| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 498841 | HM514800LJP-8 | 80 ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoire | Hitachi Semiconductor |
| 498842 | HM514800LRR-10 | 100 ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoire | Hitachi Semiconductor |
| 498843 | HM514800LRR-7 | 70ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoire | Hitachi Semiconductor |
| 498844 | HM514800LRR-8 | 80 ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoire | Hitachi Semiconductor |
| 498845 | HM514800LTT-10 | 100 ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoire | Hitachi Semiconductor |
| 498846 | HM514800LTT-7 | 70ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoire | Hitachi Semiconductor |
| 498847 | HM514800LTT-8 | 80 ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoire | Hitachi Semiconductor |
| 498848 | HM514800LZP-10 | 100 ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoire | Hitachi Semiconductor |
| 498849 | HM514800LZP-7 | 70ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoire | Hitachi Semiconductor |
| 498850 | HM514800LZP-8 | 80 ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoire | Hitachi Semiconductor |
| 498851 | HM514800RR-10 | 100 ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoire | Hitachi Semiconductor |
| 498852 | HM514800RR-7 | 70ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoire | Hitachi Semiconductor |
| 498853 | HM514800RR-8 | 80 ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoire | Hitachi Semiconductor |
| 498854 | HM514800TT-10 | 100 ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoire | Hitachi Semiconductor |
| 498855 | HM514800TT-7 | 70ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoire | Hitachi Semiconductor |
| 498856 | HM514800TT-8 | 80 ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoire | Hitachi Semiconductor |
| 498857 | HM514800ZP-10 | 100 ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoire | Hitachi Semiconductor |
| 498858 | HM514800ZP-7 | 70ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoire | Hitachi Semiconductor |
| 498859 | HM514800ZP-8 | 80 ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoire | Hitachi Semiconductor |
| 498860 | HM5164165F | la DRACHME d'EDO de 64M (4-Mword x de 16 bits) 8k refresh/4k régénèrent | Hitachi Semiconductor |
| 498861 | HM5164165FJ-5 | la DRACHME d'EDO de 64M (4-Mword x de 16 bits) 8k refresh/4k régénèrent | Hitachi Semiconductor |
| 498862 | HM5164165FJ-6 | la DRACHME d'EDO de 64M (4-Mword x de 16 bits) 8k refresh/4k régénèrent | Hitachi Semiconductor |
| 498863 | HM5164165FLJ-5 | la DRACHME d'EDO de 64M (4-Mword x de 16 bits) 8k refresh/4k régénèrent | Hitachi Semiconductor |
| 498864 | HM5164165FLJ-6 | la DRACHME d'EDO de 64M (4-Mword x de 16 bits) 8k refresh/4k régénèrent | Hitachi Semiconductor |
| 498865 | HM5164165FLTT-5 | la DRACHME d'EDO de 64M (4-Mword x de 16 bits) 8k refresh/4k régénèrent | Hitachi Semiconductor |
| 498866 | HM5164165FLTT-6 | la DRACHME d'EDO de 64M (4-Mword x de 16 bits) 8k refresh/4k régénèrent | Hitachi Semiconductor |
| 498867 | HM5164165FTT-5 | la DRACHME d'EDO de 64M (4-Mword x de 16 bits) 8k refresh/4k régénèrent | Hitachi Semiconductor |
| 498868 | HM5164165FTT-6 | la DRACHME d'EDO de 64M (4-Mword x de 16 bits) 8k refresh/4k régénèrent | Hitachi Semiconductor |
| 498869 | HM5164165J-5 | 64M EDO DRAM (4 Mword x 16 bits), 50ns | Hitachi Semiconductor |
| 498870 | HM5164165J-6 | 64M EDO DRAM (4 Mword x 16 bits), 60ns | Hitachi Semiconductor |
| 498871 | HM5164165LJ-5 | 64M EDO DRAM (4 Mword x 16 bits), 50ns | Hitachi Semiconductor |
| 498872 | HM5164165LJ-6 | 64M EDO DRAM (4 Mword x 16 bits), 60ns | Hitachi Semiconductor |
| 498873 | HM5164165LTT-5 | 64M EDO DRAM (4 Mword x 16 bits), 50ns | Hitachi Semiconductor |
| 498874 | HM5164165LTT-6 | 64M EDO DRAM (4 Mword x 16 bits), 60ns | Hitachi Semiconductor |
| 498875 | HM5164165TT-5 | 64M EDO DRAM (4 Mword x 16 bits), 50ns | Hitachi Semiconductor |
| 498876 | HM5164165TT-6 | 64M EDO DRAM (4 Mword x 16 bits), 60ns | Hitachi Semiconductor |
| 498877 | HM5164405FJ-5 | 16M x 4 bits EDO DRAM, 50ns | Hitachi Semiconductor |
| 498878 | HM5164405FJ-6 | 16M x 4 bits EDO DRAM, 60ns | Hitachi Semiconductor |
| 498879 | HM5164405FLJ-5 | 16M x 4 bits EDO DRAM, 50ns | Hitachi Semiconductor |
| 498880 | HM5164405FLJ-6 | 16M x 4 bits EDO DRAM, 60ns | Hitachi Semiconductor |
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