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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
490412N6547TRANSISTOR DE SILICIUM DE LA PUISSANCE ÉLEVÉE NPNSGS Thomson Microelectronics
490422N6547PUISSANCE TRANSISTORS(1ä, 175w)MOSPEC Semiconductor
490432N6547TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE LA SÉRIE NPN DE SWITCHMODEBoca Semiconductor Corporation
490442N6547Usage universel Plombé De Transistor De PuissanceCentral Semiconductor
490452N6547TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPNON Semiconductor
490462N6547-DTransistors De Puissance De Silicium De la Série NPN de SWITCHMODEON Semiconductor
490472N6548Transistor De Puissance Plombé DarlingtonCentral Semiconductor
490482N6549Transistor De Puissance Plombé DarlingtonCentral Semiconductor
490492N6550Transistor à effet de champ de jonction de silicium N-ChannelInterFET Corporation
490502N6551Les transistors complémentaires de silicium construits par le processus planaire epitaial ont conçu pour l'amplificateur audio tout usageCentral Semiconductor
490512N6552Les transistors complémentaires de silicium construits par le processus planaire epitaial ont conçu pour l'amplificateur audio tout usageCentral Semiconductor
490522N6553Les transistors complémentaires de silicium construits par le processus planaire epitaial ont conçu pour l'amplificateur audio tout usageCentral Semiconductor
490532N6554Les transistors complémentaires de silicium construits par le processus planaire epitaial ont conçu pour l'amplificateur audio tout usageCentral Semiconductor
490542N6555Les transistors complémentaires de silicium construits par le processus planaire epitaial ont conçu pour l'amplificateur audio tout usageCentral Semiconductor
490552N6556Les transistors complémentaires de silicium construits par le processus planaire epitaial ont conçu pour l'amplificateur audio tout usageCentral Semiconductor
490562N6560Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3.SemeLAB
490572N6560Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3.SemeLAB
490582N6564Thyristor Plombé De ThyristorCentral Semiconductor



490592N6564300 V, redresseur commandé au siliciumBoca Semiconductor Corporation
490602N6565Thyristor Plombé De ThyristorCentral Semiconductor
490612N6565SCRs SensibleTeccor Electronics
490622N6565400 V, redresseur commandé au siliciumBoca Semiconductor Corporation
490632N6569PUISSANCE TRANSISTORS(1à, 40v, 100w)MOSPEC Semiconductor
490642N6569Usage universel Plombé De Transistor De PuissanceCentral Semiconductor
490652N656APetit Usage universel Plombé De Transistor De SignalCentral Semiconductor
490662N657TRANSISTOR PLANAIRE DE SILICIUM DE NPNContinental Device India Limited
490672N657TRANSISTOR PLANAIRE DE SILICIUM DE NPNContinental Device India Limited
490682N6575Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3SemeLAB
490692N6575Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3SemeLAB
490702N6576Transistor De Puissance Plombé DarlingtonCentral Semiconductor
490712N657615 PUISSANCE TRAN DE L'CAmpère NPN DARLINGTONGeneral Semiconductor
490722N657615 Un NPN Darlington transistor de puissance. 60 V. 120 W. Gain de l'année 2000 à 4 A.General Electric Solid State
490732N6577Dispositif Bipolaire de NPNSemeLAB
490742N6577Transistor De Puissance Plombé DarlingtonCentral Semiconductor
490752N657715 PUISSANCE TRAN DE L'CAmpère NPN DARLINGTONGeneral Semiconductor
490762N657715 Un NPN Darlington transistor de puissance. 90 V. 120 W. Gain de l'année 2000 à 4 A.General Electric Solid State
490772N6578Transistor De Puissance Plombé DarlingtonCentral Semiconductor
490782N657815 PUISSANCE TRAN DE L'CAmpère NPN DARLINGTONGeneral Semiconductor
490792N6578TRANSISTOR BIPOLAIRE DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE NPNSemeLAB
490802N657815 Un NPN Darlington transistor de puissance. 120 V. 120 W. Gain de l'année 2000 à 4 A.General Electric Solid State
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