Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
44161 | 2N1893 | 0.800W usage général NPN métal peut transistor. 80V VCEO, 0,500A Ic, 20 hFE. | Continental Device India Limited |
44162 | 2N1893 | Puissance moyenne silicium de transistor planaire NPN. | General Electric Solid State |
44163 | 2N1893 | Chip: 7.0V; Géomètres 4500; Polarité NPN | Semicoa Semiconductor |
44164 | 2N1893A | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
44165 | 2N1893S | Transistor de NPN | Microsemi |
44166 | 2N1893S | Chip: 7.0V; Géomètres 4500; Polarité NPN | Semicoa Semiconductor |
44167 | 2N1893UB | Polarité NPN De la Géométrie 4500 Du Type 2C1893 De Morceau | Semicoa Semiconductor |
44168 | 2N1909 | Redresseur Commandé De Silicium | Microsemi |
44169 | 2N1909 | Thyristor 70 Amoeres Average(110 RMS De Commande De Phase) 600 Volts | Powerex Power Semiconductors |
44170 | 2N1909 | V (RRM / drm): 25V; 110A RMS RCS. Pour les applications générales puspose de commande de phase | International Rectifier |
44171 | 2N1910 | Redresseur Commandé De Silicium | Microsemi |
44172 | 2N1910 | Thyristor 70 Amoeres Average(110 RMS De Commande De Phase) 600 Volts | Powerex Power Semiconductors |
44173 | 2N1910 | V (RRM / drm): 50V; 110A RMS RCS. Pour les applications générales puspose de commande de phase | International Rectifier |
44174 | 2N1911 | Redresseur Commandé De Silicium | Microsemi |
44175 | 2N1911 | Thyristor 70 Amoeres Average(110 RMS De Commande De Phase) 600 Volts | Powerex Power Semiconductors |
44176 | 2N1911 | V (RRM / drm): 100V; 110A RMS RCS. Pour les applications générales puspose de commande de phase | International Rectifier |
44177 | 2N1912 | Redresseur Commandé De Silicium | Microsemi |
44178 | 2N1912 | Thyristor 70 Amoeres Average(110 RMS De Commande De Phase) 600 Volts | Powerex Power Semiconductors |
44179 | 2N1912 | V (RRM / drm): 150V; 110A RMS RCS. Pour les applications générales puspose de commande de phase | International Rectifier |
44180 | 2N1913 | Redresseur Commandé De Silicium | Microsemi |
44181 | 2N1913 | Thyristor 70 Amoeres Average(110 RMS De Commande De Phase) 600 Volts | Powerex Power Semiconductors |
44182 | 2N1913 | V (RRM / drm): 200V; 110A RMS RCS. Pour les applications générales puspose de commande de phase | International Rectifier |
44183 | 2N1914 | Redresseur Commandé De Silicium | Microsemi |
44184 | 2N1914 | Thyristor 70 Amoeres Average(110 RMS De Commande De Phase) 600 Volts | Powerex Power Semiconductors |
44185 | 2N1914 | V (RRM / drm): 250V; 110A RMS RCS. Pour les applications générales puspose de commande de phase | International Rectifier |
44186 | 2N1915 | Redresseur Commandé De Silicium | Microsemi |
44187 | 2N1915 | Thyristor 70 Amoeres Average(110 RMS De Commande De Phase) 600 Volts | Powerex Power Semiconductors |
44188 | 2N1915 | V (RRM / drm): 300V; 110A RMS RCS. Pour les applications générales puspose de commande de phase | International Rectifier |
44189 | 2N1916 | Redresseur Commandé De Silicium | Microsemi |
44190 | 2N1916 | Thyristor 70 Amoeres Average(110 RMS De Commande De Phase) 600 Volts | Powerex Power Semiconductors |
44191 | 2N1916 | V (RRM / drm): 400V; 110A RMS RCS. Pour les applications générales puspose de commande de phase | International Rectifier |
44192 | 2N1973 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
44193 | 2N1974 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
44194 | 2N1975 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
44195 | 2N1983 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
44196 | 2N1984 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
44197 | 2N1985 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
44198 | 2N1986 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
44199 | 2N1987 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
44200 | 2N1988 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
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