|   Première page   |   Tous les fabricants   |   Par fonction   |  

Le numéro de la pièce, la description ou le fabricant des:
Saut rapide à:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Feuilles de datas trouvées :: 1351360Page: << | 1102 | 1103 | 1104 | 1105 | 1106 | 1107 | 1108 | 1109 | 1110 | 1111 | 1112 | >>
Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
442412N2102SILICIUM DU TRANSISTOR NPN D'CAmplificateurBoca Semiconductor Corporation
442422N2102Petit Usage universel Plombé De Transistor De SignalCentral Semiconductor
442432N21021.000W RF NPN métal peut transistor. 65V VCEO, 1.000A Ic, 40-120 hFE.Continental Device India Limited
442442N2102Puissance moyenne silicium de transistor planaire NPN.General Electric Solid State
442452N2102APetit Usage universel Plombé De Transistor De SignalCentral Semiconductor
442462N2107Petit Usage universel Plombé De Transistor De SignalCentral Semiconductor
442472N2150Transistor de NPNMicrosemi
442482N2151Transistor de NPNMicrosemi
442492N2175PETITS TRANSISTORS DE SIGNALCentral Semiconductor
442502N2175PETITS TRANSISTORS DE SIGNALCentral Semiconductor
442512N2177PETITS TRANSISTORS DE SIGNALCentral Semiconductor
442522N2177PETITS TRANSISTORS DE SIGNALCentral Semiconductor
442532N2192BPetit Usage universel Plombé De Transistor De SignalCentral Semiconductor
442542N2193TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPNMicro Electronics
442552N2193BPetit Usage universel Plombé De Transistor De SignalCentral Semiconductor
442562N2194Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO39.SemeLAB
442572N2194Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO39.SemeLAB
442582N2195BPetit Usage universel Plombé De Transistor De SignalCentral Semiconductor
442592N2205Petit Usage universel Plombé De Transistor De SignalCentral Semiconductor



442602N2218Transistor de NPNMicrosemi
442612N2218COMMUTATEURS Élevés De VitesseSGS Thomson Microelectronics
442622N2218COMMUTATEURS Élevés De VitesseSGS Thomson Microelectronics
442632N2218Transistors Planaires De Silicium de NPNSiemens
442642N2218Petit Usage universel Plombé De Transistor De SignalCentral Semiconductor
442652N2218Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO39.SemeLAB
442662N2218COMMUTATEURS Élevés De VitesseST Microelectronics
442672N22180.800W usage général NPN métal peut transistor. 30V VCEO, 0.800A Ic, 20 hFE.Continental Device India Limited
442682N2218NPN petit signal de l'amplificateur d'usage général et interrupteur.Fairchild Semiconductor
442692N2218-2N2219COMMUTATEURS Élevés De VitesseST Microelectronics
442702N2218ATransistor de NPNMicrosemi
442712N2218ATransistors Planaires De Silicium de NPNSiemens
442722N2218ATRANSISTORS PLANAIRES DE COMMUTATION DE SILICIUM DE NPNBoca Semiconductor Corporation
442732N2218APetit Usage universel Plombé De Transistor De SignalCentral Semiconductor
442742N2218A0.800W usage général NPN métal peut transistor. 40V VCEO, 0.800A Ic, 20 hFE.Continental Device India Limited
442752N2218ANPN petit signal de l'amplificateur d'usage général et interrupteur.Fairchild Semiconductor
442762N2218ALTransistor de NPNMicrosemi
442772N2218LTransistor de NPNMicrosemi
442782N2219Transistor de NPNMicrosemi
442792N2219COMMUTATEURS Élevés De VitesseSGS Thomson Microelectronics
442802N2219COMMUTATEURS Élevés De VitesseSGS Thomson Microelectronics
Feuilles de datas trouvées :: 1351360Page: << | 1102 | 1103 | 1104 | 1105 | 1106 | 1107 | 1108 | 1109 | 1110 | 1111 | 1112 | >>
English Version for this page Deutsche Version für diese Seite Versión española para esta página Versione italiana Versão portuguese para esta página Russian version Versiunea romaneasca



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com