|   Première page   |   Tous les fabricants   |   Par fonction   |  

Le numéro de la pièce, la description ou le fabricant des:
Saut rapide à:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Feuilles de datas trouvées :: 1351360Page: << | 1120 | 1121 | 1122 | 1123 | 1124 | 1125 | 1126 | 1127 | 1128 | 1129 | 1130 | >>
Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
449612N3032Redresseur Commandé De SiliciumMicrosemi
449622N3043TRANSISTOR DUEL D'CAmplificateurMotorola
449632N3043TRANSISTOR DUEL D'CAmplificateurMotorola
449642N3044TRANSISTOR DUEL D'CAmplificateurMotorola
449652N3044TRANSISTOR DUEL D'CAmplificateurMotorola
449662N3045TRANSISTOR DUEL D'CAmplificateurMotorola
449672N3045TRANSISTOR DUEL D'CAmplificateurMotorola
449682N3048TRANSISTOR DUEL D'CAmplificateurMotorola
449692N3048TRANSISTOR DUEL D'CAmplificateurMotorola
449702N3053TRANSISTORS DE SILICIUMMicro Electronics
449712N3053SILICIUM TOUT USAGE DE TRANSISTOR(npn)Boca Semiconductor Corporation
449722N3053TRANSISTOR PLANAIRE MOYEN DU SILICIUM NPN DE PUISSANCESemeLAB
449732N3053Petit Usage universel Plombé De Transistor De SignalCentral Semiconductor
449742N30535.000W usage général NPN métal peut transistor. 40V VCEO, 0.700A Ic, 50-250 hFE.Continental Device India Limited
449752N3053NPN petit signal amplificateur d'usage général.Fairchild Semiconductor
449762N3053Usage général, transistor NPN plane moyenne puissance de silicium.General Electric Solid State
449772N3053ASILICIUM TOUT USAGE DE TRANSISTOR(npn)Boca Semiconductor Corporation
449782N3053APetit Usage universel Plombé De Transistor De SignalCentral Semiconductor
449792N3053A7.000W usage général NPN métal peut transistor. 60V VCEO, 0.700A Ic, 25 hFE.Continental Device India Limited



449802N3053AUsage général, transistor NPN plane moyenne puissance de silicium.General Electric Solid State
449812N3054Usage universel Plombé De Transistor De PuissanceCentral Semiconductor
449822N3054ATRANSISTOR De PUISSANCE De NPN DANS Un PAQUET HERMÉTIQUESemeLAB
449832N3054AUsage universel Plombé De Transistor De PuissanceCentral Semiconductor
449842N3055TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMST Microelectronics
449852N3055Transistor de NPNMicrosemi
449862N3055Transistor de NPNMicrosemi
449872N3055TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
449882N3055TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
449892N3055TRANSISTOR DE NPN POUR LES ÉTAPES PUISSANTES DE RENDEMENT D'CAfSiemens
449902N3055PUISSANCE TRANSISTORS(1ä, 50v, 115w)MOSPEC Semiconductor
449912N3055TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMBoca Semiconductor Corporation
449922N3055SILICIUM COMPLÉMENTAIRE DE 15 D'CAmpère TRANSISTORS DE PUISSANCE 60 VOLTS 115 WATTSMotorola
449932N3055TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM DE 15 AMPÈRES 60, 120 VOLTS 115, 180 WATTSMotorola
449942N3055Usage universel Plombé De Transistor De PuissanceCentral Semiconductor
449952N3055Ç$ä 60V NPN Discret De PuissanceON Semiconductor
449962N3055115.000W Puissance NPN métal peut transistor. 60V VCEO, 15.000A Ic, 5 HFE.Continental Device India Limited
449972N3055Transistor de puissance à usage général.General Electric Solid State
449982N3055Transistor de puissance NPN 100V, 15ASemeLAB
449992N3055Haute puissance transistor NPN. Commutation d'usage général et de l'application de l'amplificateur. VCEO = 60 V cc, VceR = 70Vdc, Vcb = 100 V CC, Veb = 15 V cc, Ic = 7Adc, Ib = 7Adc, PD = 115W.USHA India LTD
450002N3055-DTransistors De haute puissance De Silicium ComplémentaireON Semiconductor
Feuilles de datas trouvées :: 1351360Page: << | 1120 | 1121 | 1122 | 1123 | 1124 | 1125 | 1126 | 1127 | 1128 | 1129 | 1130 | >>
English Version for this page Deutsche Version für diese Seite Versión española para esta página Versione italiana Versão portuguese para esta página Russian version Versiunea romaneasca



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com