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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
487612N6420Usage universel Plombé De Transistor De PuissanceCentral Semiconductor
487622N6420Haute tension, moyenne puissance transistor PNP de silicium.General Electric Solid State
487632N6421PUISSANCE TRANSISTORS(35w)MOSPEC Semiconductor
487642N6421TRANSISTORS de PUISSANCE À HAUTE TENSION De Milieu-puissance COMPLÉMENTAIREBoca Semiconductor Corporation
487652N6421Usage universel Plombé De Transistor De PuissanceCentral Semiconductor
487662N6421Haute tension, moyenne puissance transistor PNP de silicium.General Electric Solid State
487672N6422PUISSANCE TRANSISTORS(35w)MOSPEC Semiconductor
487682N6422TRANSISTORS de PUISSANCE À HAUTE TENSION De Milieu-puissance COMPLÉMENTAIREBoca Semiconductor Corporation
487692N6422Usage universel Plombé De Transistor De PuissanceCentral Semiconductor
487702N6422Haute tension, moyenne puissance transistor PNP de silicium.General Electric Solid State
487712N6423PUISSANCE TRANSISTORS(35w)MOSPEC Semiconductor
487722N6423TRANSISTORS de PUISSANCE À HAUTE TENSION De Milieu-puissance COMPLÉMENTAIREBoca Semiconductor Corporation
487732N6423Usage universel Plombé De Transistor De PuissanceCentral Semiconductor
487742N6423Haute tension, moyenne puissance transistor PNP de silicium.General Electric Solid State
487752N6424Usage universel Plombé De Transistor De PuissanceCentral Semiconductor
487762N6424Transistor PNP, 225V, 0.25ASemeLAB
487772N6425Usage universel Plombé De Transistor De PuissanceCentral Semiconductor
487782N6425Dispositif bipolaire de PNP dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO66SemeLAB



487792N6426Transistor de NPN DarlingtonFairchild Semiconductor
487802N6426Petit Transistor Plombé Darlington De SignalCentral Semiconductor
487812N6426Petit Signal Darlington NPNON Semiconductor
487822N6426-DSilicium Des Transistors NPN De DarlingtonON Semiconductor
487832N6426RLRAPetit Signal Darlington NPNON Semiconductor
487842N6426_D26ZTransistor de NPN DarlingtonFairchild Semiconductor
487852N6426_D74ZTransistor de NPN DarlingtonFairchild Semiconductor
487862N6427Transistor de NPN DarlingtonFairchild Semiconductor
487872N6427Transistor de NPN DarlingtonPhilips
487882N6427Petit Transistor Plombé Darlington De SignalCentral Semiconductor
487892N6427Petit Signal Darlington NPNON Semiconductor
487902N6427TRANSISTOR ÉPITAXIAL DU SILICIUM DARLINGTON DE NPNSamsung Electronic
487912N6427RLRAPetit Signal Darlington NPNON Semiconductor
487922N6427_D26ZTransistor de NPN DarlingtonFairchild Semiconductor
487932N6427_D27ZTransistor de NPN DarlingtonFairchild Semiconductor
487942N6427_D75ZTransistor de NPN DarlingtonFairchild Semiconductor
487952N6428Petit Usage universel Plombé De Transistor De SignalCentral Semiconductor
487962N6428TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPNSamsung Electronic
487972N6428transistors de l'amplificateur. Tension collecteur-émetteur: 50V = VCEO. Tension collecteur-base: 60V = VCBO. Collector dissipation: Pc (max) = 625mW.USHA India LTD
487982N6428ATRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPNSamsung Electronic
487992N6428Atransistors de l'amplificateur. Tension collecteur-émetteur: 50V = VCEO. Tension collecteur-base: 60V = VCBO. Collector dissipation: Pc (max) = 625mW.USHA India LTD
488002N6430Petit Usage universel Plombé De Transistor De SignalCentral Semiconductor
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