| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 51201 | 2SA497-O | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP | Unknow |
| 51202 | 2SA497-O | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP | Unknow |
| 51203 | 2SA497-R | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP | Unknow |
| 51204 | 2SA497-R | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP | Unknow |
| 51205 | 2SA497-Y | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP | Unknow |
| 51206 | 2SA497-Y | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP | Unknow |
| 51207 | 2SA498 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP | Unknow |
| 51208 | 2SA498 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP | Unknow |
| 51209 | 2SA498 | Transistor PNP pour les applications de l'amplificateur de puissance moyenne | TOSHIBA |
| 51210 | 2SA498-O | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP | Unknow |
| 51211 | 2SA498-O | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP | Unknow |
| 51212 | 2SA498-R | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP | Unknow |
| 51213 | 2SA498-R | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP | Unknow |
| 51214 | 2SA498-Y | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP | Unknow |
| 51215 | 2SA498-Y | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP | Unknow |
| 51216 | 2SA505 | PROCESSUS ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP TYPE(pct) | TOSHIBA |
| 51217 | 2SA510 | TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP | TOSHIBA |
| 51218 | 2SA510 | TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP | TOSHIBA |
| 51219 | 2SA512 | TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP | TOSHIBA |
| 51220 | 2SA512 | TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP | TOSHIBA |
| 51221 | 2SA52 | TRANSISTOR DE JONCTION D'ALLIAGE DU GERMANIUM PNP | Unknow |
| 51222 | 2SA52 | TRANSISTOR DE JONCTION D'ALLIAGE DU GERMANIUM PNP | Unknow |
| 51223 | 2SA532 | Amplificateurs et commutateurs de puissance moyens | Micro Electronics |
| 51224 | 2SA539 | Amplificateur à basse fréquence. Tension collecteur-base: VCBO = -60V. Tension collecteur-émetteur: VCEO = -45V. Tension émetteur-base Vebo = 5V. Collector dissipation: Pc (max) = 400 mW. | USHA India LTD |
| 51225 | 2SA542 | Amplificateur à basse fréquence. Tension collecteur-base: VCBO = -30V. Tension collecteur-émetteur: VCEO = -25V. Tension émetteur-base Vebo = 5V. Collector dissipation: Pc (max) = 250 mW. | USHA India LTD |
| 51226 | 2SA561 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE PNP | Micro Electronics |
| 51227 | 2SA562 | TO-92 Plastique-Encapsulent Des Transistors | Unknow |
| 51228 | 2SA562 | TO-92 Plastique-Encapsulent Des Transistors | Unknow |
| 51229 | 2SA562TM | Applications épitaxiales d'amplificateur d'étape de conducteur d'applications d'amplificateur de puissance de fréquence sonore de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) basses commutant des applications | TOSHIBA |
| 51230 | 2SA564 | Niveau bas et amplificateurs tout usage | Micro Electronics |
| 51231 | 2SA564 | Petits Transistors De Signal De Fréquence Sonore | Semiconductor Technology |
| 51232 | 2SA573 | TRANSISTOR DE SI PNP | Unknow |
| 51233 | 2SA573 | TRANSISTOR DE SI PNP | Unknow |
| 51234 | 2SA574 | TRANSISTOR DE SI PNP | Unknow |
| 51235 | 2SA574 | TRANSISTOR DE SI PNP | Unknow |
| 51236 | 2SA603 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP | Unknow |
| 51237 | 2SA603 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP | Unknow |
| 51238 | 2SA606 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP/npn | Unknow |
| 51239 | 2SA606 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP/npn | Unknow |
| 51240 | 2SA607 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP/npn | Unknow |
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