| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 53961 | 2SC3202 | PROCESSUS PLANAIRE ÉPITAXIAL DU TRANSISTOR TYPE(PCT DUSILICIUM NPN) | Korea Electronics (KEC) |
| 53962 | 2SC3202 | PROCESSUS PLANAIRE ÉPITAXIAL DU TRANSISTOR TYPE(PCT DUSILICIUM NPN) | Korea Electronics (KEC) |
| 53963 | 2SC3203 | PROCESSUS PLANAIRE ÉPITAXIAL DU TRANSISTOR TYPE(PCT DUSILICIUM NPN) | Korea Electronics (KEC) |
| 53964 | 2SC3203 | PROCESSUS PLANAIRE ÉPITAXIAL DU TRANSISTOR TYPE(PCT DUSILICIUM NPN) | Korea Electronics (KEC) |
| 53965 | 2SC3203 | PROCESSUS PLANAIRE ÉPITAXIAL DU TRANSISTOR TYPE(PCT DUSILICIUM NPN) | Korea Electronics (KEC) |
| 53966 | 2SC3206 | PROCESSUS PLANAIRE ÉPITAXIAL DU TRANSISTOR TYPE(PCT DUSILICIUM NPN) | Korea Electronics (KEC) |
| 53967 | 2SC3206 | PROCESSUS PLANAIRE ÉPITAXIAL DU TRANSISTOR TYPE(PCT DUSILICIUM NPN) | Korea Electronics (KEC) |
| 53968 | 2SC3206 | PROCESSUS PLANAIRE ÉPITAXIAL DU TRANSISTOR TYPE(PCT DUSILICIUM NPN) | Korea Electronics (KEC) |
| 53969 | 2SC3209 | TRANSISTOR DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPN | NEC |
| 53970 | 2SC3210 | Type De MESA De Jonction Triple-Diffus par NPN De Silicium | Unknow |
| 53971 | 2SC3210 | Type De MESA De Jonction Triple-Diffus par NPN De Silicium | Unknow |
| 53972 | 2SC3210 | Type De MESA De Jonction Triple-Diffus par NPN De Silicium | Unknow |
| 53973 | 2SC3210 | Transistor de puissance - Type Silicon NPN Triple-Diffusée Junction Mesa | Panasonic |
| 53974 | 2SC3211 | Transistor de puissance - Type Silicon NPN Triple-Diffusée Junction Mesa | Panasonic |
| 53975 | 2SC3211A | Transistor de puissance - Type Silicon NPN Triple-Diffusée Junction Mesa | Panasonic |
| 53976 | 2SC3212 | Type De MESA De Jonction Triple-Diffus par NPN De Silicium | Panasonic |
| 53977 | 2SC3212 | Type De MESA De Jonction Triple-Diffus par NPN De Silicium | Panasonic |
| 53978 | 2SC3212 | Type De MESA De Jonction Triple-Diffus par NPN De Silicium | Panasonic |
| 53979 | 2SC3212A | Type De MESA De Jonction Triple-Diffus par NPN De Silicium | Panasonic |
| 53980 | 2SC3212A | Type De MESA De Jonction Triple-Diffus par NPN De Silicium | Panasonic |
| 53981 | 2SC3212A | Type De MESA De Jonction Triple-Diffus par NPN De Silicium | Panasonic |
| 53982 | 2SC3218-M | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN POUR L'CUsage INDUSTRIEL À LARGE BANDE D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE 860 MÉGAHERTZ | NEC |
| 53983 | 2SC3219 | Transistors Ultra À grande vitesse De Commutation De Haute tension | Shindengen |
| 53984 | 2SC3220 | Transistors Ultra À grande vitesse De Commutation De Haute tension | Shindengen |
| 53985 | 2SC3221 | Transistors Ultra À grande vitesse De Commutation De Haute tension | Shindengen |
| 53986 | 2SC3222 | Transistors Ultra À grande vitesse De Commutation De Haute tension | Shindengen |
| 53987 | 2SC3223 | Transistors Ultra À grande vitesse De Commutation De Haute tension | Shindengen |
| 53988 | 2SC3225 | APPLICATIONS ÉPITAXIALES D'CEntraînement DE SOLÉNOÏDE D'CApplications DE COMMUTATION DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR | TOSHIBA |
| 53989 | 2SC3233 | Le silicium NPN de transistor triplent le régulateur de commutation diffus de type et les applications à grande vitesse du convertisseur C.c-C.c d'applications de commutation de haute tension | TOSHIBA |
| 53990 | 2SC3240 | TRANSISTOR DE PUISSANCE DE MITSUBISHI RF | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53991 | 2SC3241 | TRANSISTOR DE PUISSANCE DE MITSUBISHI RF | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53992 | 2SC3242 | 900mW plomb transistor NPN cadre, note maximale: 16V VCEO, 2A Ic, 150 à 800 hFE. 2SA1282 complémentaire | Isahaya Electronics Corporation |
| 53993 | 2SC3242A | 900mW plomb transistor NPN cadre, note maximale: 20V VCEO, 2A Ic, 150 à 500 hFE. 2SA1282A complémentaire | Isahaya Electronics Corporation |
| 53994 | 2SC3243 | 900mW plomb transistor NPN cadre, note maximale: 60V VCEO, 1A Ic, 55-300 hFE. 2SA1283 complémentaire | Isahaya Electronics Corporation |
| 53995 | 2SC3244 | 900mW plomb transistor NPN cadre, note maximale: 100V VCEO, 500mA Ic, 55-300 hFE. 2SA1284 complémentaire | Isahaya Electronics Corporation |
| 53996 | 2SC3245 | 2SC3245 | Unknow |
| 53997 | 2SC3245 | 2SC3245 | Unknow |
| 53998 | 2SC3245 | 2SC3245 | Unknow |
| 53999 | 2SC3245 | 900mW plomb transistor NPN cadre, note maximale: 120V VCEO, 100mA Ic, 150 à 800 hFE. 2SA1285 complémentaire | Isahaya Electronics Corporation |
| 54000 | 2SC3245A | 2SC3245 | Unknow |
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