|   Première page   |   Tous les fabricants   |   Par fonction   |  

Le numéro de la pièce, la description ou le fabricant des:    
Saut rapide à:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  




Feuilles de datas trouvées :: 1042530Page: << | 11028 | 11029 | 11030 | 11031 | 11032 | 11033 | 11034 | 11035 | 11036 | 11037 | 11038 | >>
Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
441281IRF531TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP de PUISSANCE de la PORTE de SILICIUM De Perfectionnement-mode De N-canal TMOSMotorola
441282IRF531FETS Verticaux De Puissance Du Perfectionnement-Mode DMOS De N-CanalSupertex Inc
441283IRF531Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/20/60-100 VFairchild Semiconductor
441284IRF531TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canalSamsung Electronic
441285IRF531FITRANSISTORS De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE De NST Microelectronics
441286IRF531FITRANSISTORS De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE De NST Microelectronics
441287IRF532TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP de PUISSANCE de la PORTE de SILICIUM De Perfectionnement-mode De N-canal TMOSMotorola
441288IRF532Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/20/60-100 VFairchild Semiconductor
441289IRF532TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canalSamsung Electronic
441290IRF532FITRANSISTORS De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE De NST Microelectronics
441291IRF532FITRANSISTORS De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE De NST Microelectronics
441292IRF533TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP de PUISSANCE de la PORTE de SILICIUM De Perfectionnement-mode De N-canal TMOSMotorola
441293IRF533Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/20/60-100 VFairchild Semiconductor
441294IRF533TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canalSamsung Electronic
441295IRF533FITRANSISTORS De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE De NST Microelectronics
441296IRF533FITRANSISTORS De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE De NST Microelectronics
441297IRF540transistor de TrenchMOS(tm) de N-canalPhilips
441298IRF5402Å, 100V, 0,077 Ohms, Transistors MOSFET De Puissance De N-CanalFairchild Semiconductor
441299IRF540N-canal 100V - 0,055 OHMS - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET II de PORTE De 2À To-220ST Microelectronics



441300IRF540100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220abInternational Rectifier
441301IRF540TRANSISTOR MOSFET DE PUISSANCEBayLinear
441302IRF540N-canal 100V - 0,065 OHMS - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET de PORTE De 30A To-220SGS Thomson Microelectronics
441303IRF540N - CHANNEL100V - 00.50Ohm - 30A - Transistor MOSFET de PUISSANCE De To-220/to-220fiSGS Thomson Microelectronics
441304IRF540-DPorte De Silicium De Perfectionnement-Mode De N-Canal De Transistor à effet de champ De Puissance D'E-FET de TMOSON Semiconductor
441305IRF540ATransistor MOSFET de PUISSANCE De N-canalFairchild Semiconductor
441306IRF540FIN - CHANNEL100V - 00.50Ohm - 30A - Transistor MOSFET de PUISSANCE De To-220/to-220fiSGS Thomson Microelectronics
441307IRF540FIN - CHANNEL100V - 00.50ohm - 30A - Transistor MOSFET de PUISSANCE De To-220/to-220fiST Microelectronics
441308IRF540N3Á, 100V, 0,040 Ohms, N-Canal, Transistor MOSFET De PuissanceFairchild Semiconductor
441309IRF540N100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220abInternational Rectifier
441310IRF540NTransistor MOSFET De Puissance De 3Á/100V/0,040 Ohms/N-CanalIntersil
441311IRF540NL100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet To-262International Rectifier
441312IRF540NLPBF100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet To-262International Rectifier
441313IRF540NPBF100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220abInternational Rectifier
441314IRF540NS100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-PakInternational Rectifier
441315IRF540NSPBF100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-PakInternational Rectifier
441316IRF540NSTRL100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-PakInternational Rectifier
441317IRF540NSTRR100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-PakInternational Rectifier
441318IRF540PBF100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220abInternational Rectifier
441319IRF540S100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-PakInternational Rectifier
441320IRF540Stransistor de TrenchMOS de N-canalPhilips
Feuilles de datas trouvées :: 1042530Page: << | 11028 | 11029 | 11030 | 11031 | 11032 | 11033 | 11034 | 11035 | 11036 | 11037 | 11038 | >>
English Version for this page Deutsche Version für diese Seite Versión española para esta página Versione italiana Versão portuguese para esta página Russian version Russian version



© 2012 - www.DatasheetCatalog.com