| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 48521 | 2N6283 | PUISSANCE TRANSISTORS(20a, 160w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48522 | 2N6283 | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE DARLINGTON COPLEMENTARY | Boca Semiconductor Corporation |
| 48523 | 2N6283 | Transistor De Puissance Plombé Darlington | Central Semiconductor |
| 48524 | 2N6283 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM DE DARLINGTON | ON Semiconductor |
| 48525 | 2N6283 | 20 Un NPN et PNP complémentaire transistor de puissance Darlington monolithique. Cote la plus haute 80 V (min) tension. 160 W. | General Electric Solid State |
| 48526 | 2N6284 | TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUM | ST Microelectronics |
| 48527 | 2N6284 | Transistor de NPN Darlington | Microsemi |
| 48528 | 2N6284 | TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
| 48529 | 2N6284 | TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
| 48530 | 2N6284 | PUISSANCE TRANSISTORS(20a, 160w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48531 | 2N6284 | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE DARLINGTON COPLEMENTARY | Boca Semiconductor Corporation |
| 48532 | 2N6284 | Transistor De Puissance Plombé Darlington | Central Semiconductor |
| 48533 | 2N6284 | Puissance 20A 100V Darlington NPN | ON Semiconductor |
| 48534 | 2N6284 | 20 Un NPN et PNP complémentaire transistor de puissance Darlington monolithique. Note ŕ haute tension de 100 V (min). 160 W. | General Electric Solid State |
| 48535 | 2N6284-D | Transistors De Puissance Complémentaires De Silicium De Darlington | ON Semiconductor |
| 48536 | 2N6285 | PUISSANCE TRANSISTORS(20a, 160w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48537 | 2N6285 | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE DARLINGTON COPLEMENTARY | Boca Semiconductor Corporation |
| 48538 | 2N6285 | Transistor De Puissance Plombé Darlington | Central Semiconductor |
| 48539 | 2N6285 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM DE DARLINGTON | ON Semiconductor |
| 48540 | 2N6285 | 20 Un NPN et PNP complémentaire transistor de puissance Darlington monolithique. Cote la plus haute 60 V (min) tension. 160 W. | General Electric Solid State |
| 48541 | 2N6286 | Transistor de PNP Darlington | Microsemi |
| 48542 | 2N6286 | PUISSANCE TRANSISTORS(20a, 160w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48543 | 2N6286 | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE DARLINGTON COPLEMENTARY | Boca Semiconductor Corporation |
| 48544 | 2N6286 | Transistor De Puissance Plombé Darlington | Central Semiconductor |
| 48545 | 2N6286 | Puissance 20A 80V Darlington PNP | ON Semiconductor |
| 48546 | 2N6286 | 20 Un NPN et PNP complémentaire transistor de puissance Darlington monolithique. Cote la plus haute 80 V (min) tension. 160 W. | General Electric Solid State |
| 48547 | 2N6287 | TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUM | ST Microelectronics |
| 48548 | 2N6287 | Transistor de PNP Darlington | Microsemi |
| 48549 | 2N6287 | TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
| 48550 | 2N6287 | TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
| 48551 | 2N6287 | PUISSANCE TRANSISTORS(20a, 160w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48552 | 2N6287 | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE DARLINGTON COPLEMENTARY | Boca Semiconductor Corporation |
| 48553 | 2N6287 | Transistor De Puissance Plombé Darlington | Central Semiconductor |
| 48554 | 2N6287 | Puissance 20A 100V Darlington PNP | ON Semiconductor |
| 48555 | 2N6287 | 20 Un NPN et PNP complémentaire transistor de puissance Darlington monolithique. Note ŕ haute tension de 100 V (min). 160 W. | General Electric Solid State |
| 48556 | 2N6288 | PUISSANCE TRANSISTORS(7a, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48557 | 2N6288 | Épitaxial-base, SILICIUM N-p-n ET TRANSISTORS De P-n-p VERSAWATT | Boca Semiconductor Corporation |
| 48558 | 2N6288 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 48559 | 2N6288 | Puissance 7A 30V NPN Discret | ON Semiconductor |
| 48560 | 2N6288 | 40.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 30V VCEO, 7.000A Ic, 30-150 hFE. 2N6111 complémentaire | Continental Device India Limited |
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