| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 45241 | 2N3440 | AMPLIFICATEURS À HAUTE TENSION | Boca Semiconductor Corporation |
| 45242 | 2N3440 | TRANSISTORS À HAUTE TENSION DE NPN | SemeLAB |
| 45243 | 2N3440 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 45244 | 2N3440 | 1.000W haute tension NPN métal peut transistor. 250V VCEO, 1.000A Ic, 40-160 hFE. | Continental Device India Limited |
| 45245 | 2N3440 | Du silicium de haute tension à transistor NPN plane. | General Electric Solid State |
| 45246 | 2N3440CSM4R | HAUTE TENSION, PUISSANCE MOYENNE, TRANSISTOR De NPN DANS Un PAQUET EXTÉRIEUR EN CÉRAMIQUE HERMÉTIQUEMENT SCELLÉ De BÂTI POUR Des APPLICATIONS ÉLEVÉES De FIABILITÉ | SemeLAB |
| 45247 | 2N3440L | Transistor de NPN | Microsemi |
| 45248 | 2N3441 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 45249 | 2N3441 | PUISSANCE TRANSISTORS(á, 140v, 25w) | MOSPEC Semiconductor |
| 45250 | 2N3441 | TRANSISTOR DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPN | Boca Semiconductor Corporation |
| 45251 | 2N3441 | TRANSISTOR MOYEN DU SILICIUM NPN DE PUISSANCE | SemeLAB |
| 45252 | 2N3441 | Puissance moyenne de silicium transistor NPN. 160V, 25W. | General Electric Solid State |
| 45253 | 2N3442 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 45254 | 2N3442 | TRANSISTORS DE PUISSANCE | MOSPEC Semiconductor |
| 45255 | 2N3442 | TRANSISTORS INDUSTRIELS De haute puissance | Boca Semiconductor Corporation |
| 45256 | 2N3442 | 10 SILICIUM DU TRANSISTOR DE PUISSANCE D'CAmpère NPN 140 VOLTS 117 WATTS | Motorola |
| 45257 | 2N3442 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 45258 | 2N3442 | Puissance 10A 140V NPN Discret | ON Semiconductor |
| 45259 | 2N3442 | Haut transistor de puissance industrielle | Comset Semiconductors |
| 45260 | 2N3442 | Silicium à haute tension de transistor NPN. 160V 117W. | General Electric Solid State |
| 45261 | 2N3442-D | Transistors Industriels De haute puissance | ON Semiconductor |
| 45262 | 2N3444 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 45263 | 2N3445 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3 | SemeLAB |
| 45264 | 2N3447 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3 | SemeLAB |
| 45265 | 2N3467 | Transistor de PNP | Microsemi |
| 45266 | 2N3467 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 45267 | 2N3467 | Dactylographiez 2N3467 La Polarité PNP De la Géométrie 6706 | Semicoa Semiconductor |
| 45268 | 2N3467L | Transistor de PNP | Microsemi |
| 45269 | 2N3467L | Dactylographiez 2N3467L La Polarité PNP De la Géométrie 6706 | Semicoa Semiconductor |
| 45270 | 2N3468 | Transistor de PNP | Microsemi |
| 45271 | 2N3468 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 45272 | 2N3468 | Dactylographiez 2N3468 La Polarité PNP De la Géométrie 6706 | Semicoa Semiconductor |
| 45273 | 2N3468L | Transistor de PNP | Microsemi |
| 45274 | 2N3468L | Dactylographiez 2N3468L La Polarité PNP De la Géométrie 6706 | Semicoa Semiconductor |
| 45275 | 2N3478 | TRANSISTOR PLANAIRE DE SILICIUM DE NPN | Boca Semiconductor Corporation |
| 45276 | 2N3478 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 45277 | 2N3478 | 0.200W usage général NPN métal peut transistor. 15V VCEO, 0.050A Ic, 25-150 hFE. | Continental Device India Limited |
| 45278 | 2N3485 | Polarité PNP De la Géométrie 0600 Du Type 2C290Â De Morceau | Semicoa Semiconductor |
| 45279 | 2N3485A | Transistor de PNP | Microsemi |
| 45280 | 2N3485A | Polarité PNP De la Géométrie 0600 Du Type 2C290Â De Morceau | Semicoa Semiconductor |
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