| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 53641 | 2SC2833A | MESA Diffus Triple De Jonction Du Silicium NPN | Unknow |
| 53642 | 2SC2833A | MESA Diffus Triple De Jonction Du Silicium NPN | Unknow |
| 53643 | 2SC2833A | Si NPN triple diffuse. Commutation à grande vitesse. | Panasonic |
| 53644 | 2SC2834 | Type De MESA De Jonction Triple-Diffus par NPN De Silicium | Unknow |
| 53645 | 2SC2834 | Type De MESA De Jonction Triple-Diffus par NPN De Silicium | Unknow |
| 53646 | 2SC2834A | Type De MESA De Jonction Triple-Diffus par NPN De Silicium | Unknow |
| 53647 | 2SC2834A | Type De MESA De Jonction Triple-Diffus par NPN De Silicium | Unknow |
| 53648 | 2SC2837 | Transistor Du Silicium NPN | Sanken |
| 53649 | 2SC2837 | PUISSANCE TRANSISTORS(10a, 150v, 100w) | MOSPEC Semiconductor |
| 53650 | 2SC2839 | Applications Planaires Épitaxiales D'Amplificateur d'À haute fréquence De Transistor De Silicium de NPN | SANYO |
| 53651 | 2SC2840 | Transistor Planaire Épitaxial De Silicium De Type de NPN | SANYO |
| 53652 | 2SC2840 | Transistor Planaire Épitaxial De Silicium De Type de NPN | SANYO |
| 53653 | 2SC2841 | Si NPN triple diffusée mesa. Haute vitesse de commutation de puissance. | Panasonic |
| 53654 | 2SC2845 | PLANAIRE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN | Panasonic |
| 53655 | 2SC2845 | PLANAIRE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN | Panasonic |
| 53656 | 2SC2851 | Transistors (guide de choix par Applications et fonctions) | Panasonic |
| 53657 | 2SC2853 | Transistor Du Silicium NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53658 | 2SC2853 | Silicium NPN Épitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 53659 | 2SC2853 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 53660 | 2SC2854 | Transistor Du Silicium NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53661 | 2SC2854 | Silicium NPN Épitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 53662 | 2SC2855 | Transistor Du Silicium NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53663 | 2SC2855 | Silicium NPN Épitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 53664 | 2SC2856 | Transistor Du Silicium NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53665 | 2SC2856 | Silicium NPN Épitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 53666 | 2SC2856 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 53667 | 2SC2857 | Applications À haute tension Diffuses Triples De Conducteur De Transistor Planaire De Silicium de NPN | SANYO |
| 53668 | 2SC2859 | Applications épitaxiales d'amplificateur d'étape de conducteur d'applications d'amplificateur de puissance de fréquence sonore du silicium NPN de transistor (processus de PCT) basses commutant des applications | TOSHIBA |
| 53669 | 2SC2860 | Planaire Épitaxial Du Silicium NPN | Panasonic |
| 53670 | 2SC2860 | Planaire Épitaxial Du Silicium NPN | Panasonic |
| 53671 | 2SC2869 | Bas amplificateur de bruit de bande de VHF et de fréquence ultra-haute | NEC |
| 53672 | 2SC2869 | TRANSISTOR DE HAUTE FRÉQUENCE DE SILICIUM DE NPN | NEC |
| 53673 | 2SC2869 | Bas amplificateur de bruit de bande de VHF et de fréquence ultra-haute | NEC |
| 53674 | 2SC2869 | TRANSISTOR DE HAUTE FRÉQUENCE DE SILICIUM DE NPN | NEC |
| 53675 | 2SC2873 | Les applications épitaxiales d'amplificateur de puissance de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) actionnent des applications de commutation | TOSHIBA |
| 53676 | 2SC2878 | Type épitaxial du silicium NPN de transistor pour des applications assourdissantes et de changements | TOSHIBA |
| 53677 | 2SC2879 | APPLICATIONS LINÉAIRES PLANAIRES ÉPITAXIALES D'CAmplificateur DE PUISSANCE DU TYPE 2~30cMcHz SSB DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (BASSE UTILISATION DE TENSION D'CAlimentation) | TOSHIBA |
| 53678 | 2SC2880 | Le silicium NPN de transistor triplent des applications à haute tension diffuses de commutation de type (processus de PCT) | TOSHIBA |
| 53679 | 2SC2881 | Applications épitaxiales d'amplificateur de puissance d'applications d'amplificateur de tension de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) | TOSHIBA |
| 53680 | 2SC2882 | Applications épitaxiales d'amplificateur de tension d'applications d'amplificateur de puissance de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) | TOSHIBA |
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