| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 418641 | FMB3906_NL | Amplificateur D'Usage universel De Multi-Morceau de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 418642 | FMB3946 | Amplificateur D'Usage universel de NPN Et de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 418643 | FMB5551 | Amplificateur D'Usage universel de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 418644 | FMB5551_NL | Amplificateur D'Usage universel de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 418645 | FMB857B | 256Mb F-meurent Des Spécifications de DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 418646 | FMB857B | 256Mb F-meurent Des Spécifications de DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 418647 | FMB857B | 256Mb F-meurent Des Spécifications de DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 418648 | FMBA06 | Amplificateur D'Usage universel De Multi-Morceau de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 418649 | FMBA0656 | Paquet Extérieur De Bâti De SuperSOT- 6 Duels Complémentaires De Transistor de NPN Et de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 418650 | FMBA14 | Transistor De Darlington De Multi-Morceau de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 418651 | FMBA56 | Amplificateur D'Usage universel De Multi-Morceau de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 418652 | FMBB4148 | 200 DIODES PLANAIRES ÉPITAXIALES de mW | etc |
| 418653 | FMBB4148 | 200 DIODES PLANAIRES ÉPITAXIALES de mW | etc |
| 418654 | FMBB4148 | 200 DIODES PLANAIRES ÉPITAXIALES de mW | etc |
| 418655 | FMBL1G200US60 | IGBT | Fairchild Semiconductor |
| 418656 | FMBL1G300US60 | IGBT | Fairchild Semiconductor |
| 418657 | FMBM5401 | Amplificateur D'Usage universel de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 418658 | FMBM5401_SB74001 | Amplificateur D'Usage universel de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 418659 | FMBM5551 | Amplificateur D'Usage universel de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 418660 | FMBM5551_SB16001 | Amplificateur D'Usage universel de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 418661 | FMBS2383 | NPN épitaxiales de silicium Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 418662 | FMBS5401 | Amplificateur D'Usage universel de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 418663 | FMBS549 | Bas Transistor De Saturation de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 418664 | FMBS5551 | Amplificateur D'Usage universel de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 418665 | FMBSA06 | Amplificateur D'Usage universel de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 418666 | FMBSA56 | Amplificateur D'Usage universel de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 418667 | FMBT3904 | TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL DE NPN | Formosa MS |
| 418668 | FMBT3906 | TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL DE PNP | Formosa MS |
| 418669 | FMC-26U | Diodes de redresseur d'Ultra-Rapide-Rétablissement (600 à 1000V) | Sanken |
| 418670 | FMC-26UA | Diodes de redresseur d'Ultra-Rapide-Rétablissement (1200V et excédent) | Sanken |
| 418671 | FMC-28U | Diodes de redresseur d'Ultra-Rapide-Rétablissement (600 à 1000V) | Sanken |
| 418672 | FMC-28UA | Diodes de redresseur d'Ultra-Rapide-Rétablissement (1200V et excédent) | Sanken |
| 418673 | FMC-G28S | Diodes de redresseur d'Ultra-Rapide-Rétablissement (600 à 1000V) | Sanken |
| 418674 | FMC-G28SL | Diodes de redresseur d'Ultra-Rapide-Rétablissement (600 à 1000V) | Sanken |
| 418675 | FMC1819C6-02 | Modules De la Puissance GaAs De K-Bande | Fujitsu Microelectronics |
| 418676 | FMC1819LN-02 | Modules De la Puissance GaAs De K-Bande | Fujitsu Microelectronics |
| 418677 | FMC1819P1-01 | Modules De la Puissance GaAs De K-Bande | Fujitsu Microelectronics |
| 418678 | FMC2 | Planaires Épitaxiaux Conjuguent Mini-Moulent Le Transistor De Silicium de PNP/NPN | ROHM |
| 418679 | FMC2 | Planaires Épitaxiaux Conjuguent Mini-Moulent Le Transistor De Silicium de PNP/NPN | ROHM |
| 418680 | FMC2122C6-03 | Modules De la Puissance GaAs De K-Marque De Ku | Fujitsu Microelectronics |
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