| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 53681 | 2SC2883 | APPLICATIONS AUDIO ÉPITAXIALES D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT) | TOSHIBA |
| 53682 | 2SC2884 | APPLICATIONS AUDIO ÉPITAXIALES D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT) | TOSHIBA |
| 53683 | 2SC2885 | Transistor de silicium | NEC |
| 53684 | 2SC2893 | TRANSISTOR DE PUISSANCE DU SILICIUM RF DE NPN | Advanced Semiconductor |
| 53685 | 2SC2898 | Transistor Du Silicium NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53686 | 2SC2898 | Triple Du Silicium NPN Diffus | Hitachi Semiconductor |
| 53687 | 2SC2898 | Transistors>Switching/Bipolar | Renesas |
| 53688 | 2SC2899 | Transistor Du Silicium NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53689 | 2SC2899 | Triple Du Silicium NPN Diffus | Hitachi Semiconductor |
| 53690 | 2SC2901 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPN | NEC |
| 53691 | 2SC2904 | TYPE PLANAIRE ÉPITAXIAL DU TRANSISTOR DE PUISSANCE DE RF NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53692 | 2SC2905 | TYPE PLANAIRE ÉPITAXIAL DU TRANSISTOR DE PUISSANCE DE RF NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53693 | 2SC2908 | PUISSANCE TRANSISTORS(5.0a, 100v, 50w) | MOSPEC Semiconductor |
| 53694 | 2SC2909 | Applications À haute tension d'Af 60W Predriver De Commutation De Transistors Planaires Épitaxiaux De Silicium de NPN | SANYO |
| 53695 | 2SC2910 | La Commutation À haute tension 80W Audio De Transistors Planaires Épitaxiaux De Silicium de NPN A produit Des Applications De Predriver | SANYO |
| 53696 | 2SC2911 | Commutation à haute tension planaire épitaxiale des transistors 160V/140mA de silicium de NPN et applications d'cAf 100W Predriver | SANYO |
| 53697 | 2SC2912 | COMMUTATION À HAUTE TENSION, APPLICATIONS D'AF 150W PREDRIVER | SANYO |
| 53698 | 2SC2912 | COMMUTATION À HAUTE TENSION, APPLICATIONS D'AF 150W PREDRIVER | SANYO |
| 53699 | 2SC2921 | Transistor Du Silicium NPN | Sanken |
| 53700 | 2SC2921 | PUISSANCE TRANSISTORS(1ä, 160v, 150w) | MOSPEC Semiconductor |
| 53701 | 2SC2921 | C.c PLANAIRE D'CAmplificateur DE PUISSANCE DU SILICIUM TRANSISTOR(audio DE NPN AU CONVERTISSEUR DE C.c) | Wing Shing Computer Components |
| 53702 | 2SC2922 | PUISSANCE TRANSISTORS(17a, 180v, 200w) | MOSPEC Semiconductor |
| 53703 | 2SC2922 | DESCRIPTION Planaire Épitaxiale De Transistor(GENERAL De Silicium) | Wing Shing Computer Components |
| 53704 | 2SC2922 | Transistor Pour amplificateur de puissance | Sanken |
| 53705 | 2SC2923 | Transistor de puissance - Silicium PNP Triple-diffuse Planar type | Panasonic |
| 53706 | 2SC2925 | Dispositif small-signal - transistor small-signal - Général-employez Amplifires de basse fréquence | Panasonic |
| 53707 | 2SC2928 | COMMUTATION DE PUISSANCE DE HAUTE TENSION, À GRANDE VITESSE ET ÉLEVÉE | Hitachi Semiconductor |
| 53708 | 2SC2928 | COMMUTATION DE PUISSANCE DE HAUTE TENSION, À GRANDE VITESSE ET ÉLEVÉE | Hitachi Semiconductor |
| 53709 | 2SC2929 | TYPE TRANSISTORS BIPOLAIRES DE MOULE | Unknow |
| 53710 | 2SC2929 | Transistor à grande vitesse de commutation | COLLMER SEMICONDUCTOR INC |
| 53711 | 2SC2929 | TYPE TRANSISTORS BIPOLAIRES DE MOULE | Unknow |
| 53712 | 2SC2929 | Transistor à grande vitesse de commutation | COLLMER SEMICONDUCTOR INC |
| 53713 | 2SC2932 | TYPE PLANAIRE ÉPITAXIAL DU TRANSISTOR DE PUISSANCE DE RF NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53714 | 2SC2933 | TYPE PLANAIRE ÉPITAXIAL DU TRANSISTOR DE PUISSANCE DE RF NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53715 | 2SC2938 | PUISSANCE TRANSISTORS(10a, 400v, 100w) | MOSPEC Semiconductor |
| 53716 | 2SC2944 | COMMUTATION À GRANDE VITESSE DE TYPE DE PLANER DIFFUSE PAR TRIPLE | Fuji Electric |
| 53717 | 2SC2944 | TYPE TRANSISTORS BIPOLAIRES DE MOULE | Unknow |
| 53718 | 2SC2944 | COMMUTATION À GRANDE VITESSE DE TYPE DE PLANER DIFFUSE PAR TRIPLE | Fuji Electric |
| 53719 | 2SC2944 | TYPE TRANSISTORS BIPOLAIRES DE MOULE | Unknow |
| 53720 | 2SC2946 | MOULE DE PUISSANCE ÉPITAXIALE DE TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPN MINI | NEC |
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