| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 46841 | 2N5007 | 100 V, 10 A transistor PNP à grande vitesse | Solid State Devices Inc |
| 46842 | 2N5008 | TRANSISTOR À GRANDE VITESSE DE NPN 120 VOLTS | Solid State Devices Inc |
| 46843 | 2N5008 | TRANSISTOR À GRANDE VITESSE DE NPN 120 VOLTS | Solid State Devices Inc |
| 46844 | 2N5009 | TRANSISTOR À GRANDE VITESSE DE PNP | Philips |
| 46845 | 2N5009 | TRANSISTOR À GRANDE VITESSE DE PNP | Philips |
| 46846 | 2N5009 | 100 V, 10 A transistor PNP à grande vitesse | Solid State Devices Inc |
| 46847 | 2N5010 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN | SemeLAB |
| 46848 | 2N5010 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN | SemeLAB |
| 46849 | 2N5011 | Dispositif Bipolaire de NPN | SemeLAB |
| 46850 | 2N5011 | Dispositif Bipolaire de NPN | SemeLAB |
| 46851 | 2N5012 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO39 | SemeLAB |
| 46852 | 2N5013 | Dispositif Bipolaire de NPN | SemeLAB |
| 46853 | 2N5013 | 800 V, 0,5 transistor NPN une haute tension | Solid State Devices Inc |
| 46854 | 2N5014 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN | SemeLAB |
| 46855 | 2N5014 | 900 V, 0,5 transistor NPN une haute tension | Solid State Devices Inc |
| 46856 | 2N5015 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO39 | SemeLAB |
| 46857 | 2N5015 | 1000 V, 0,5 transistor NPN une haute tension | Solid State Devices Inc |
| 46858 | 2N5018 | P-Canal, Simple, Commutateur de JFET | Linear Systems |
| 46859 | 2N5018 | À canal P de l'interrupteur JFET. | Intersil |
| 46860 | 2N5019 | P-Canal, Simple, Commutateur de JFET | Linear Systems |
| 46861 | 2N5019 | À canal P de l'interrupteur JFET. | Intersil |
| 46862 | 2N5020 | Transistor D'Effet de champ De Jonction De Silicium De P-Canal | InterFET Corporation |
| 46863 | 2N5021 | Transistor D'Effet de champ De Jonction De Silicium De P-Canal | InterFET Corporation |
| 46864 | 2N5022 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE PNP | Central Semiconductor |
| 46865 | 2N5023 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE PNP | Central Semiconductor |
| 46866 | 2N5031 | TRANSISTORS DE PUISSANCE DISCRETS DE RF ET DE MICRO-onde BAS | Microsemi |
| 46867 | 2N5038 | HAUT TRANSISTOR DE SILICIUM DU COURANT NPN | ST Microelectronics |
| 46868 | 2N5038 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 46869 | 2N5038 | HAUT TRANSISTOR DE SILICIUM DU COURANT NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 46870 | 2N5038 | HAUT TRANSISTOR DE SILICIUM DU COURANT NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 46871 | 2N5038 | PUISSANCE TRANSISTORS(20a, 140w) | MOSPEC Semiconductor |
| 46872 | 2N5038 | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPN | Boca Semiconductor Corporation |
| 46873 | 2N5038 | Transistor De Silicium de NPN | ON Semiconductor |
| 46874 | 2N5038 | Courant élevé, haute puissance, transistor NPN silicium plane à grande vitesse. | General Electric Solid State |
| 46875 | 2N5038-D | Transistors De Silicium de NPN | ON Semiconductor |
| 46876 | 2N5039 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 46877 | 2N5039 | PUISSANCE TRANSISTORS(20a, 140w) | MOSPEC Semiconductor |
| 46878 | 2N5039 | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPN | Boca Semiconductor Corporation |
| 46879 | 2N5039 | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPN | ON Semiconductor |
| 46880 | 2N5039 | Courant élevé, haute puissance, transistor NPN silicium plane à grande vitesse. | General Electric Solid State |
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