| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 48441 | 2N6211 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 48442 | 2N6211 | Haute tension, moyenne puissance transistor PNP de silicium. | General Electric Solid State |
| 48443 | 2N6212 | Transistor de PNP | Microsemi |
| 48444 | 2N6212 | PUISSANCE TRANSISTORS(à, 35W) | MOSPEC Semiconductor |
| 48445 | 2N6212 | TRANSISTORS de PUISSANCE À HAUTE TENSION De la Milieu-puissance PNP | Boca Semiconductor Corporation |
| 48446 | 2N6212 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 48447 | 2N6212 | Haute tension, moyenne puissance transistor PNP de silicium. | General Electric Solid State |
| 48448 | 2N6213 | Transistor de PNP | Microsemi |
| 48449 | 2N6213 | PUISSANCE TRANSISTORS(à, 35W) | MOSPEC Semiconductor |
| 48450 | 2N6213 | TRANSISTORS de PUISSANCE À HAUTE TENSION De la Milieu-puissance PNP | Boca Semiconductor Corporation |
| 48451 | 2N6213 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 48452 | 2N6213 | Haute tension, moyenne puissance transistor PNP de silicium. | General Electric Solid State |
| 48453 | 2N6214 | Haute tension, moyenne puissance transistor PNP de silicium. | General Electric Solid State |
| 48454 | 2N6226 | Dispositif Bipolaire de PNP | SemeLAB |
| 48455 | 2N6227 | Dispositif Bipolaire de PNP | SemeLAB |
| 48456 | 2N6227 | Dispositif Bipolaire de PNP | SemeLAB |
| 48457 | 2N6229 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 48458 | 2N6230 | Dispositif bipolaire de PNP dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3 | SemeLAB |
| 48459 | 2N6231 | TRANSISTOR DE PUISSANCE DE SILICIUM | Central Semiconductor |
| 48460 | 2N6231 | TRANSISTOR DE PUISSANCE DE SILICIUM | Central Semiconductor |
| 48461 | 2N6232 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 48462 | 2N6233 | 4 SILICIUM DU TRANSISTOR DE PUISSANCE D'CAmpère PNP | Motorola |
| 48463 | 2N6234 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO66. | SemeLAB |
| 48464 | 2N6235 | 4 SILICIUM DU TRANSISTOR DE PUISSANCE D'CAmpère PNP | Motorola |
| 48465 | 2N6235 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO66 | SemeLAB |
| 48466 | 2N6240 | Thyristors de blocage renversés de triode de redresseurs commandésde silicium | Motorola |
| 48467 | 2N6240 | Thyristors de blocage renversés de triode de redresseurs commandésde silicium | Motorola |
| 48468 | 2N6240-D | Thyristors De Blocage Renversés De Triode | ON Semiconductor |
| 48469 | 2N6246 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 48470 | 2N6246 | Dispositif Bipolaire de PNP | SemeLAB |
| 48471 | 2N6246 | Épitaxiale base, PNP transistor de silicium de haute puissance. -70V, 125W. | General Electric Solid State |
| 48472 | 2N6247 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 48473 | 2N6247 | Dispositif bipolaire de PNP dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3 | SemeLAB |
| 48474 | 2N6247 | Épitaxiale base, PNP transistor de silicium de haute puissance. -90V, 125W. | General Electric Solid State |
| 48475 | 2N6248 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 48476 | 2N6248 | Épitaxiale base, PNP transistor de silicium de haute puissance. -110V, 125W. | General Electric Solid State |
| 48477 | 2N6249 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 48478 | 2N6249 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPN | Central Semiconductor |
| 48479 | 2N6249 | 300V, 30A, 175W silicium NPN switcing transistor. | General Electric Solid State |
| 48480 | 2N6250 | Transistor de NPN | Microsemi |
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