| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 501521 | HN29W12811 | 128M ET mémoire instantanée de type plus que 8/029-sector (135/657/984-bit) | Hitachi Semiconductor |
| 501522 | HN29W12811T-60 | 128M ET mémoire instantanée de type plus que 8/029-sector (135/657/984-bit) | Hitachi Semiconductor |
| 501523 | HN29W25611 | 256M ET mémoire instantanée de type plus que 16/057-sector (271/299/072-bit) | Hitachi Semiconductor |
| 501524 | HN29W25611T | 256M ET mémoire instantanée de type plus que 16/057-sector (271/299/072-bit) | Hitachi Semiconductor |
| 501525 | HN29W25611T-50 | 256M ET mémoire instantanée de type plus que 16/057-sector (271/299/072-bit) | Hitachi Semiconductor |
| 501526 | HN29W25611T-50H | 256M ET mémoire instantanée de type plus que 16/057-sector (271/299/072-bit) | Hitachi Semiconductor |
| 501527 | HN2A01FE | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 501528 | HN2A01FU | Applications Tout usage Épitaxiales D'Amplificateur De Fréquence Sonore De Type Du Silicium PNP De Transistor (Processus de PCT) | TOSHIBA |
| 501529 | HN2A26FS | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 501530 | HN2C01FE | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 501531 | HN2C01FU | Applications Tout usage Épitaxiales D'Amplificateur De Fréquence Sonore De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT) | TOSHIBA |
| 501532 | HN2C10FT | APPLICATIONS D'CAmplificateur DE BRUIT DE BANDE PLANAIRE ÉPITAXIALE DU TYPE VHF~uhf DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR BASSES | TOSHIBA |
| 501533 | HN2C10FU | Transistors D'Hybride de Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 501534 | HN2C11FU | Transistors D'Hybride de Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 501535 | HN2C12FT | APPLICATIONS D'CAmplificateur DE BRUIT DE BANDE PLANAIRE ÉPITAXIALE DU TYPE VHF~uhf DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR BASSES | TOSHIBA |
| 501536 | HN2C12FU | Transistors D'Hybride de Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 501537 | HN2C13FT | Nouveaux Produits de Rf | TOSHIBA |
| 501538 | HN2C14FT | Nouveaux Produits de Rf | TOSHIBA |
| 501539 | HN2C26FS | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 501540 | HN2D01F | Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 501541 | HN2D01FU | Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 501542 | HN2D01JE | Diode de commutation | TOSHIBA |
| 501543 | HN2D02FU | Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 501544 | HN2D02FUTW1T1 | Diodes ultra haute vitesse de commutation | ON Semiconductor |
| 501545 | HN2D03F | Diode de commutation | TOSHIBA |
| 501546 | HN2E04F | Multi-Chip dispositif discret (PNP + diode SW) | TOSHIBA |
| 501547 | HN2S01F | Application À grande vitesse Épitaxiale De Commutation De Basse Tension De Type De Barrière De Schottky De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 501548 | HN2S01FU | Application À grande vitesse Épitaxiale De Commutation De Basse Tension De Type De Barrière De Schottky De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 501549 | HN2S02FU | Diode Schottky barrière small-signal | TOSHIBA |
| 501550 | HN2S02JE | Diode Schottky barrière small-signal | TOSHIBA |
| 501551 | HN2S03FE | Diode Schottky barrière small-signal | TOSHIBA |
| 501552 | HN2S03FU | Diode Schottky barrière small-signal | TOSHIBA |
| 501553 | HN2S03T | Diode Schottky barrière small-signal | TOSHIBA |
| 501554 | HN2S04FU | Diode Schottky barrière small-signal | TOSHIBA |
| 501555 | HN2V02H | Applications D'Accord De Capacité De Bande Par radio Variable De la Diode AM | TOSHIBA |
| 501556 | HN327 | Transistor Planaire Épitaxial De Silicium de PNP | Honey Technology |
| 501557 | HN327 | Transistor planaire épitaxial de silicium de PNP pour des applications de commutation et d'amplificateur | Semtech |
| 501558 | HN328 | Transistor Planaire Épitaxial De Silicium de PNP | Honey Technology |
| 501559 | HN328 | Transistor planaire épitaxial de silicium de PNP pour des applications de commutation et d'amplificateur | Semtech |
| 501560 | HN337 | Transistor Planaire Épitaxial De Silicium de NPN | Honey Technology |
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