| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 48161 | 2N6032 | Haute-courant, haute puissance, haute vitesse silicium transistor NPN. | General Electric Solid State |
| 48162 | 2N6033 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 48163 | 2N6033 | Dispositif Bipolaire de NPN | SemeLAB |
| 48164 | 2N6033 | Haute-courant, haute puissance, haute vitesse silicium transistor NPN. | General Electric Solid State |
| 48165 | 2N6034 | Transistor De Puissance Plombé Darlington | Central Semiconductor |
| 48166 | 2N6034 | PUISSANCE DAR;omgtons DE MIDIUM | ST Microelectronics |
| 48167 | 2N6034 | W moyenne puissance PNP Transistor plastique plomb. VCEO 40V, Ic A, hFE. | Continental Device India Limited |
| 48168 | 2N6034 | PNP transistor de puissance de Darlington moyen, 4A, 40V | SGS Thomson Microelectronics |
| 48169 | 2N6035 | Transistor De Puissance Plombé Darlington | Central Semiconductor |
| 48170 | 2N6035 | Transistors De Puissance Complémentaires En plastique De Silicium De Darlington | ON Semiconductor |
| 48171 | 2N6035 | PUISSANCE DAR;omgtons DE MIDIUM | ST Microelectronics |
| 48172 | 2N6035 | PNP transistor de puissance de Darlington moyen, 4A, 60V | SGS Thomson Microelectronics |
| 48173 | 2N6035-D | Transistors De Puissance Complémentaires En plastique De Silicium De Darlington | ON Semiconductor |
| 48174 | 2N6036 | TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUM | ST Microelectronics |
| 48175 | 2N6036 | TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
| 48176 | 2N6036 | TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
| 48177 | 2N6036 | Transistor De Puissance Plombé Darlington | Central Semiconductor |
| 48178 | 2N6036 | Puissance  80V PNPD | ON Semiconductor |
| 48179 | 2N6036 | 40.000W moyenne puissance PNP Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 4.000A Ic, 100 hFE. | Continental Device India Limited |
| 48180 | 2N6037 | Transistor De Puissance Plombé Darlington | Central Semiconductor |
| 48181 | 2N6037 | PUISSANCE DAR;omgtons DE MIDIUM | ST Microelectronics |
| 48182 | 2N6037 | 40.000W moyenne puissance PNP Transistor plastique plomb. 40V VCEO, 4.000A Ic, 750-15000 hFE. | Continental Device India Limited |
| 48183 | 2N6037 | NPN transistor de puissance de Darlington moyen, 4A, 40V | SGS Thomson Microelectronics |
| 48184 | 2N6038 | Transistor De Puissance Plombé Darlington | Central Semiconductor |
| 48185 | 2N6038 | Transistors De Puissance Complémentaires En plastique De Silicium De Darlington | ON Semiconductor |
| 48186 | 2N6038 | PUISSANCE DAR;omgtons DE MIDIUM | ST Microelectronics |
| 48187 | 2N6038 | 40.000W moyenne puissance PNP Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 4.000A Ic, 750-15000 hFE. | Continental Device India Limited |
| 48188 | 2N6038 | NPN transistor de puissance de Darlington moyen, 4A, 60V | SGS Thomson Microelectronics |
| 48189 | 2N6039 | TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUM | ST Microelectronics |
| 48190 | 2N6039 | TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
| 48191 | 2N6039 | TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
| 48192 | 2N6039 | Transistor De Puissance Plombé Darlington | Central Semiconductor |
| 48193 | 2N6039 | Puissance  80V NPND | ON Semiconductor |
| 48194 | 2N6039 | W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. VCEO 40V, Ic A, hFE. | Continental Device India Limited |
| 48195 | 2N6040 | PUISSANCE TRANSISTORS(10a, 80w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48196 | 2N6040 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM DE DARLINGTON | Boca Semiconductor Corporation |
| 48197 | 2N6040 | Transistor De Puissance Plombé Darlington | Central Semiconductor |
| 48198 | 2N6040 | Puissance Ĺ 60V Darlington PNP | ON Semiconductor |
| 48199 | 2N6040-D | Transistors Complémentaires De Silicium De Milieu-Puissance En plastique | ON Semiconductor |
| 48200 | 2N6041 | PUISSANCE TRANSISTORS(10a, 80w) | MOSPEC Semiconductor |
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