Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
48921 | 2N6500 | TRANSISTORS PLANAIRES ÉPITAXIAUX À GRANDE VITESSE DU SILICIUM NPN DECOLLECTEUR | General Electric Solid State |
48922 | 2N6500 | Transistor NPN, 110V, 4A | SemeLAB |
48923 | 2N6502 | Petit Transistor Plombé De Signal Duel | Central Semiconductor |
48924 | 2N6504 | Redresseurs Commandés De Silicium | ON Semiconductor |
48925 | 2N6504 | Redresseurs Commandés De Silicium | ON Semiconductor |
48926 | 2N6504 | Thyristor, 25 ampères, 50 volts | Teccor Electronics |
48927 | 2N6504-D | Thyristors De Blocage Renversés | ON Semiconductor |
48928 | 2N6505 | Redresseurs Commandés De Silicium | ON Semiconductor |
48929 | 2N6505 | Redresseurs Commandés De Silicium | ON Semiconductor |
48930 | 2N6505 | Thyristor, 25 ampères, 100 volts | Teccor Electronics |
48931 | 2N6505T | Redresseurs Commandés De Silicium | ON Semiconductor |
48932 | 2N6505T | Redresseurs Commandés De Silicium | ON Semiconductor |
48933 | 2N6506 | Thyristor, 25 ampères, 200 volts | Teccor Electronics |
48934 | 2N6507 | Redresseurs Commandés De Silicium | ON Semiconductor |
48935 | 2N6507 | Redresseurs Commandés De Silicium | ON Semiconductor |
48936 | 2N6507 | Thyristor, 25 ampères, 400 volts | Teccor Electronics |
48937 | 2N6507T | Redresseurs Commandés De Silicium | ON Semiconductor |
48938 | 2N6507T | Redresseurs Commandés De Silicium | ON Semiconductor |
48939 | 2N6508 | Redresseurs Commandés De Silicium | ON Semiconductor |
48940 | 2N6508 | Redresseurs Commandés De Silicium | ON Semiconductor |
48941 | 2N6508 | Thyristor, 25 ampères, 600 volts | Teccor Electronics |
48942 | 2N6509 | Redresseurs Commandés De Silicium | ON Semiconductor |
48943 | 2N6509 | Redresseurs Commandés De Silicium | ON Semiconductor |
48944 | 2N6509T | Redresseurs Commandés De Silicium | ON Semiconductor |
48945 | 2N6509T | Redresseurs Commandés De Silicium | ON Semiconductor |
48946 | 2N6511 | Dispositif Bipolaire de NPN | SemeLAB |
48947 | 2N6512 | Dispositif Bipolaire de NPN | SemeLAB |
48948 | 2N6512 | Dispositif Bipolaire de NPN | SemeLAB |
48949 | 2N6515 | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN - Transistor À haute tension | Fairchild Semiconductor |
48950 | 2N6515 | Transistor À haute tension 625mW | Micro Commercial Components |
48951 | 2N6515 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
48952 | 2N6515 | Transistors À haute tension | ON Semiconductor |
48953 | 2N6515 | 0.625W usage général NPN Transistor plastique plomb. 250V VCEO, 0,500A Ic, 35 HFE - | Continental Device India Limited |
48954 | 2N6515 | Ic = 500mA, transistor Vce = 10V | MCC |
48955 | 2N6515 | Les transistors à haute tension. Tension collecteur-émetteur: 250V = VCEO. Tension collecteur-base: 250V = VCBO. Collector dissipation: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
48956 | 2N6515-D | Transistors À haute tension | ON Semiconductor |
48957 | 2N6515RLRM | Transistors À haute tension | ON Semiconductor |
48958 | 2N6516 | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN - Transistor À haute tension | Fairchild Semiconductor |
48959 | 2N6516 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
48960 | 2N6516 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN | Samsung Electronic |
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