Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
54481 | 2SC3710 | TYPE ÉPITAXIAL DE NPN (APPLICATIONS COURANTES ÉLEVÉES DE COMMUTATION) | TOSHIBA |
54482 | 2SC3710A | APPLICATIONS COURANTES ÉLEVÉES ÉPITAXIALES DE COMMUTATION DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT). | TOSHIBA |
54483 | 2SC3714 | 2SC3714 | Shindengen |
54484 | 2SC3714 | 2SC3714 | Shindengen |
54485 | 2SC3722 | TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN | ROHM |
54486 | 2SC3722 | TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN | ROHM |
54487 | 2SC3722K | TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN | ROHM |
54488 | 2SC3722K | TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN | ROHM |
54489 | 2SC3723 | TYPE TRANSISTORS BIPOLAIRES DE MOULE | Unknow |
54490 | 2SC3723 | TYPE TRANSISTORS BIPOLAIRES DE MOULE | Unknow |
54491 | 2SC3724 | HAUTE TENSION, COMMUTATION À GRANDE VITESSE | Unknow |
54492 | 2SC3724 | HAUTE TENSION, COMMUTATION À GRANDE VITESSE | Unknow |
54493 | 2SC3725 | HAUTE TENSION, COMMUTATION À GRANDE VITESSE | Unknow |
54494 | 2SC3725 | HAUTE TENSION, COMMUTATION À GRANDE VITESSE | Unknow |
54495 | 2SC3728 | POUR LE TYPE ÉPITAXIAL HAUT COURANT DU SILICIUM NPN D'APPLICATION D'ENTRAÎNEMENT | Isahaya Electronics Corporation |
54496 | 2SC3728 | POUR LE TYPE ÉPITAXIAL HAUT COURANT DU SILICIUM NPN D'APPLICATION D'ENTRAÎNEMENT | Isahaya Electronics Corporation |
54497 | 2SC3731 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPN | NEC |
54498 | 2SC3732 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPN | NEC |
54499 | 2SC3733 | Transistor NPN pour amplificateur de puissance et des applications de commutation à grande vitesse | NEC |
54500 | 2SC3734 | MINI MOULE DE L'CAmplificateur NPN DE SILICIUM DE PUISSANCE ÉPITAXIALE À HAUTE FRÉQUENCE DE TRANSISTOR | NEC |
54501 | 2SC3734-L | Transistor de silicium | NEC |
54502 | 2SC3734-T1B | Transistor de silicium | NEC |
54503 | 2SC3734-T2B | Transistor de silicium | NEC |
54504 | 2SC3735 | MINI MOULE DE LA COMMUTATION NPN DE SILICIUM DE PUISSANCE ÉPITAXIALE À GRANDE VITESSE DE TRANSISTOR | NEC |
54505 | 2SC3735-L | Transistor de silicium | NEC |
54506 | 2SC3735-T1B | Transistor de silicium | NEC |
54507 | 2SC3735-T2B | MINI MOULE DE LA COMMUTATION NPN DE SILICIUM DE PUISSANCE ÉPITAXIALE À GRANDE VITESSE DE TRANSISTOR | NEC |
54508 | 2SC3736 | Transistor de silicium | NEC |
54509 | 2SC3736-T1 | Transistor de silicium | NEC |
54510 | 2SC3736-T2 | Transistor de silicium | NEC |
54511 | 2SC3737 | Transistor de puissance - Silicium PNP Triple-diffuse Planar type | Panasonic |
54512 | 2SC3738 | Silicon NPN diffusion triple type planaire | Panasonic |
54513 | 2SC3739 | MOULE À HAUTE FRÉQUENCE DE PUISSANCE ÉPITAXIALE DE TRANSISTOR D'CAmplificateur ET DE SILICIUM DE LA COMMUTATION NPN MINI | NEC |
54514 | 2SC3739-L | Transistor de silicium | NEC |
54515 | 2SC3739-T1B | Transistor de silicium | NEC |
54516 | 2SC3739-T2B | Transistor de silicium | NEC |
54517 | 2SC3743 | Dispositif De Puissance - Transistors De Puissance - Swicthing | Panasonic |
54518 | 2SC3746 | Applications À grande vitesse Planaires Épitaxiales De Commutation Des Transistors 60V/ä De Silicium de NPN | SANYO |
54519 | 2SC3747 | Applications À grande vitesse Planaires Épitaxiales De Commutation Des Transistors 60V/7a De Silicium de NPN | SANYO |
54520 | 2SC3748 | Applications À grande vitesse Planaires Épitaxiales De Commutation Des Transistors 60V/10a De Silicium de NPN | SANYO |
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