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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
489612N65160.625W usage général NPN Transistor plastique plomb. 300V VCEO, 0,500A Ic, 30 HFE -Continental Device India Limited
489622N6516Les transistors à haute tension. Tension collecteur-émetteur: 250V = VCEO. Tension collecteur-base: 250V = VCBO. Collector dissipation: Pc (max) = 625mW.USHA India LTD
489632N6517Transistor Épitaxial De Silicium de NPN - Transistor À haute tensionFairchild Semiconductor
489642N6517TRANSISTOR DE PUISSANCE MOYEN PLANAIRE DE SILICIUM DE NPNZetex Semiconductors
489652N6517Transistor À haute tension 625mWMicro Commercial Components
489662N6517Petit Usage universel Plombé De Transistor De SignalCentral Semiconductor
489672N6517Transistors À haute tensionON Semiconductor
489682N6517TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPNSamsung Electronic
489692N65170.625W usage général NPN Transistor plastique plomb. 350V VCEO, 0,500A Ic, 20 HFE -Continental Device India Limited
489702N6517Ic = 500mA, transistor Vce = 10VMCC
489712N6517Les transistors à haute tension. Tension collecteur-émetteur: 350V = VCEO. Tension collecteur-base: 350V = VCBO. Collector dissipation: Pc (max) = 625mW.USHA India LTD
489722N6517BUTransistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
489732N6517CBUTransistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
489742N6517CTATransistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
489752N6517RLRATransistors À haute tensionON Semiconductor
489762N6517RLRPTransistors À haute tensionON Semiconductor
489772N6517TATransistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
489782N6518Transistor Épitaxial De Silicium de PNP - Transistor À haute tensionFairchild Semiconductor



489792N6518Petit Usage universel Plombé De Transistor De SignalCentral Semiconductor
489802N6518TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNPSamsung Electronic
489812N6518Les transistors à haute tension. Tension collecteur-émetteur: VCEO = 250V. Tension collecteur-base: VCBO = 250V. Collector dissipation: Pc (max) = 0.625W.USHA India LTD
489822N6518BUTransistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
489832N6518TATransistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
489842N6519Transistor Épitaxial De Silicium de PNP - Transistor À haute tensionFairchild Semiconductor
489852N6519Transistor À haute tension 625mWMicro Commercial Components
489862N6519Petit Usage universel Plombé De Transistor De SignalCentral Semiconductor
489872N6519Transistors À haute tensionON Semiconductor
489882N6519TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNPSamsung Electronic
489892N65190.625W usage général PNP Transistor plastique plomb. 300V VCEO, 0,500A Ic, 30 HFE -Continental Device India Limited
489902N6519Ic = 500mA, transistor Vce = 10VMCC
489912N6519Les transistors à haute tension. Tension collecteur-émetteur: VCEO = -300V. Tension collecteur-base: VCBO = -300V. Collector dissipation: Pc (max) = 0.625W.USHA India LTD
489922N6519BUTransistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
489932N6519RLRATransistors à haute tensionON Semiconductor
489942N6519TATransistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
489952N6520Transistor Épitaxial De Silicium de PNP - Transistor À haute tensionFairchild Semiconductor
489962N6520TRANSISTOR DE PUISSANCE MOYEN PLANAIRE DE SILICIUM DE PNPZetex Semiconductors
489972N6520Transistor À haute tension 625mWMicro Commercial Components
489982N6520Petit Usage universel Plombé De Transistor De SignalCentral Semiconductor
489992N6520Transistors À haute tensionON Semiconductor
490002N6520TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNPSamsung Electronic
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