| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 53401 | 2SC2468 | AMPLIFICATEUR À FRÉQUENCE ULTRA-HAUTE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53402 | 2SC2468 | AMPLIFICATEUR À FRÉQUENCE ULTRA-HAUTE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53403 | 2SC2469 | AMPLIFICATEUR À FRÉQUENCE ULTRA-HAUTE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53404 | 2SC2469 | AMPLIFICATEUR À FRÉQUENCE ULTRA-HAUTE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53405 | 2SC2471 | Transistor Du Silicium NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53406 | 2SC2471 | Silicium NPN Épitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 53407 | 2SC2472 | AMPLIFICATEUR À FRÉQUENCE ULTRA-HAUTE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN | Unknow |
| 53408 | 2SC2472 | AMPLIFICATEUR À FRÉQUENCE ULTRA-HAUTE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN | Unknow |
| 53409 | 2SC2480 | Dispositif small-signal - transistor small-signal - à haute fréquence pour des tuners | Panasonic |
| 53410 | 2SC2482 | COMMUTATION À HAUTE TENSION DIFFUSE TRIPLE DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR ET AMPLIFICATEUR, COULEUR TV HORIZ. CONDUCTEUR ET APPLICATIONS DE RENDEMENT DE CHROMA DE LA COULEUR TV | TOSHIBA |
| 53411 | 2SC2484 | Silicon NPN de base épitaxiale transistor mesa, 80V, 5A | Panasonic |
| 53412 | 2SC2485 | TRANSISTOR BAS DU SILICIUM EPITAXAL LESA | Panasonic |
| 53413 | 2SC2486 | TRANSISTOR BAS DU SILICIUM EPITAXAL LESA | Panasonic |
| 53414 | 2SC2488 | MESA ÉPITAXIAL DE SI NPN | Panasonic |
| 53415 | 2SC2489 | MESA ÉPITAXIAL DE SI NPN | Panasonic |
| 53416 | 2SC2497 | Dispositif De Puissance - Transistors De Puissance - D'autres | Panasonic |
| 53417 | 2SC2497A | Dispositif De Puissance - Transistors De Puissance - D'autres | Panasonic |
| 53418 | 2SC2498 | Application D'Amplificateur De Bruit De Bande Planaire Épitaxiale Du Type VHF~uhf Du Silicium NPN De Transistor Basse | TOSHIBA |
| 53419 | 2SC2500 | APPLICATIONS MOYENNES D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT) DE STROBOSCOPE D'CApplications ÉPITAXIALES D'CInstantané | TOSHIBA |
| 53420 | 2SC2502 | PUISSANCE TRANSISTORS(6.0a, 400v, 50w) | MOSPEC Semiconductor |
| 53421 | 2SC2504 | 100W T10V | Shindengen |
| 53422 | 2SC2510 | APPLICATIONS LINÉAIRES PLANAIRES ÉPITAXIALES D'CAmplificateur DE PUISSANCE DU TYPE 2~30cMcHz SSB DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (UTILISATION DE TENSION D'CAlimentation 28CV) | TOSHIBA |
| 53423 | 2SC2512 | Transistor Du Silicium NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53424 | 2SC2512 | Triple Du Silicium NPN Diffus | Hitachi Semiconductor |
| 53425 | 2SC2517 | Transistor de silicium | NEC |
| 53426 | 2SC2517-S | Transistor de silicium | NEC |
| 53427 | 2SC2517-Z | Transistor de silicium | NEC |
| 53428 | 2SC2518 | TRANSISTOR DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPN | NEC |
| 53429 | 2SC2518 | TRANSISTOR DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPN | NEC |
| 53430 | 2SC2519 | PLANAIRE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN | Panasonic |
| 53431 | 2SC2519 | PLANAIRE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN | Panasonic |
| 53432 | 2SC2525 | TRANSISTOR DE PUISSANCE À GRANDE VITESSE DE SILICIUM | Fujitsu Microelectronics |
| 53433 | 2SC2525 | TRANSISTOR (APPLICATIONS D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE FRÉQUENCE SONORE) | TOSHIBA |
| 53434 | 2SC2526 | TRANSISTOR DE PUISSANCE À GRANDE VITESSE DE SILICIUM | Fujitsu Microelectronics |
| 53435 | 2SC2527 | TRANSISTOR DE PUISSANCE À GRANDE VITESSE DE SILICIUM | Fujitsu Microelectronics |
| 53436 | 2SC2527 | TRANSISTOR DE PUISSANCE À GRANDE VITESSE DE SILICIUM | Fujitsu Microelectronics |
| 53437 | 2SC2532 | Étape de conducteur épitaxiale d'applications d'amplificateur de fréquence sonore de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) pour des applications de compensation de température d'actions de lampe de LED | TOSHIBA |
| 53438 | 2SC2538 | TYPE PLANAIRE ÉPITAXIAL DU TRANSISTOR DE PUISSANCE DE RF NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53439 | 2SC2539 | TYPE PLANAIRE ÉPITAXIAL DU TRANSISTOR DE PUISSANCE DE RF NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53440 | 2SC2540 | TYPE PLANAIRE ÉPITAXIAL DU TRANSISTOR DE PUISSANCE DE RF NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
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