| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 49121 | 2N6660 | Le N-Canal 60-V (D-s) choisissent et quadruplent des transistors MOSFET | Vishay |
| 49122 | 2N6661 | TRANSISTOR de MOS de MODE de PERFECTIONNEMENT De N-canal | SemeLAB |
| 49123 | 2N6661 | TRANSISTORS DE FET DE COMMUTATION DE TMOS | Motorola |
| 49124 | 2N6661 | FETS Verticaux Du Perfectionnement-Mode DMOS De N-Canal | Supertex Inc |
| 49125 | 2N6661 | N-Canal 80-V et TRANSISTORS MOSFET 90-V (D-s) | Vishay |
| 49126 | 2N6666 | PUISSANCE TRANSISTORS(65w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49127 | 2N6666 | TRANSISTORS EN PLASTIQUE de SILICIUM De Milieu-puissance | Boca Semiconductor Corporation |
| 49128 | 2N6666 | Transistor De Puissance Plombé Darlington | Central Semiconductor |
| 49129 | 2N6666 | 10 transistor de puissance PNP Darlington. -40 V. 65 W. gain de 1000 à 3 A. | General Electric Solid State |
| 49130 | 2N6667 | PUISSANCE TRANSISTORS(65w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49131 | 2N6667 | TRANSISTORS EN PLASTIQUE de SILICIUM De Milieu-puissance | Boca Semiconductor Corporation |
| 49132 | 2N6667 | Transistor De Puissance Plombé Darlington | Central Semiconductor |
| 49133 | 2N6667 | Puissance Å 60V Darlington PNP | ON Semiconductor |
| 49134 | 2N6667 | 10 transistor de puissance PNP Darlington. -60 V. 65 W. gain de 1000 à 5 A. | General Electric Solid State |
| 49135 | 2N6667-D | Transistors De Puissance De Silicium De Darlington | ON Semiconductor |
| 49136 | 2N6668 | TRANSISTOR DE LA PUISSANCE DARLINGTON DU SILICIUM PNP | ST Microelectronics |
| 49137 | 2N6668 | TRANSISTOR DE LA PUISSANCE DARLINGTON DU SILICIUM PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 49138 | 2N6668 | TRANSISTOR DE LA PUISSANCE DARLINGTON DU SILICIUM PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 49139 | 2N6668 | PUISSANCE TRANSISTORS(65w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49140 | 2N6668 | TRANSISTORS EN PLASTIQUE de SILICIUM De Milieu-puissance | Boca Semiconductor Corporation |
| 49141 | 2N6668 | Transistor De Puissance Plombé Darlington | Central Semiconductor |
| 49142 | 2N6668 | Puissance Å 80V Darlington PNP | ON Semiconductor |
| 49143 | 2N6668 | 10 transistor de puissance PNP Darlington. -80 V. 65 W. gain de 1000 à 5 A. | General Electric Solid State |
| 49144 | 2N6671 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 49145 | 2N6671 | 5 transistor de puissance Une SwitchMax. Haute tension type NPN. | General Electric Solid State |
| 49146 | 2N6672 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 49147 | 2N6672 | 5 transistor de puissance Une SwitchMax. Haute tension type NPN. | General Electric Solid State |
| 49148 | 2N6673 | Dispositif Bipolaire de NPN | SemeLAB |
| 49149 | 2N6673 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 49150 | 2N6673 | 5 transistor de puissance Une SwitchMax. Haute tension type NPN. | General Electric Solid State |
| 49151 | 2N6674 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 49152 | 2N6674 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE PUISSANCE DE NPN | Microsemi |
| 49153 | 2N6675 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 49154 | 2N6675 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE PUISSANCE DE NPN | Microsemi |
| 49155 | 2N6676 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 49156 | 2N6676 | PUISSANCE TRANSISTORS(1ä, 175w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49157 | 2N6676 | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPN | Boca Semiconductor Corporation |
| 49158 | 2N6676 | 15 transistor de puissance Une SwitchMax. Haute tension type NPN. | General Electric Solid State |
| 49159 | 2N6676 | Transistor de puissance NPN de silicium. 15 A, 300 V, 175 W. | Motorola |
| 49160 | 2N6677 | PUISSANCE TRANSISTORS(1ä, 175w) | MOSPEC Semiconductor |
| | | |
