|   Première page   |   Tous les fabricants   |   Par fonction   |  

Saut rapide à:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  




Feuilles de datas trouvées :: 1042530Page: << | 11015 | 11016 | 11017 | 11018 | 11019 | 11020 | 11021 | 11022 | 11023 | 11024 | 11025 | >>
Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
440761IRF1104PBF40V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220abInternational Rectifier
440762IRF1104S40V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-PakInternational Rectifier
440763IRF1104STRL40V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-PakInternational Rectifier
440764IRF1104STRR40V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-PakInternational Rectifier
440765IRF120Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/11/60-100 VFairchild Semiconductor
440766IRF1208.0A et 9.À/80V et 100V/0,27 et 0,36 ohms/transistors MOSFET de N-Canal/puissanceIntersil
440767IRF120TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canalSamsung Electronic
440768IRF120-123Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/11/60-100 VFairchild Semiconductor
440769IRF121Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/11/60-100 VFairchild Semiconductor
440770IRF1218.0A et 9.À/80V et 100V/0,27 et 0,36 ohms/transistors MOSFET de N-Canal/puissanceIntersil
440771IRF121TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canalSamsung Electronic
440772IRF122Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/11/60-100 VFairchild Semiconductor
440773IRF1228.0A et 9.À/80V et 100V/0,27 et 0,36 ohms/transistors MOSFET de N-Canal/puissanceIntersil
440774IRF122TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canalSamsung Electronic
440775IRF123Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/11/60-100 VFairchild Semiconductor
440776IRF1238.0A et 9.À/80V et 100V/0,27 et 0,36 ohms/transistors MOSFET de N-Canal/puissanceIntersil
440777IRF123TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canalSamsung Electronic
440778IRF130100V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20âaInternational Rectifier
440779IRF130Transistor MOSFET de PUISSANCE De N-canalSemeLAB



440780IRF130Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/20/60-100 VFairchild Semiconductor
440781IRF130Transistor MOSFET De Puissance Du 1Â/100V/0,160 Ohms/N-CanalIntersil
440782IRF130TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canalSamsung Electronic
440783IRF130-133Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/20/60-100 VFairchild Semiconductor
440784IRF130220V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220abInternational Rectifier
440785IRF1302L20V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet To-262International Rectifier
440786IRF1302S20V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-PakInternational Rectifier
440787IRF130SMDTransistor MOSFET de PUISSANCE De N-canal POUR DES APPLICATIONS de HI.relSemeLAB
440788IRF131Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/20/60-100 VFairchild Semiconductor
440789IRF131TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canalSamsung Electronic
440790IRF1310N100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220abInternational Rectifier
440791IRF1310NL100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet To-262International Rectifier
440792IRF1310NS100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-PakInternational Rectifier
440793IRF1310NSTRL100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-PakInternational Rectifier
440794IRF1310NSTRR100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-PakInternational Rectifier
440795IRF1310S100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-PakInternational Rectifier
440796IRF131280V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220abInternational Rectifier
440797IRF1312L80V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet To-262International Rectifier
440798IRF1312S80V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-PakInternational Rectifier
440799IRF1312STRL80V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-PakInternational Rectifier
440800IRF1312STRR80V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-PakInternational Rectifier
Feuilles de datas trouvées :: 1042530Page: << | 11015 | 11016 | 11017 | 11018 | 11019 | 11020 | 11021 | 11022 | 11023 | 11024 | 11025 | >>
English Version for this page Deutsche Version für diese Seite Versión española para esta página Versione italiana Versão portuguese para esta página Russian version Russian version



© 2008 - www.DatasheetCatalog.com