| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 421761 | FQU5P20TU | 200V P-Canal QFET | Fairchild Semiconductor |
| 421762 | FQU630 | Transistor MOSFET Du N-Canal 200V | Fairchild Semiconductor |
| 421763 | FQU6N15 | Transistor MOSFET Du N-Canal 150V | Fairchild Semiconductor |
| 421764 | FQU6N25 | Transistor MOSFET Du N-Canal 250V | Fairchild Semiconductor |
| 421765 | FQU6N25TU | 250V N-Canal QFET | Fairchild Semiconductor |
| 421766 | FQU6N40 | Transistor MOSFET Du N-Canal 400V | Fairchild Semiconductor |
| 421767 | FQU6N40C | C-Série À l'avance QFET Du N-Canal 400V | Fairchild Semiconductor |
| 421768 | FQU6N40CTU | C-Série À l'avance QFET Du N-Canal 400V | Fairchild Semiconductor |
| 421769 | FQU6N50C | Ceux-ci des transistors à effet de champ de puissance de mode de perfectionnement de N-Canal sont produits en utilisant la raie planaire de propriété industrielle de Fairchild, technologie deDMOS | Fairchild Semiconductor |
| 421770 | FQU6P25 | Transistor MOSFET Du P-Canal 250V | Fairchild Semiconductor |
| 421771 | FQU6P25TU | 250V P-Canal QFET | Fairchild Semiconductor |
| 421772 | FQU7N10 | Transistor MOSFET Du N-Canal 100V | Fairchild Semiconductor |
| 421773 | FQU7N10L | Transistor MOSFET De N-Canal de la LOGIQUE 100V | Fairchild Semiconductor |
| 421774 | FQU7N10LTU | Niveau QFET De Logique Du N-Canal 100V | Fairchild Semiconductor |
| 421775 | FQU7N20 | Transistor MOSFET Du N-Canal 200V | Fairchild Semiconductor |
| 421776 | FQU7N20L | Transistor MOSFET De N-Canal de la LOGIQUE 200V | Fairchild Semiconductor |
| 421777 | FQU7N20TU | 200V N-Canal QFET | Fairchild Semiconductor |
| 421778 | FQU7N30 | Transistor MOSFET Du N-Canal 300V | Fairchild Semiconductor |
| 421779 | FQU7P06 | Transistor MOSFET Du P-Canal 60V | Fairchild Semiconductor |
| 421780 | FQU7P06TU | 60V P-Canal QFET | Fairchild Semiconductor |
| 421781 | FQU7P20 | Transistor MOSFET Du P-Canal 200V | Fairchild Semiconductor |
| 421782 | FQU7P20TU | 200V P-Canal QFET | Fairchild Semiconductor |
| 421783 | FQU8N25 | Transistor MOSFET Du N-Canal 250V | Fairchild Semiconductor |
| 421784 | FQU8N25TU | 250V N-Canal QFET | Fairchild Semiconductor |
| 421785 | FQU8P10 | Transistor MOSFET Du P-Canal 100V | Fairchild Semiconductor |
| 421786 | FQU8P10TU | 100V P-Canal QFET | Fairchild Semiconductor |
| 421787 | FQU9N08 | Transistor MOSFET Du N-Canal 80V | Fairchild Semiconductor |
| 421788 | FQU9N08L | Transistor MOSFET De N-Canal de la LOGIQUE 80V | Fairchild Semiconductor |
| 421789 | FQU9N15 | Transistor MOSFET Du N-Canal 150V | Fairchild Semiconductor |
| 421790 | FQU9N25 | Transistor MOSFET Du N-Canal 250V | Fairchild Semiconductor |
| 421791 | FQU9N25TU | 250V N-Canal QFET | Fairchild Semiconductor |
| 421792 | FR-159 | RAPPORT D'ÉCHEC | etc |
| 421793 | FR011L5J | Côté basse polarisation inverse / inversion de polarité Protecteur | Fairchild Semiconductor |
| 421794 | FR014H5JZ | Protecteur Polarité Haute-Verso Bias / n º Avec transitoire intégrée contre les surtensions répression | Fairchild Semiconductor |
| 421795 | FR015L3EZ | Côté basse polarisation inverse / inversion de polarité Protecteur | Fairchild Semiconductor |
| 421796 | FR02505EPL | 1,3 mA, les spectres de la bande cellule photoélectrique | Texas Instruments |
| 421797 | FR0315M00-TD11 | Résonateur de SCIE De 315 Mégahertz | etc |
| 421798 | FR0433M92-TE11 | Résonateur de SCIE De 433,92 Mégahertz | etc |
| 421799 | FR05505EPL | 2,6 mA, les spectres de la bande cellule photoélectrique | Texas Instruments |
| 421800 | FR0868M00-DI11 | Résonateur de SCIE D'Un-port De 868.00 Mégahertz | etc |
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