (volts de COURANT de CHAÎNE de TENSION 50 à 1000 3,0 ampères) | Rectron Semiconductor |
| 418157 | FM302 | Type passivé par verre | Formosa MS |
| 418158 | FM302 | REDRESSEUR de SILICIUM PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR de BÂTI (volts de COURANT de CHAÎNE de TENSION 50 à 1000 3,0 ampères) | Rectron Semiconductor |
| 418159 | FM3020-7 | Convertisseurs De C.c-C.c De 50 Watts | Power-One |
| 418160 | FM303 | Type passivé par verre | Formosa MS |
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