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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
544012SC3623ATransistor de siliciumNEC
544022SC3623A(M)-TTransistor de siliciumNEC
544032SC3623A-TTransistor de siliciumNEC
544042SC3623A-T/JMTransistor de siliciumNEC
544052SC3623A/JMTransistor de siliciumNEC
544062SC3624AMPLIFICATEUR DE FRÉQUENCE SONORE, MOULE DE CHANGEMENT DE PUISSANCE ÉPITAXIALE DE TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPN MININEC
544072SC3624-LTransistor de siliciumNEC
544082SC3624-T1BTransistor de siliciumNEC
544092SC3624-T2BTransistor de siliciumNEC
544102SC3624AAMPLIFICATEUR DE FRÉQUENCE SONORE, MOULE DE CHANGEMENT DE PUISSANCE ÉPITAXIALE DE TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPN MININEC
544112SC3624A-LTransistor de siliciumNEC
544122SC3624A-T1BTransistor de siliciumNEC
544132SC3624A-T2BTransistor de siliciumNEC
544142SC36258A; 40W; V (CEO): 400V; Transistor NPN. Pour passer réglementationTOSHIBA
544152SC3628TYPE PLANAIRE ÉPITAXIAL DU TRANSISTOR DE PUISSANCE DE RF NPNMitsubishi Electric Corporation
544162SC3629TYPE PLANAIRE ÉPITAXIAL DU TRANSISTOR DE PUISSANCE DE RF NPNMitsubishi Electric Corporation
544172SC3630TYPE PLANAIRE ÉPITAXIAL DU TRANSISTOR DE PUISSANCE DE RF NPNMitsubishi Electric Corporation
544182SC3631Transistor de siliciumNEC
544192SC3631-ZTRANSISTOR DIFFUS PAR TRIPLE MP-3 DE SILICIUM DE NPNNEC



544202SC3632Transistor de siliciumNEC
544212SC3632-ZMOULE DE PUISSANCE ÉPITAXIALE DE TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPN MININEC
544222SC3632ZMOULE DE PUISSANCE ÉPITAXIALE DE TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPN MININEC
544232SC3632ZMOULE DE PUISSANCE ÉPITAXIALE DE TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPN MININEC
544242SC3636Applications Horizontales De Rendement De Débattement D'Affichage Très À haute définitionSANYO
544252SC3637Applications Horizontales De Rendement De Débattement D'Affichage Très À haute définitionSANYO
544262SC3638Applications Horizontales De Rendement De Débattement D'Affichage Très À haute définitionSANYO
544272SC3642Applications Horizontales De Rendement De Débattement D'Affichage D'Ultra-haut-DéfinitionSANYO
544282SC3643Applications Horizontales De Rendement De Débattement D'Affichage Très À haute définitionSANYO
544292SC3644Applications Horizontales De Rendement De Débattement D'Affichage D'Ultra-haut-DéfinitionSANYO
544302SC3645Commutation À haute tension De Transistors Planaires Épitaxiaux De Silicium de NPN, Applications De PredriverSANYO
544312SC3646Applications À haute tension De Commutation De Transistors Planaires Épitaxiaux De Silicium de NPNSANYO
544322SC3647Applications À haute tension De Commutation De Transistors Planaires Épitaxiaux De Silicium de NPNSANYO
544332SC3648Commutation À haute tension De Transistors Planaires Épitaxiaux De Silicium de NPN, Applications De PredriverSANYO
544342SC3649Applications À haute tension De Commutation De Transistors Planaires Épitaxiaux De Silicium de NPNSANYO
544352SC3650HFE élevé de transistor planaire épitaxial de silicium de NPN, applications d'usage universel de basse fréquence d'amplificateurSANYO
544362SC3651HFE élevé de transistor planaire épitaxial de silicium de NPN, applications d'usage universel de basse fréquence d'amplificateurSANYO
544372SC3651High Gain, basse fréquence, General Purpose NPN Transistor AmplifierON Semiconductor
544382SC3652AMPLIFICATEUR À HAUTE FRÉQUENCE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPNHitachi Semiconductor
544392SC3652AMPLIFICATEUR À HAUTE FRÉQUENCE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPNHitachi Semiconductor
544402SC3657TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR. RÉGULATEUR DE COMMUTATION ET APPLICATIONS DE COMMUTATION DE HAUTE TENSION. APPLICATIONS À GRANDE VITESSE du CONVERTISSEUR C.c-C.c.TOSHIBA
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