| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 48081 | 2N5909 | AMPLIFICATEUR DUEL MONOLITHIQUE D'cUsage UNIVERSEL De la MANCHE JFET De N | Intersil |
| 48082 | 2N5910 | TRANSISTORS DE COMMUTATION DE SILICIUM DE PMP | Central Semiconductor |
| 48083 | 2N5911 | Gain Élevé Assorti | Vishay |
| 48084 | 2N5911 | Amplificateur Duel De Haute fréquence Du N-Canal JFET | Calogic |
| 48085 | 2N5911 | Le Gain À large bande Et Élevé, Monolithique Conjuguent, La Manche JFET De N | Linear Systems |
| 48086 | 2N5911 | Transistor à effet de champ de jonction de silicium N dual-channel | InterFET Corporation |
| 48087 | 2N5911 | JFET N Dual-channel. Amplificateur haute fréquence. | Intersil |
| 48088 | 2N5911-12 | Amplificateur Duel De Haute fréquence Du N-Canal JFET | Calogic |
| 48089 | 2N5911_D | JFET N Dual-channel. Amplificateur haute fréquence. | Intersil |
| 48090 | 2N5911_W | JFET N Dual-channel. Amplificateur haute fréquence. | Intersil |
| 48091 | 2N5912 | Gain Élevé Assorti | Vishay |
| 48092 | 2N5912 | Amplificateur Duel De Haute fréquence Du N-Canal JFET | Calogic |
| 48093 | 2N5912 | Le Gain À large bande Et Élevé, Monolithique Conjuguent, La Manche JFET De N | Linear Systems |
| 48094 | 2N5912 | Transistor à effet de champ de jonction de silicium N dual-channel | InterFET Corporation |
| 48095 | 2N5912 | JFET N Dual-channel. Amplificateur haute fréquence. | Intersil |
| 48096 | 2N5912C | Le Gain À large bande Et Élevé, Monolithique Conjuguent, La Manche JFET De N | Linear Systems |
| 48097 | 2N5912_D | JFET N Dual-channel. Amplificateur haute fréquence. | Intersil |
| 48098 | 2N5912_W | JFET N Dual-channel. Amplificateur haute fréquence. | Intersil |
| 48099 | 2N5930 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3 | SemeLAB |
| 48100 | 2N5933 | Dispositif Bipolaire de NPN | SemeLAB |
| 48101 | 2N5933 | Dispositif Bipolaire de NPN | SemeLAB |
| 48102 | 2N5934 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3 | SemeLAB |
| 48103 | 2N5937 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3 | SemeLAB |
| 48104 | 2N5937 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3 | SemeLAB |
| 48105 | 2N5945 | TRANSISTOR DE PUISSANCE DU SILICIUM RF DE NPN | Advanced Semiconductor |
| 48106 | 2N5945 | TRANSISTOR DE PUISSANCE DU SILICIUM RF DE NPN | Advanced Semiconductor |
| 48107 | 2N5949 | Usage universel Plombé de JFET | Central Semiconductor |
| 48108 | 2N5949 | SFET RF/vhf/Fréquence ultra-haute/Amplitiers | Fairchild Semiconductor |
| 48109 | 2N5950 | Usage universel Plombé de JFET | Central Semiconductor |
| 48110 | 2N5950 | SFET RF/vhf/Fréquence ultra-haute/Amplitiers | Fairchild Semiconductor |
| 48111 | 2N5951 | Usage universel Plombé de JFET | Central Semiconductor |
| 48112 | 2N5951 | SFET RF/vhf/Fréquence ultra-haute/Amplitiers | Fairchild Semiconductor |
| 48113 | 2N5952 | N-Canal Rf Ampifier | Fairchild Semiconductor |
| 48114 | 2N5952 | Usage universel Plombé de JFET | Central Semiconductor |
| 48115 | 2N5952_D74Z | Amplificateur Du N-Canal Rf | Fairchild Semiconductor |
| 48116 | 2N5952_D75Z | Amplificateur Du N-Canal Rf | Fairchild Semiconductor |
| 48117 | 2N5953 | Usage universel Plombé de JFET | Central Semiconductor |
| 48118 | 2N5953 | SFET RF/vhf/Fréquence ultra-haute/Amplitiers | Fairchild Semiconductor |
| 48119 | 2N5954 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 48120 | 2N5954 | Silicon PNP de transistor de moyenne puissance. -90V, 40W. | General Electric Solid State |
| | | |
