| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 53121 | 2SC1988 | DE NPN HAUT FREQUNY TRANSISTOR DU SILICIUM | NEC |
| 53122 | 2SC2000 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPN | NEC |
| 53123 | 2SC2000 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPN | NEC |
| 53124 | 2SC2001 | TO-92 Plastique-Encapsulent Des Transistors | Unknow |
| 53125 | 2SC2001 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPN | NEC |
| 53126 | 2SC2001 | Amplificateurs et commutateurs de puissance moyens | Unknow |
| 53127 | 2SC2001 | TO-92 Plastique-Encapsulent Des Transistors | Unknow |
| 53128 | 2SC2001 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPN | NEC |
| 53129 | 2SC2001 | Amplificateurs et commutateurs de puissance moyens | Unknow |
| 53130 | 2SC2001 | Transistor. Applications générales de haute disipation de puissance totale. Tension collecteur-base VCBO = 30V. Tension collecteur-émetteur VCEO = 25V. Tension émetteur-base Vebo = 5V. Collector dissipation Pc (max) = 600 mW. Collecteu | USHA India LTD |
| 53131 | 2SC2002 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPN | NEC |
| 53132 | 2SC2002 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPN | NEC |
| 53133 | 2SC2003 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPN | NEC |
| 53134 | 2SC2003 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPN | NEC |
| 53135 | 2SC2020 | TRANSISTOR DE PUISSANCE DE RP | SONY |
| 53136 | 2SC2020 | TRANSISTOR DE PUISSANCE DE RP | SONY |
| 53137 | 2SC2021 | Petits Transistors Généraux De Silicium D'Amp. Epitaxial Planar NPN De Signal | ROHM |
| 53138 | 2SC2023 | Transistor Du Silicium NPN | Sanken |
| 53139 | 2SC2026 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPN | NEC |
| 53140 | 2SC2026 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPN | NEC |
| 53141 | 2SC2028 | TRANSISTOR DE FUJITSU | Fujitsu Microelectronics |
| 53142 | 2SC2028 | TRANSISTOR DE FUJITSU | Fujitsu Microelectronics |
| 53143 | 2SC2028/2 | TRANSISTOR DE FUJITSU | Fujitsu Microelectronics |
| 53144 | 2SC2028/2 | TRANSISTOR DE FUJITSU | Fujitsu Microelectronics |
| 53145 | 2SC2034 | Planaire Épitaxial Du Silicium NPN | Unknow |
| 53146 | 2SC2034 | Planaire Épitaxial Du Silicium NPN | Unknow |
| 53147 | 2SC2036 | TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN DE TOSHIBA TRANSTSTOR | TOSHIBA |
| 53148 | 2SC2036 | TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN DE TOSHIBA TRANSTSTOR | TOSHIBA |
| 53149 | 2SC2043 | 2SC2043 | Fuji Electric |
| 53150 | 2SC2043 | 2SC2043 | Fuji Electric |
| 53151 | 2SC2050 | 2SC2050 | Unknow |
| 53152 | 2SC2050 | 2SC2050 | Unknow |
| 53153 | 2SC2053 | TRANSISTOR DE PUISSANCE DE MITSUBISHI RF | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53154 | 2SC2055 | TRANSISTOR DE PUISSANCE DE MITSUBISHI RF | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53155 | 2SC2056 | TRANSISTOR DE PUISSANCE DE MITSUBISHI RF | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53156 | 2SC2058 | PLANAIRE ÉPITAXIAL DU TRANSISTOR NPN | ROHM |
| 53157 | 2SC2058 | PLANAIRE ÉPITAXIAL DU TRANSISTOR NPN | ROHM |
| 53158 | 2SC2058S | > de transistors; Petit signal Transistors(up bipolaire à 0.6W) | ROHM |
| 53159 | 2SC2060 | TO-92MOD Plastique-Encapsulent Des Transistors | Unknow |
| 53160 | 2SC2060 | TRANSISTORS À 92CL TO-92ls MRT | ROHM |
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