Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
48761 | 2N6420 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
48762 | 2N6420 | Haute tension, moyenne puissance transistor PNP de silicium. | General Electric Solid State |
48763 | 2N6421 | PUISSANCE TRANSISTORS(35w) | MOSPEC Semiconductor |
48764 | 2N6421 | TRANSISTORS de PUISSANCE À HAUTE TENSION De Milieu-puissance COMPLÉMENTAIRE | Boca Semiconductor Corporation |
48765 | 2N6421 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
48766 | 2N6421 | Haute tension, moyenne puissance transistor PNP de silicium. | General Electric Solid State |
48767 | 2N6422 | PUISSANCE TRANSISTORS(35w) | MOSPEC Semiconductor |
48768 | 2N6422 | TRANSISTORS de PUISSANCE À HAUTE TENSION De Milieu-puissance COMPLÉMENTAIRE | Boca Semiconductor Corporation |
48769 | 2N6422 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
48770 | 2N6422 | Haute tension, moyenne puissance transistor PNP de silicium. | General Electric Solid State |
48771 | 2N6423 | PUISSANCE TRANSISTORS(35w) | MOSPEC Semiconductor |
48772 | 2N6423 | TRANSISTORS de PUISSANCE À HAUTE TENSION De Milieu-puissance COMPLÉMENTAIRE | Boca Semiconductor Corporation |
48773 | 2N6423 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
48774 | 2N6423 | Haute tension, moyenne puissance transistor PNP de silicium. | General Electric Solid State |
48775 | 2N6424 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
48776 | 2N6424 | Transistor PNP, 225V, 0.25A | SemeLAB |
48777 | 2N6425 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
48778 | 2N6425 | Dispositif bipolaire de PNP dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO66 | SemeLAB |
48779 | 2N6426 | Transistor de NPN Darlington | Fairchild Semiconductor |
48780 | 2N6426 | Petit Transistor Plombé Darlington De Signal | Central Semiconductor |
48781 | 2N6426 | Petit Signal Darlington NPN | ON Semiconductor |
48782 | 2N6426-D | Silicium Des Transistors NPN De Darlington | ON Semiconductor |
48783 | 2N6426RLRA | Petit Signal Darlington NPN | ON Semiconductor |
48784 | 2N6426_D26Z | Transistor de NPN Darlington | Fairchild Semiconductor |
48785 | 2N6426_D74Z | Transistor de NPN Darlington | Fairchild Semiconductor |
48786 | 2N6427 | Transistor de NPN Darlington | Fairchild Semiconductor |
48787 | 2N6427 | Transistor de NPN Darlington | Philips |
48788 | 2N6427 | Petit Transistor Plombé Darlington De Signal | Central Semiconductor |
48789 | 2N6427 | Petit Signal Darlington NPN | ON Semiconductor |
48790 | 2N6427 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DU SILICIUM DARLINGTON DE NPN | Samsung Electronic |
48791 | 2N6427RLRA | Petit Signal Darlington NPN | ON Semiconductor |
48792 | 2N6427_D26Z | Transistor de NPN Darlington | Fairchild Semiconductor |
48793 | 2N6427_D27Z | Transistor de NPN Darlington | Fairchild Semiconductor |
48794 | 2N6427_D75Z | Transistor de NPN Darlington | Fairchild Semiconductor |
48795 | 2N6428 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
48796 | 2N6428 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN | Samsung Electronic |
48797 | 2N6428 | transistors de l'amplificateur. Tension collecteur-émetteur: 50V = VCEO. Tension collecteur-base: 60V = VCBO. Collector dissipation: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
48798 | 2N6428A | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN | Samsung Electronic |
48799 | 2N6428A | transistors de l'amplificateur. Tension collecteur-émetteur: 50V = VCEO. Tension collecteur-base: 60V = VCBO. Collector dissipation: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
48800 | 2N6430 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| | | |