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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
4284128LV010RT4DE253,3 1 mégabit (128K x 8 bits) - EEPROMMaxwell Technologies
4284228LV010RT4DI203,3 1 mégabit (128K x 8 bits) - EEPROMMaxwell Technologies
4284328LV010RT4DI253,3 1 mégabit (128K x 8 bits) - EEPROMMaxwell Technologies
4284428LV010RT4DS203,3 1 mégabit (128K x 8 bits) - EEPROMMaxwell Technologies
4284528LV010RT4DS253,3 1 mégabit (128K x 8 bits) - EEPROMMaxwell Technologies
4284628LV010RT4FB203,3 1 mégabit (128K x 8 bits) - EEPROMMaxwell Technologies
4284728LV010RT4FB253,3 1 mégabit (128K x 8 bits) - EEPROMMaxwell Technologies
4284828LV010RT4FE203,3 1 mégabit (128K x 8 bits) - EEPROMMaxwell Technologies
4284928LV010RT4FE253,3 1 mégabit (128K x 8 bits) - EEPROMMaxwell Technologies
4285028LV010RT4FI203,3 1 mégabit (128K x 8 bits) - EEPROMMaxwell Technologies
4285128LV010RT4FI253,3 1 mégabit (128K x 8 bits) - EEPROMMaxwell Technologies
4285228LV010RT4FS203,3 1 mégabit (128K x 8 bits) - EEPROMMaxwell Technologies
4285328LV010RT4FS253,3 1 mégabit (128K x 8 bits) - EEPROMMaxwell Technologies
4285428LV256JC-3Vitesse: 200 ns, basse tension CMOS 256 K effaçable électriquement 32K de ROM programmable x 8 BIT EEPROMTurbo IC
4285528LV256JC-3CMOS basse tension. 256K ROM programmable effaçable électriquement. 32K x 8 bits EEPROM. Le temps d'accès de 200 ns.Turbo IC
4285628LV256JC-4Vitesse: 250 ns, basse tension CMOS 256 K effaçable électriquement 32K de ROM programmable x 8 BIT EEPROMTurbo IC
4285728LV256JC-4CMOS basse tension. 256K ROM programmable effaçable électriquement. 32K x 8 bits EEPROM. Le temps d'accès de 250 ns.Turbo IC
4285828LV256JC-5Vitesse: 300 ns, basse tension CMOS 256 K effaçable électriquement 32K de ROM programmable x 8 BIT EEPROMTurbo IC
4285928LV256JC-5CMOS basse tension. 256K ROM programmable effaçable électriquement. 32K x 8 bits EEPROM. Le temps d'accès de 300 ns.Turbo IC



4286028LV256JC-6Vitesse: 400 ns, basse tension CMOS 256 K effaçable électriquement 32K de ROM programmable x 8 BIT EEPROMTurbo IC
4286128LV256JC-6CMOS basse tension. 256K ROM programmable effaçable électriquement. 32K x 8 bits EEPROM. Le temps d'accès de 400 ns.Turbo IC
4286228LV256JI-3Vitesse: 200 ns, basse tension CMOS 256 K effaçable électriquement 32K de ROM programmable x 8 BIT EEPROMTurbo IC
4286328LV256JI-3CMOS basse tension. 256K ROM programmable effaçable électriquement. 32K x 8 bits EEPROM. Le temps d'accès de 200 ns.Turbo IC
4286428LV256JI-4Vitesse: 250 ns, basse tension CMOS 256 K effaçable électriquement 32K de ROM programmable x 8 BIT EEPROMTurbo IC
4286528LV256JI-4CMOS basse tension. 256K ROM programmable effaçable électriquement. 32K x 8 bits EEPROM. Le temps d'accès de 250 ns.Turbo IC
4286628LV256JI-5Vitesse: 300 ns, basse tension CMOS 256 K effaçable électriquement 32K de ROM programmable x 8 BIT EEPROMTurbo IC
4286728LV256JI-5CMOS basse tension. 256K ROM programmable effaçable électriquement. 32K x 8 bits EEPROM. Le temps d'accès de 300 ns.Turbo IC
4286828LV256JI-6Vitesse: 400 ns, basse tension CMOS 256 K effaçable électriquement 32K de ROM programmable x 8 BIT EEPROMTurbo IC
4286928LV256JI-6CMOS basse tension. 256K ROM programmable effaçable électriquement. 32K x 8 bits EEPROM. Le temps d'accès de 400 ns.Turbo IC
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4287328LV256JM-4CMOS basse tension. 256K ROM programmable effaçable électriquement. 32K x 8 bits EEPROM. Le temps d'accès de 250 ns.Turbo IC
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4287628LV256JM-6Vitesse: 400 ns, basse tension CMOS 256 K effaçable électriquement 32K de ROM programmable x 8 BIT EEPROMTurbo IC
4287728LV256JM-6CMOS basse tension. 256K ROM programmable effaçable électriquement. 32K x 8 bits EEPROM. Le temps d'accès de 400 ns.Turbo IC
4287828LV256PC-3Vitesse: 200 ns, basse tension CMOS 256 K effaçable électriquement 32K de ROM programmable x 8 BIT EEPROMTurbo IC
4287928LV256PC-3CMOS basse tension. 256K ROM programmable effaçable électriquement. 32K x 8 bits EEPROM. Le temps d'accès de 200 ns.Turbo IC
4288028LV256PC-4Vitesse: 250 ns, basse tension CMOS 256 K effaçable électriquement 32K de ROM programmable x 8 BIT EEPROMTurbo IC
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