| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 419961 | FODM8801 | OptoHiT TM série, à haute température phototransistor Optocoupleur en demi-pas-Mini-Flat 4-Pin Package | Fairchild Semiconductor |
| 419962 | FODM8801A | OptoHiT série, à haute température Phototransistor | Fairchild Semiconductor |
| 419963 | FODM8801B | OptoHiT série, à haute température Phototransistor | Fairchild Semiconductor |
| 419964 | FODM8801C | OptoHiT série, à haute température Phototransistor | Fairchild Semiconductor |
| 419965 | FOIL - HERMETIC RESISTOR NETWORK | Réseaux hermétiques de résistance, caractéristiques des paquets disponibles <! -- --> d'Aerospace/Instrumentation | Vishay |
| 419966 | FOOTPRINT-SOD80C | Empreinte de pas de panneau de PC | Philips |
| 419967 | FOR261F-1 | V (cc): + 6V; monolithique TTL fibre optique récepteur. Pour les communications de données, modem optique, le contrôle de la machine industrielle, contrôle périphérique / communications | National Semiconductor |
| 419968 | FOR261F-2 | V (cc): + 6V; monolithique TTL fibre optique récepteur. Pour les communications de données, modem optique, le contrôle de la machine industrielle, contrôle périphérique / communications | National Semiconductor |
| 419969 | FOR361B | Récepteur Fibreoptique | National Semiconductor |
| 419970 | FOR361B-1 | V (cc): + 6V; fibre optique récepteur. Pour les communications de données, modem optique, le contrôle de la machine industrielle, contrôle périphérique / communication, etc. | National Semiconductor |
| 419971 | FOR361B-2 | V (cc): + 6V; fibre optique récepteur. Pour les communications de données, modem optique, le contrôle de la machine industrielle, contrôle périphérique / communication, etc. | National Semiconductor |
| 419972 | FP | La Taille Industrielle, Antidéflagrante, Petite, À prix réduit, Caractéristiques Exceptionnelles De Fréquence, Plaquées, Étain-Mènent Des Fils De Finition De Soudure | Vishay |
| 419973 | FP-14DA | Inverseurs De Schmitt-déclenchement De Sortilège | Hitachi Semiconductor |
| 419974 | FP-14DA | Inverseurs De Schmitt-déclenchement De Sortilège | Hitachi Semiconductor |
| 419975 | FP-14DN | Inverseurs De Schmitt-déclenchement De Sortilège | Hitachi Semiconductor |
| 419976 | FP-14DN | Inverseurs De Schmitt-déclenchement De Sortilège | Hitachi Semiconductor |
| 419977 | FP1 | transistor épitaxial de silicium de la résistance PNPde sur-morceau pour la commutation de mi-vitesse | NEC |
| 419978 | FP1 | transistor épitaxial de silicium de la résistance PNPde sur-morceau pour la commutation de mi-vitesse | NEC |
| 419979 | FP1/2P, 1P, 2P, 3P, 69P | Pulse Withstanding Protective, Lightning Withstanding Characteristics along with Resistor Functionality, Sharper Fusing Characteristic than the Standard Flameproof Product Line (Fusible), Protects Against Electrical Hazards | Vishay |
| 419980 | FP100 | RENDEMENT ÉLEVÉ PHEMT | Filtronic |
| 419981 | FP100F | 10000 V redresseur pile 2.2 Un courant direct, à 150 ns de temps de récupération | Voltage Multipliers |
| 419982 | FP100S | 10000 V redresseur pile 2.2 Un courant direct, 3000 ns temps de récupération | Voltage Multipliers |
| 419983 | FP101 | Transistor Planaire Épitaxial De Silicium de PNP/Applications Composées De Convertisseur De C.c-C.c De Diode De Barrière De Schottky | SANYO |
| 419984 | FP102 | Transistor Planaire Épitaxial De Silicium de PNP/Applications Composées De Convertisseur De C.c-C.c De Diode De Barrière De Schottky | SANYO |
| 419985 | FP103 | Applications Planaires Épitaxiales De Convertisseur De la Diode De Barrière De Schottky De Transistor De Silicium de PNP DC/dc | SANYO |
| 419986 | FP104 | Applications Planaires Épitaxiales De Convertisseur De C.c-C.c De Diode De Barrière Du Transistor SBD:Schottky De Silicium de TR:pnp | SANYO |
| 419987 | FP105 | Applications Planaires Épitaxiales De Convertisseur De C.c-C.c De Diode De Barrière Du Transistor SBD:Schottky De Silicium de TR:pnp | SANYO |
| 419988 | FP106 | Applications Planaires Épitaxiales De Convertisseur De C.c-C.c De Diode De Barrière Du Transistor SBD:Schottky De Silicium de TR:pnp | SANYO |
| 419989 | FP107 | Applications Planaires Épitaxiales De Convertisseur De C.c-C.c De Diode De Barrière Du Transistor SBD:Schottky De Silicium de TR:pnp | SANYO |
| 419990 | FP108 | Applications Planaires Épitaxiales De Convertisseur De C.c-C.c De Diode De Barrière Du Transistor SBD:Schottky De Silicium de TR:pnp | SANYO |
| 419991 | FP10R06KL4 | Elektrische Eigenschaften/propriétés électriques | Eupec |
| 419992 | FP10R06KL4 | Elektrische Eigenschaften/propriétés électriques | Eupec |
| 419993 | FP1189 | 1/2 watt HFET | WJ Communications |
| 419994 | FP1189-PCB-1900 | 1/2 watt HFET | WJ Communications |
| 419995 | FP1189-PCB-900 | 1/2 watt HFET | WJ Communications |
| 419996 | FP125F | 12500 V redresseur pile 2.2 Un courant direct, à 150 ns de temps de récupération | Voltage Multipliers |
| 419997 | FP125S | 12500 V redresseur pile 2.2 Un courant direct, 3000 ns temps de récupération | Voltage Multipliers |
| 419998 | FP150F | 15000 V redresseur pile 2.2 Un courant direct, à 150 ns de temps de récupération | Voltage Multipliers |
| 419999 | FP150S | 15000 V redresseur pile 2.2 Un courant direct, 3000 ns temps de récupération | Voltage Multipliers |
| 420000 | FP150TA10U | DEMI DE TRANSISTOR MOSFET AA - PAK DE PUISSANCE DE BRODGE HEXFET | etc |
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