| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 48841 | 2N6469 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 48842 | 2N6469 | Épitaxiale base, PNP transistor de silicium de haute puissance. -50 V, 125W. | General Electric Solid State |
| 48843 | 2N6470 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 48844 | 2N6471 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 48845 | 2N6472 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 48846 | 2N6473 | COMMUTATION COMPLÉMENTAIRE TRANSITORS DE SILICIUM | Central Semiconductor |
| 48847 | 2N6473 | Épitaxial-base, SILICIUM N-p-n ET TRANSISTORS De P-n-p VERSAWATT | Boca Semiconductor Corporation |
| 48848 | 2N6473 | Épitaxiale base, le silicium transistor NPN VERSAWATT. 110V. | General Electric Solid State |
| 48849 | 2N6474 | COMMUTATION COMPLÉMENTAIRE TRANSITORS DE SILICIUM | Central Semiconductor |
| 48850 | 2N6474 | 130 V, épitaxiale base selicon NPN versawatt transistor | Boca Semiconductor Corporation |
| 48851 | 2N6474 | Épitaxiale base, le silicium transistor NPN VERSAWATT. 130V. | General Electric Solid State |
| 48852 | 2N6475 | COMMUTATION COMPLÉMENTAIRE TRANSITORS DE SILICIUM | Central Semiconductor |
| 48853 | 2N6475 | Épitaxial-base, SILICIUM N-p-n ET TRANSISTORS De P-n-p VERSAWATT | Boca Semiconductor Corporation |
| 48854 | 2N6475 | Épitaxiale base, le silicium transistor PNP VERSAWATT. -110V. | General Electric Solid State |
| 48855 | 2N6476 | COMMUTATION COMPLÉMENTAIRE TRANSITORS DE SILICIUM | Central Semiconductor |
| 48856 | 2N6476 | Épitaxial-Base, silicium N-p-n et transistors de P-n-p VERSAWATT | Boca Semiconductor Corporation |
| 48857 | 2N6476 | Épitaxiale base, le silicium transistor PNP VERSAWATT. -130V. | General Electric Solid State |
| 48858 | 2N6477 | TRANSISTORS MOYENS DU SILICIUM NPN DE PUISSANCE | General Electric Solid State |
| 48859 | 2N6477 | TRANSISTORS MOYENS DU SILICIUM NPN DE PUISSANCE | General Electric Solid State |
| 48860 | 2N6478 | TRANSISTORS MOYENS DU SILICIUM NPN DE PUISSANCE | General Electric Solid State |
| 48861 | 2N6478 | TRANSISTORS MOYENS DU SILICIUM NPN DE PUISSANCE | General Electric Solid State |
| 48862 | 2N6486 | PUISSANCE TRANSISTORS(1ä, 75w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48863 | 2N6486 | TRANSISTORS DE PUISSANCE EN PLASTIQUE DE NPN/pnp | Boca Semiconductor Corporation |
| 48864 | 2N6486 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 48865 | 2N6486 | 75.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 40V VCEO, 15.000A Ic, 20-150 hFE. | Continental Device India Limited |
| 48866 | 2N6486 | 15A, 75W, silicium transistor NPN épitaxiale base VERSAWATT. 50V. | General Electric Solid State |
| 48867 | 2N6487 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | ST Microelectronics |
| 48868 | 2N6487 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
| 48869 | 2N6487 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
| 48870 | 2N6487 | PUISSANCE TRANSISTORS(1ä, 75w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48871 | 2N6487 | TRANSISTORS DE PUISSANCE EN PLASTIQUE DE NPN/pnp | Boca Semiconductor Corporation |
| 48872 | 2N6487 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 48873 | 2N6487 | Ç$ä 80V NPN Discret De Puissance | ON Semiconductor |
| 48874 | 2N6487 | 75.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 15.000A Ic, 20-150 hFE. | Continental Device India Limited |
| 48875 | 2N6487 | 15A, 75W, silicium transistor NPN épitaxiale base VERSAWATT. 70V. | General Electric Solid State |
| 48876 | 2N6487-D | Transistors De Puissance En plastique De Silicium Complémentaire 2N6487 | ON Semiconductor |
| 48877 | 2N6488 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | ST Microelectronics |
| 48878 | 2N6488 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
| 48879 | 2N6488 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
| 48880 | 2N6488 | PUISSANCE TRANSISTORS(1ä, 75w) | MOSPEC Semiconductor |
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