Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
48001 | 2N5831 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPN | Micro Electronics |
48002 | 2N5831 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
48003 | 2N5831 | NPN petit signal à haute tension de l'amplificateur d'usage général. | Fairchild Semiconductor |
48004 | 2N5832 | Plastique-cas De Transistor de NPN Bipolaire | Micro Commercial Components |
48005 | 2N5832 | Vce = transistor de 5.0V | MCC |
48006 | 2N5833 | NPN petit signal à haute tension de l'amplificateur d'usage général. | Fairchild Semiconductor |
48007 | 2N5838 | TRANSISTORS de PUISSANCE À haute tension Et De haute puissance De N-p-n de SILICIUM | Motorola |
48008 | 2N5838 | Dispositif Bipolaire de NPN | SemeLAB |
48009 | 2N5838 | Haute tension, haute puissance silicium transistor de puissance NPN. | General Electric Solid State |
48010 | 2N5839 | TRANSISTORS de PUISSANCE À haute tension Et De haute puissance De N-p-n de SILICIUM | Motorola |
48011 | 2N5839 | Haute tension, haute puissance silicium transistor de puissance NPN. | General Electric Solid State |
48012 | 2N5840 | TRANSISTORS de PUISSANCE À haute tension Et De haute puissance De N-p-n de SILICIUM | Motorola |
48013 | 2N5840 | Haute tension, haute puissance silicium transistor de puissance NPN. | General Electric Solid State |
48014 | 2N5859 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
48015 | 2N5861 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
48016 | 2N5864 | Dispositif bipolaire de PNP dans un paquet hermétiquement scellé enmétal TO39. | SemeLAB |
48017 | 2N5864 | Dispositif bipolaire de PNP dans un paquet hermétiquement scellé enmétal TO39. | SemeLAB |
48018 | 2N5867 | Dispositif bipolaire de PNP dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3 | SemeLAB |
48019 | 2N5870 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3 | SemeLAB |
48020 | 2N5870 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3 | SemeLAB |
48021 | 2N5871 | Dispositif bipolaire de PNP dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3 | SemeLAB |
48022 | 2N5872 | Dispositif bipolaire de PNP dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3 | SemeLAB |
48023 | 2N5873 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3 | SemeLAB |
48024 | 2N5874 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3. | SemeLAB |
48025 | 2N5875 | PUISSANCE TRANSISTORS(10a, 150w) | MOSPEC Semiconductor |
48026 | 2N5875 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
48027 | 2N5876 | PUISSANCE TRANSISTORS(10a, 150w) | MOSPEC Semiconductor |
48028 | 2N5876 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
48029 | 2N5877 | PUISSANCE TRANSISTORS(10a, 150w) | MOSPEC Semiconductor |
48030 | 2N5877 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
48031 | 2N5878 | PUISSANCE TRANSISTORS(10a, 150w) | MOSPEC Semiconductor |
48032 | 2N5878 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
48033 | 2N5879 | PUISSANCE TRANSISTORS(1ä, 160w) | MOSPEC Semiconductor |
48034 | 2N5879 | TRANSISTORS De haute puissance de SILICIUM COMPLÉMENTAIRE | Boca Semiconductor Corporation |
48035 | 2N5879 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
48036 | 2N5880 | PUISSANCE TRANSISTORS(1ä, 160w) | MOSPEC Semiconductor |
48037 | 2N5880 | TRANSISTORS De haute puissance de SILICIUM COMPLÉMENTAIRE | Boca Semiconductor Corporation |
48038 | 2N5880 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
48039 | 2N5881 | PUISSANCE TRANSISTORS(1ä, 160w) | MOSPEC Semiconductor |
48040 | 2N5881 | TRANSISTORS De haute puissance de SILICIUM COMPLÉMENTAIRE | Boca Semiconductor Corporation |
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